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最新专利技术
  • 一种降低IGBT外延片破片率的方法及装置
    一种降低IGBT外延片破片率的方法及装置_上海晶盟硅材料有限公司_202610080728.2
    本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种降低IGBT外延片破片率的方法及装置，包括以下步骤：S1、装片定位：将晶圆放置在外延机内部基座主体顶部的支撑盘中，通过支撑盘上的挡块对晶圆进行定位；S2、工艺执行：启动并实施外延生长工艺；S3、主...
    2026-05-10
  • 一种上下料盒装置及半导体加工系统
    一种上下料盒装置及半导体加工系统_沈阳和研科技股份有限公司_202610471851.7
    本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种上下料盒装置及半导体加工系统。该上下料盒装置包括包括第一载物移动平台、第二载物移动平台、转载平台、第一机械臂和第二机械臂；通过采用第一载物移动平台、第二载物移动平台、转载平台、以及两个机械臂的集...
    2026-05-10
  • 一种单臂双叉晶圆搬运设备及晶圆搬运方法
    一种单臂双叉晶圆搬运设备及晶圆搬运方法_无锡富创得智能科技有限公司_202610244782.6
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种单臂双叉晶圆搬运设备及晶圆搬运方法，包括搬运臂、中空轴、承载部、上座齿轮、下座齿轮、第一搬运叉以及第二搬运叉；所述上座齿轮的轴向两端均设置有呈环形的支撑部，所述支撑部设置有与承载部或下座齿轮接触的轴向承...
    2026-05-10
  • 一种柔性太阳能芯片的真空吸附移载平台装置
    一种柔性太阳能芯片的真空吸附移载平台装置_威光自动化设备(厦门)有限公司_202610194427.2
    本发明公开了一种柔性太阳能芯片的真空吸附移载平台装置，属于柔性太阳能芯片技术领域，包括翻转装置与传输架，在输送架上设置有输送导轨，在翻转装置的一侧且位于输送导轨上设置有输送装置，在输送架上的一侧设置有暂放架，在输送架的内部还设置有转送导轨，...
    2026-05-10
  • 物料搬运系统
    物料搬运系统_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511921027.9
    本公开提供了一种物料搬运系统。该系统包括：中央调度设备，用于接收制造执行系统MES下发的搬运指令；基于搬运指令匹配搬运设备；向搬运设备发送搬运任务；搬运设备，用于接收搬运任务；基于搬运任务生成多条候选路径；将每条候选路径分解为多个连续的时空...
    2026-05-10
  • 晶圆转移设备
    晶圆转移设备_深圳摩天智能装备有限公司_202410299428.4
    本申请涉及一种晶圆转移设备，涉及晶圆加工设备的领域，其包括直线电机；支撑平台，所述支撑平台安装在所述直线电机的活动端上；驱动机构，所述驱动机构安装在所述支撑平台上；转动机构，所述转动机构安装在所述支撑平台上，所述转动机构与所述驱动机构连接，...
    2026-05-10
  • 集成式晶圆进仓前预处理设备
    集成式晶圆进仓前预处理设备_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202610461491.2
    本申请公开了一种集成式晶圆进仓前预处理设备，包括机架、除尘机构、缺陷检测装置和传送机构，机架内自上而下设有上层、中层和下层；通过将除尘机构、缺陷检测装置、传送机构分设于上、中、下层，替代传统的平面式或散落式布置，大幅缩减了设备的水平与竖直占...
    2026-05-10
  • 一种半导体处理设备及其控制方法
    一种半导体处理设备及其控制方法_上海原子启智半导体设备有限公司_202610459577.1
    本发明公开了一种半导体处理设备及其控制方法，涉及半导体制造技术领域。半导体处理设备包括腔体、气源及至少一进气阀组，腔体侧边缘设有多个环绕排布的进气孔，进气阀组包括多个与进气孔一一对应、独立可控的进气阀，各进气阀可独立控制对应进气孔的气路通断...
    2026-05-10
  • 一种延长硼扩石英器件使用寿命的方法
    一种延长硼扩石英器件使用寿命的方法_弘元新材料(徐州)有限公司_202511935478.8
    本发明属于电池制作技术领域，具体涉及一种延长硼扩石英器件使用寿命的方法，包括S1：预处理，对硅片进行RCA标准清洗；S2：装片与炉管预处理，将清洗后的硅片装载至石英舟并送入管式扩散炉，进行氮气吹扫清除炉管内残留空气；S3：升温并进行闭管测漏...
    2026-05-10
  • 一种工件清洗方法、清洗装置及光伏组件清洗机
    一种工件清洗方法、清洗装置及光伏组件清洗机_苏州晟成光伏设备有限公司_202610198262.6
    本发明公开了一种工件清洗方法、清洗装置及光伏组件清洗机，驱动清洗装置的底板和集料盒向工件的角部移动，工件的角部位于集料盒的上方，工件处于待清洗位置；驱动第一挡板移动至感知器件采集方向的避让位置；感知器件采集位于集料盒上方工件角部的图像数据，...
    2026-05-10
  • 一种提高背孔电镀金前清洗效率的方法
    一种提高背孔电镀金前清洗效率的方法_成都航天博目电子科技有限公司_202610186213.0
    本发明公开了一种提高背孔电镀金前清洗效率的方法，包括：使用EDS对晶圆上待刻蚀位置的成分进行检测；使用刻蚀机对晶圆进行刻蚀形成背孔，刻蚀过程中，在晶圆表面持续进行信号检测，直到出现金信号，作为刻蚀终点，结束刻蚀过程；使用EDS检测晶圆刻蚀后...
    2026-05-10
  • 一种半导体器件金属镀层的表面处理工艺
    一种半导体器件金属镀层的表面处理工艺_浙江先导热电科技股份有限公司_202511548467.4
    本发明公开了一种半导体器件金属镀层的表面处理工艺，旨在提供一种能够对半导体器件表面的金属镀层进行深度清洗，不仅可以消除半导体器件表面的金属镀层上附着的异物，还可以增加半导体器件表面的金属镀层表面的粗糙度，从而提高半导体器件表面粘结力，使其能...
    2026-05-10
  • 湿法腐蚀方法和装置
    湿法腐蚀方法和装置_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511902963.5
    本公开提供了一种湿法腐蚀方法和装置，属于半导体芯片制造技术领域。该湿法腐蚀方法包括：在晶圆的表面形成金属层；控制所述晶圆在第一位置和第二位置往复移动，直至完成所述金属层的腐蚀作业，所述晶圆处于所述第一位置时，所述晶圆侵入腐蚀槽的腐蚀溶液内，...
    2026-05-10
  • 一种高腐蚀均匀性且速率可控的钽酸锂晶片腐蚀方法
    一种高腐蚀均匀性且速率可控的钽酸锂晶片腐蚀方法_天通控股股份有限公司_202610461242.3
    本发明属于半导体材料领域，涉及一种高腐蚀均匀性且速率可控的钽酸锂晶片腐蚀方法，包括如下步骤：清洗切片后的晶片；使用混合强酸腐蚀液对晶片进行一次腐蚀；使用包含酸、表面活性剂和缓冲剂的复合腐蚀液对晶片进行二次腐蚀；使用包含弱酸、络合剂和腐蚀助剂...
    2026-05-10
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511527399.3
    本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，使形成于基板的多晶硅膜的蚀刻处理中的均匀性提高。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：向碱性的处理液添加硅酸化合物来生成蚀刻液；以及利用蚀刻液对形成于基板的多晶硅膜进行蚀刻。
    2026-05-10
  • 一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法
    一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202610175000.8
    本发明涉及砷化镓半导体器件制造技术领域，本发明涉及一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法，方法为：通过优化工艺流程，在第一钝化层开口时保留切割道区域的氮化硅；沉积第二金属电极和Al2O3钝化层后，采用“两步蚀刻”策略，先以SF6+...
    2026-05-10
  • 一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用
    一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用_河南省科学院量子材料与物理研究所_202610176218.5
    本发明公开了一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用，属于半导体制造与纳米材料技术领域。所述制备方法包括：提供具有AxBy薄膜的衬底，其中A为金属元素，B为硫族元素，利用离子束对AxBy薄膜进行离子辐照，利用离子束对薄膜中不同元素的本征溅射产...
    2026-05-10
  • 选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备
    选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备_华为技术有限公司_202610181124.7
    本申请的实施例提供了一种选通管、用于制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备。该选通管包括第一电极、第二电极、多个介质层、以及第一隔离层。多个介质层位于第一电极和第二电极之间，并且包括第一介质层和第二介质层。第二介质层包围第一介质层。第一...
    2026-05-10
  • 一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件
    一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件_西安交通大学_202610104539.4
    本发明公开了一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件，所述器件结构自下而上依次为衬底、光波导层、介质层、相变层和顶部防氧化层；所述器件相变层为锗富集的锗锑碲相变材料，化学式为GexSbyTez，其中25≤x≤50, 15≤y≤25, 3...
    2026-05-10
  • 亚稳态二维材料器件及其制备方法
    亚稳态二维材料器件及其制备方法_清华大学_202511889188.4
    本申请涉及器件技术领域，尤其涉及亚稳态二维材料器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜进行图案化激光切割处理，得到掩膜板；在所述掩膜板的一侧表面设置基底，所述基底朝向所述掩膜板的一侧的部分表面具有亚稳态二维材料层，所...
    2026-05-10
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