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最新专利技术
  • 显示面板制造设备
    显示面板制造设备_乐金显示有限公司_202511397461.1
    本公开涉及一种显示面板制造设备，该显示面板制造设备防止发光元件在转移过程期间从供体构件脱离时被损坏。为了实现这一点，本公开的显示面板制造设备可以通过将系绳配置为容易断开并在衬底上形成多个突起以在拾取过程中支撑发光元件，从而通过转移构件从其中...
    2026-05-14
  • 固晶方法以及固晶系统
    固晶方法以及固晶系统_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511894589.9
    本公开提供了一种固晶方法以及固晶系统，属于半导体技术领域。所述固晶方法包括：提供一承载膜，所述承载膜上承载有多个芯片且所述多个芯片的电极与所述承载膜粘接；在所述多个芯片背对所述承载膜的一侧覆盖柔性平整膜，所述柔性平整膜保持平整张紧状态；将覆...
    2026-05-14
  • 一种LED封装器件
    一种LED封装器件_深圳循光科技有限公司_202411546311.8
    本发明涉及半导体发光技术领域，公开了一种LED封装器件，其包括支架、LED发光芯片、透光胶层、高反射胶层和透镜。LED发光芯片设于支架上并内设若干光散射粒子。透光胶层至少覆盖LED发光芯片的部分上表面。透光胶层的上表面为菱形。高反射胶层设于...
    2026-05-14
  • 一种LED灯珠顶透镜及其制作方法
    一种LED灯珠顶透镜及其制作方法_光博仕(丽水)医疗科技有限公司_202510689818.7
    本发明涉及灯珠顶透镜装置技术领域，具体涉及一种LED灯珠顶透镜及其制作方法，包括透镜板，透镜板的顶端开设有方形槽，方形槽的内侧开设有圆槽，方形槽内设置有透镜，透镜板的底端开设有内槽，内槽的底端开设有底槽，内槽内设置有灯板，底槽内设置有封闭板...
    2026-05-14
  • 一种LED封装装置及方法
    一种LED封装装置及方法_江西天佑半导体有限公司_202311632670.0
    本发明属于LED封装技术领域，公开了一种LED封装装置及方法，包括，输送机构；点胶机架，设置在所述输送机构上，用于对LED进行点胶；烘干架，设置在所述点胶机架一侧并与输送机构固定连接，用于固化点胶后的LED；承载盘，设置在所述输送机构上，用...
    2026-05-14
  • 发光二极管芯片及其制备方法
    发光二极管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202610475502.2
    本公开公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片，包括外延层、分布式布拉格反射层、第一电极和第二电极；外延层包括依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层，外延层具有台面沟槽，台面沟槽由第二半导体层延伸至第...
    2026-05-14
  • 发光二极管和发光元件显示装置
    发光二极管和发光元件显示装置_乐金显示有限公司_202511244790.2
    公开了一种发光二极管和一种发光元件显示装置，该发光二极管包括：半导体层；第一元件电极，第一元件电极位于半导体层上；第二元件电极，第二元件电极位于半导体层上；第一辅助电极，第一辅助电极连接到第一元件电极，并且位于发光二极管的一个侧面；第一保护...
    2026-05-14
  • 水平式发光二极管及其制造方法
    水平式发光二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985270.2
    本发明提供一种水平式发光二极管及其制造方法，水平式发光二极管包含一永久基板、一外延复合层、一第一导电型电极、一第二导电型电极及一欧姆接触层。其中，外延复合层具有发光波段为1100～2000纳米(nm)的一发光层，设置于永久基板上。第一导电型...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938498.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延层、多个n电极以及多个p电极，所述外延层包括依次层叠的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，所述多个n电极和所述多个p电极位于所述外延层的同一侧且均与所述外延...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202610476953.8
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流扩展层；所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层依次层叠，所述第二半导体层的表面开设有延伸到所述第一半导体层的第一台阶面，所述第二半导体...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202610203076.7
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延层和侧壁阻挡层；所述外延层包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间，且所述外延层包括台阶，所述台阶的...
    2026-05-14
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202610235449.9
    本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该LED芯片包括键合衬底和位于键合衬底一侧层叠的键合层、镜面反射层、介质层以及外延叠层，键合衬底背离键合层一侧设置有第一电极，外延叠层背离键合衬底一侧设置有第二电极，介质层具有...
    2026-05-14
  • 覆晶发光二极管
    覆晶发光二极管_台亚半导体股份有限公司_202510107964.4
    本发明提供一种覆晶发光二极管，包括基材、发光结构、P型电极结构及N型电极结构。发光结构位于基材上且包括磷化镓层及半导体外延结构，且磷化镓层位于基材及半导体外延结构之间。半导体外延结构包括依序形成的P型电流散布层、发光层、N型半导体层及透明欧...
    2026-05-14
  • 一种Mini红光发光二极管及其制备方法
    一种Mini红光发光二极管及其制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202610368309.9
    本发明涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种Mini红光发光二极管及其制备方法。本发明通过MOCVD法生长外延结构，经键合替换衬底，经刻蚀制备台面及ISO隔离沟道后，依次沉积Al2O3保护层与SiO2辅助防护层，蒸镀两组叠层的DBR反射层...
    2026-05-14
  • 一种光控人工突触器件及其制备方法
    一种光控人工突触器件及其制备方法_苏州晶台光电有限公司_202610175150.9
    本发明实施例公开了一种光控人工突触器件及其制备方法。该人工突触器件包括沿厚度方向依次层叠设置的衬底、发光层和突触功能层：发光层，设置于衬底上，发光层的发光面朝向突触功能层；突触功能层用于响应发光层发出的光信号，产生模拟生物突触行为的电导变化...
    2026-05-14
  • 一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统
    一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统_合肥泰沃达智能装备有限公司_202610103694.4
    本发明公开了一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统，涉及MicroLED制造技术领域，激光直刻灰阶微纳结构加工方法包括：对巨量转移后的MicroLED阵列进行逐像素亮度检测，获取每个像素的实测亮...
    2026-05-14
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512038753.2
    本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供一LED外延片，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上沉积透明导电层；在透明导电层上形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为刻蚀掩膜，对透...
    2026-05-14
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610205529.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及光伏组件。在本申请实施例中，通过在基底的第一表面的第一区域设置隧穿层和掺杂导电层，可以提升与第一电极的接触性能，有利于载流子的传输，并且，相较于还在第二区域设置隧穿层和掺杂导电层的方式而言...
    2026-05-14
  • 一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法
    一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法_中茂绿能科技(西安)有限公司_202610200447.6
    本发明公开了一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法，属于光伏器件技术领域，该基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池自下而上依次为透明导电衬底、复合窗口层、CdTe吸收层、ZnTe界面修饰层和金属背电极；所述复合窗口层由CdS层、...
    2026-05-14
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610194979.3
    本发明涉及光伏技术领域，具体涉及太阳电池及其制备方法和光伏组件，该太阳电池包括：具有凹槽的电池基体，以及依次形成于凹槽的第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层、TiN隔离层，和形成于TiN层的栅线，其中，第一过渡层的Ni含量≥第二过渡层的Ni含...
    2026-05-14
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