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最新专利技术
  • 一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件
    一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件_微软技术许可有限责任公司_202610281222.8
    描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分，以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质，其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包...
    2026-05-14
  • 基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用
    基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用_北京理工大学_202512032196.3
    本发明的实施例提供了一种基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用，属于拓扑量子器件的技术领域。该跨维度相变器件包括：SiO2/Si衬底；位于SiO2/Si衬底上表面的半金属材料层且其初始状态为二维铁电相；金属电极，与半金...
    2026-05-14
  • 一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法
    一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法_湖北工业大学_202610103178.1
    本发明涉及半导体器件与神经形态计算领域，具体涉及一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法。制备过程包括在衬底上依次沉积Pt底电极、HfO2阻变层，以及通过热蒸发与退火形成Ag纳米颗粒层，继而转移MoS2薄膜，最后...
    2026-05-14
  • 一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用
    一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用_西安交通大学口腔医院_202610228994.5
    本发明属于医疗器械技术领域，具体涉及一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用。生物忆阻器通过电学响应测试，能够有效地区分正常唾液、牙龈炎唾液和I期牙周炎唾液，表现出显著差异的电流响应和更大的电阻窗口，突显了其在牙周炎早期检测中的潜力...
    2026-05-14
  • 一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法
    一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511343305.7
    本发明涉及一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法，包括相变存储介质层，所述相变存储介质层是由相变材料层和自诱导结晶InyTe100‑y材料层垂直堆叠周期交替生长而形成的多层结构，其中，20≤y≤80。本发明的自诱导结晶相变存储单元具有快速数...
    2026-05-14
  • 选择性外延生长方法
    选择性外延生长方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610017918.X
    本申请提供一种选择性外延生长方法，首先在工艺腔室中保持DCS和GeH4流量不变，逐渐增加SiH4流量，做多组对比实验，以获取SiH4流量和锗硅外延层的生长速率之间的关系式，以及获取锗含量和DCS、GeH4和SiH4流量之间的关系式，然后利用...
    2026-05-14
  • 一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用
    一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用_铜陵职业技术学院_202610180125.X
    本发明涉及功能氧化物薄膜材料技术领域，具体为一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用，包括以下步骤：S1、将镧源和镍源溶解于有机溶剂中，制备LaNiO3前驱体溶液；S2、向所述前驱体溶液中添加单乙醇胺作为稳定剂，其中单乙醇胺...
    2026-05-14
  • 基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法
    基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202610478564.9
    本发明公开一种基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法，涉及晶圆技术领域。其包括如下步骤：S1：在衬底的表面沉积铪锆金属叠层薄膜；S2：对步骤S1得到的铪锆金属叠层薄膜进行氧化处理得到非晶态铪锆氧化物薄膜；S3：对非晶态铪锆氧化物薄...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411595624.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成目标栅极结构；形成光刻胶层于半导体衬底上；利用光罩对光刻胶层进行光刻以形成图形化光刻胶层，光罩包括由透光基板形成的透光区、由透光基板和覆...
    2026-05-14
  • 用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法
    用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法_启迪原子私人有限公司_202511644718.9
    本发明公开了一种用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法。该系统包含加压前驱体缓冲器，且加压前驱体缓冲器设置在气体/前驱体输送单元附近。在ALE工艺循环内，会在预定间隔插入原位衬里沉积步骤。系统控制器对缓冲器内的实时前...
    2026-05-14
  • 金属层的刻蚀方法
    金属层的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610062845.6
    本申请公开了一种金属层的刻蚀方法，包括：在铝金属层覆盖光阻，依次通过曝光和显影去除目标区域的光阻，使目标区域的铝金属层暴露，铝金属层形成于钨金属层上，钨金属层形成于衬底上方，该衬底用于形成半导体器件；进行第一阶段的刻蚀，刻蚀至目标区域中铝金...
    2026-05-14
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411558672.4
    本申请公开了一种衬底处理方法，涉及半导体制造技术领域，所述处理方法包括：提供具有凸起部和沟槽的衬底，所述凸起部的表面具有第一氧化层；湿法刻蚀所述衬底，清除所述第一氧化层；在所述衬底上形成第二氧化层，其中，所述第二氧化层的厚度小于所述第一氧化...
    2026-05-14
  • 半导体器件及制备方法、芯片及电子设备
    半导体器件及制备方法、芯片及电子设备_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202610494268.8
    本申请提供一种半导体器件及制备方法、芯片及电子设备。该方法包括提供衬底；执行外延工艺，于衬底上形成外延材料层；执行化学机械研磨工艺，研磨外延材料层，平坦化外延材料层的顶面，以形成子外延层；化学机械研磨工艺至少包括第一化学机械研磨工艺和第二化...
    2026-05-14
  • 晶圆切割方法
    晶圆切割方法_三星电子株式会社_202511652260.1
    一种晶圆切割方法包括：通过将激光束扫描到晶圆的前表面上来形成多个槽，其中，晶圆包括多个层，并且激光束包括至少两束光；抛光晶圆的后表面；将晶圆安装在切片带上；以及通过扩展切片带来切割晶圆，其中，形成所述多个槽的步骤包括：通过使用所述至少两束光...
    2026-05-14
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_铠侠股份有限公司_202511206516.6
    本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其能够更适当地单片化。本实施方式的半导体装置的制造方法具备以下步骤：于半导体晶圆之第1面形成第1槽与第2槽，第1槽与第2槽沿具有第1面及处于第1面的相反侧的第2面的半导体晶圆的切割区域延伸且并...
    2026-05-14
  • 外延基板、半导体器件及外延层的制备方法
    外延基板、半导体器件及外延层的制备方法_惠科股份有限公司_202610469578.4
    本申请提供一种外延基板、半导体器件及外延层的制备方法，该半导体器件的制备方法具体包括：首先提供外延基板；外延基板包括外延衬底和在外延衬底表面生长的外延结构；外延衬底靠近外延结构的表层具有微气泡结构。然后对外延衬底进行热处理，使微气泡结构生长...
    2026-05-14
  • 一种晶圆划片方法及相关装置
    一种晶圆划片方法及相关装置_本源天工(郑州)量子科技有限公司_202411549077.4
    本申请公开了一种晶圆划片方法及装置，属于超导量子芯片制造领域。晶圆划片方法包括：建立晶圆的结构模型；对所述结构模型仿真，获得晶圆发生碎裂时的受力阈值；以及，根据所述受力阈值控制划片机施加到晶圆的载荷以对晶圆进行切割。使用以上方法对晶圆予以划...
    2026-05-14
  • 晶圆切割方法
    晶圆切割方法_英伟芯(上海)科技有限公司_202610225787.4
    本申请公开了一种晶圆切割方法，包括以下步骤：在晶圆正面形成保护层；去除所述保护层中对应于所述晶圆的划线道的部分，使所述划线道裸露；在所述晶圆的边缘的划线道上沿所述晶圆固有的解理面进行物理切割，物理切割的尺寸远小于所述晶圆的直径；沿所述划线道...
    2026-05-14
  • 一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置
    一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202512012667.4
    本申请提供了一种硅片缺陷处理方法，用于处理硅片的延迟性水渍缺陷。该硅片缺陷处理方法包括：对具有二氧化硅抛光表面的硅片执行湿法清洗；在湿法清洗之后，将所述二氧化硅抛光表面与表面处理液接触，以在二氧化硅抛光表面形成自组装单分子层。其中，表面处理...
    2026-05-14
  • 一种惰性气氛保护装置及激光退火设备
    一种惰性气氛保护装置及激光退火设备_上海芯上微装科技股份有限公司_202411548296.0
    本发明提供了一种惰性气氛保护装置及激光退火设备，惰性气氛保护装置包括主体部；主体部上设有主腔体和沿其轴向间隔排布的多个匀流结构，匀流结构包括沿主腔体的周向依次排布、且与主腔体连通的多个吹扫口；至少一个匀流结构为第一类匀流结构；同一个第一类匀...
    2026-05-14
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