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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种晶体谐振器及制备方法
    一种晶体谐振器及制备方法_北京无线电计量测试研究所_202511801312.7
    本发明实施例公开一种晶体谐振器及制备方法。在一具体实施方式中，一种晶体谐振器包括：石英晶片；镀在所述石英晶片的上表面的第一电极和镀在所述石英晶片的下表面的第二电极，所述第一电极与所述第二电极对称设置，所述第一电极和所述第二电极形成谐振电极；...
    2026-05-07
  • 一种弹性波器件
    一种弹性波器件_三安日本科技株式会社_202511526789.9
    本发明涉及一种弹性波器件，其具备：支持基板；媒质层，形成于支持基板上；压电基板，形成于媒质层上；谐振器，包含IDT电极，IDT电极形成于压电基板上；媒质层具有呈条纹状且具有长度方向和宽度方向的第一声学阻抗区域；以及具有呈条纹状且具有长度方向...
    2026-05-07
  • 一种超高频薄膜体声波器件及其制备方法
    一种超高频薄膜体声波器件及其制备方法_杭州树芯电子科技有限公司_202610397685.0
    本申请提供一种超高频薄膜体声波器件及其制备方法，超高频薄膜体声波器件通过单一极化方向压电层和相邻层反向电场，实现高次模态激发。超高频薄膜体声波器件的制备，仅需制备极化方向完全相同的压电层，无需研发和控制多极化方向压电薄膜的差异化制备工艺，减...
    2026-05-07
  • 声表面波装置、电子设备
    声表面波装置、电子设备_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202610425473.9
    本发明涉及声表面波装置技术领域，特别涉及一种声表面波装置、电子设备，包括从下至上依次设置的衬底、下电极、压电层和上电极，所述上电极包括沿第一方向间隔设置的一对上汇流条和沿第二方向交替间隔设置的多个上电极指，所述下电极包括沿第二方向间隔设置的...
    2026-05-07
  • 一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法
    一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202610067706.2
    本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种集成双层温补结构的体声波谐振器及其制备方法，谐振器包括：由下至上依次连接的第一衬底、键合层、底电极、压电层、第二温补层和顶电极，第一衬底上设有空气腔，底电极内包裹有第一温补层，第一温补层在俯视方...
    2026-05-07
  • 一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法
    一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法_台晶(宁波)电子有限公司_202610385879.9
    本发明涉及一种低迟滞高频石英晶体谐振器及制备方法，包括石英晶片、陶瓷基座和金属上盖，陶瓷基座上端密封连接有金属上盖，金属上盖与陶瓷基座之间设置有超高真空内腔室，超高真空内腔室底部并列布置有两个焊盘，其中一个焊盘为具有高刚度的加强结构，另一个...
    2026-05-07
  • 一种环形振荡电路、传输延迟检测电路和存储器
    一种环形振荡电路、传输延迟检测电路和存储器_长鑫存储技术有限公司_202411535289.7
    本公开实施例提供了一种环形振荡电路、传输延迟检测电路和存储器，其中，环形振荡电路，包括：延迟模拟电路，配置为接收待测时钟信号和互补待测时钟信号，并模拟目标信号的传输延迟对所述待测时钟信号和所述互补待测时钟信号进行延迟处理，以生成并输出延迟时...
    2026-05-07
  • 应用于W波段的单级差分cascode放大器模块
    应用于W波段的单级差分cascode放大器模块_天津大学_202211462598.7
    本发明公开一种应用于W波段的单级差分cascode放大器模块，使用cascode结构并采用差分放大组态，包括共源极晶体管M1、M2，共栅极晶体管M3、M4，共栅极晶体管栅极偏置电阻RG，中和电容CM1、CM2，传输线TL1、TL2、TL3、...
    2026-05-07
  • 一种基于混合ZVS/ZCS的无源辅助软开关功率放大器
    一种基于混合ZVS/ZCS的无源辅助软开关功率放大器_南京航空航天大学_202511823809.9
    本发明公开了一种基于混合ZVS/ZCS的无源辅助软开关功率放大器，其特征在于，所述无源辅助软开关功率放大器包括双直流电压模块、双谐振电容及谐振电感无源软开关网络、中点双路并联桥臂、双开关管高频主功率输出桥臂、双并联辅助电容和LC滤波输出网络...
    2026-05-07
  • 一种基于全数字域处理的数字下变频的方法
    一种基于全数字域处理的数字下变频的方法_成都戎星科技有限公司_202610425390.X
    本发明公开了一种基于全数字域处理的数字下变频的方法，涉及信号处理技术领域，根据输入的数字中频信号，采用混频的方式将其下变频至零中频位置；对变频处理后的信号进行多级滤波抽取；进行重采样，改变信号的采样率，以适配后续信号处理模块。本发明能够满足...
    2026-05-07
  • 一种基于三级运算放大器的低通与复带通可切换的多模可配置滤波器
    一种基于三级运算放大器的低通与复带通可切换的多模可配置滤波器_复旦大学_202511961153.7
    本发明属于通信技术领域，具体为一种基于三级运算放大器的低通与复带通可切换的多模可配置滤波器。该滤波器的主体结构为Tow‑Thomas，逼近函数采用切比雪夫函数，包含两个三级运算放大器和电容电阻阵列。该滤波器具有多种工作模式，通过改变电容阵列...
    2026-05-07
  • 一种射频模组及电子设备
    一种射频模组及电子设备_浙江星曜半导体有限公司_202520982043.8
    本申请公开了一种射频模组及电子设备，涉及射频技术领域，包括：功率放大电路，所述功率放大电路包括至少一个功率放大器；滤波电路，所述滤波电路包括至少一个滤波器，所述滤波器的输出端与天线端口相连；移相电路，所述移相电路位于所述功率放大电路和所述滤...
    2026-05-07
  • 环形振荡电路、芯片及设备
    环形振荡电路、芯片及设备_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202512032734.9
    本申请公开了环形振荡电路、芯片及设备，属于电子技术领域。环形振荡电路包括两级依次级联形成闭合环路的差分模块；差分模块，用于通过接收输入差分信号，对输入差分信号依次执行反相处理和延迟处理，生成本级的输出差分信号，而接收的输入差分信号为前一级差...
    2026-05-07
  • 环形振荡器
    环形振荡器_意法半导体国际公司_202511583286.5
    本公开的实施例涉及环形振荡器。一种环形振荡器生成具有由施加到频率控制端子的第一频率控制电流控制的频率的输出信号。第一导电类型的第一晶体管在控制端子上接收控制电压，并且在第一导电端子处供应第一频率控制电流。与第一导电类型相反的第二导电类型的第...
    2026-05-07
  • 弹性波器件和电子产品
    弹性波器件和电子产品_泉州市三安集成电路有限公司_202512014937.5
    本发明实施例提供的弹性波器件和电子产品，包括：压电层；IDT电极层，设于压电层上，IDT电极层包括：沿第一方向相对设置第一汇流条和第二汇流条，定义第一汇流条和第二汇流条之间的部分为叉指区；电极指，设于叉指区，电极指包括沿第二方向间隔设置的多...
    2026-05-07
  • 碳化硅驱动电路和碳化硅器件
    碳化硅驱动电路和碳化硅器件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202521127693.0
    本申请提供了一种碳化硅驱动电路和碳化硅器件，涉及电力电子技术领域。碳化硅器件包括驱动电路、上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂均包括功率开关管，每条驱动电路连接一个功率开关管，被配置为驱动功率开关管导通与关断，至少一个驱动电路包括驱动模块、驱动电...
    2026-05-07
  • 一种供电设备控制导引电路、电路板
    一种供电设备控制导引电路、电路板_南京康尼新能源汽车零部件有限公司_202520688827.X
    本申请公开了供电设备制造领域中的一种供电设备控制导引电路、电路板，用于供电设备单元和接收设备单元之间的电平转换，其包括第一电平传输转换单元和第二电平传输转换单元；第一电平传输转换单元输入端连接供电设备单元的输出端、输出端连接所述接收设备单元...
    2026-05-07
  • 层叠型电子器件
    层叠型电子器件_TDK株式会社_202511424299.8
    层叠型电子器件具备电容器、接地导体层、与接地导体层配合而构成电容器的至少一部分的导体层、结构体以及层叠体。结构体包含柱状导体，该柱状导体具有在层叠方向上相互位于相反侧的第一端以及第二端。第一端与接地导体层连接。在第二端未连接用于构成电容器以...
    2026-05-07
  • 有源负反馈电路和功率放大器
    有源负反馈电路和功率放大器_苏州能讯高能半导体有限公司_202511684067.6
    本发明公开了一种有源负反馈电路和功率放大器。有源负反馈电路包括耦合器，耦合器的输入端接入射频输入信号，并将射频输入信号分为反馈信号和主信号；其中，反馈信号由耦合器的第一输出端输出，主信号由耦合器的第二输出端输出；第一有源器件的栅极与耦合器的...
    2026-05-07
  • 一种陶瓷封装基座及晶振
    一种陶瓷封装基座及晶振_瓷金科技(河南)有限公司_202521114795.9
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种陶瓷封装基座及晶振，包括单层陶瓷基座以及可伐环；所述可伐布置在所述单层陶瓷基座表面，所述可伐环与所述单层陶瓷基座围成容置腔；在所述容置腔内的单层陶瓷基座表面设有电极焊盘以及第一通孔；所述第一通孔内设有延...
    2026-05-07
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