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  • 本申请提供了一种光伏组件电池串排版校正系统,包括:输送定位模块,用于接收并输送电池片,并在输送过程中对电池片施加定位约束;闭环校正模块,用于对输送定位模块输送来的电池片进行图像采集,并基于采集到的图像信息驱动执行机构对电池片的位置和姿态进行...
  • 本发明涉及电池技术领域,且本发明公开了一种电池背面分区制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:在隧穿氧化层钝化接触的电池结构中,对背面多晶硅层进行分区厚度控制,使得金属电极接触区域下方的多晶硅层保持第一厚度,而非电极接触区域的多晶硅层被减薄至第...
  • 本发明公开了一种二氧化硫脲‑纳米硒溶胶阴离子源前体溶液制备方法,制备步骤:将硒的无机盐和分散剂加入去离子水完全溶解后制成硒盐溶液,将还原溶液逐渐加入到硒盐溶液中,制成纳米硒溶胶;将二氧化硫脲溶液逐渐加入到纳米硒溶胶中,搅拌后得到TD‑Se混...
  • 本发明公开了一种电极的制备方法、电池片及光伏组件,电极的制备方法包括如下步骤:在基底层上制备复合种子层,其中复合种子层包括邻近基底层的镍层以及形成在镍层上的第一铜层;在复合种子层远离基底层的一侧制备厚度为1μm~2μm的第二铜层。根据本发明...
  • 本发明涉及光伏电池领域,具体公开了一种太阳能电池及其制备方法、电池组件及光伏系统。其中,太阳能电池的制备方法包括:在硅基底的第一表面依次形成第一初始隧穿层、第一初始扩散阻挡层和第一半导体层、第一金属纳米颗粒,然后在腐蚀液中腐蚀,将第一金属纳...
  • 本申请涉及一种电池片湿热测试方法及其设备,电池片湿热测试方法包括对裸电池片进行焊接和分割以获取待测电池片;将待测电池片置于环境箱中进行湿热测试;获取湿热测试后的待测电池片的接触电阻;根据接触电阻获取待测电池片的湿热测试结果。本申请中直接对锂...
  • 本发明公开了一种提高图像传感器的光学性能的实现方法,包括:提供衬底;刻蚀所述衬底正面,形成沟槽;至少在所述沟槽底部填充低折射率的第一介质层;对所述衬底背面减薄至暴露出所述沟槽内低折射率的第一介质层的部分或全部,形成分光结构,以提高所述图像传...
  • 本发明提供一种集成应力记忆技术的CMOS图像传感器形成方法。该方法包括:在已完成源漏注入的衬底表面沉积第一氧化层和应力介质层;保留N型逻辑区域的应力介质层并去除其他区域;进行快速热退火产生应力记忆效应后去除剩余层;沉积第二氧化层和氮化层;通...
  • 本发明提供一种图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备,属于图像传感器技术领域,包括:光电二极管;硅基晶体管单元,用于将光电二极管产生的电荷转化为像素信号;碳纳米管晶体管,分别与光电二极管和硅基晶体管单元电连接,用于控制从光电二...
  • 本发明提供一种具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素,所述图像传感器包括多个像素及形成在像素之间的多个深沟渠隔离件。深沟渠隔离件包括多个背侧深沟渠隔离件和多个前侧深沟渠隔离件,背侧深沟渠隔离件从衬底的背面延伸并从外部围绕相应的像素的光电二极管和...
  • 本发明涉及硅探测器技术领域,具体公开了一种硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列,其中硅漂移探测器,包括:基体、六边形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链;基体的底层整面为阴极,且覆盖有第一电极接触层;六边形阳极位于基体的顶层中心,且覆盖...
  • 本发明涉及光电技术领域,具体涉及双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法。本发明中,传感器中的铁电层利用体光伏效应和铁电性,可实现静态灰度成像;同时,铁电层与各向异性光敏层形成的范德华异质结,在偏振光照射下通过电荷重组‑捕获动力学...
  • 本公开实施例提供了一种单光子雪崩二极管及其制造方法。其中,单光子雪崩二极管器件包括:依次堆叠的感光吸收层和光路层,所述光路层设置于所述感光吸收层的进光侧;所述光路层,用于透过入射光,且所述光路层对入射光中目标波段的光子的透过率大于对非目标波...
  • 本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统,第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁,第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区,而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪...
  • 本发明公开了一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用,通过金属层/Ga2O3肖特基结与Ga2O3/ZnO异质结接触的非对称接触工程与缺陷介导的光电导效应,制备了对二端电压(>6 V)信号与深紫外(255 n...
  • 本申请涉及光电探测器件领域,公开了CuI、α‑Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法,包括:首先通过水热反应及高温退火工艺在FTO基底上生长结晶性良好的α‑Ga2O3纳米柱阵列;随后将CuI粉末分散于二丙基硫醚与氯苯的特定比例混合溶...
  • 本发明涉及一种光电探测器及其制作方法和光谱仪,所述光电探测器包括:P型半导体衬底,所述P型半导体衬底用于在被测光的作用下产生电子‑空穴对;宽禁带氧化物层,宽禁带氧化物层覆盖在所述P型半导体衬底表面,厚度为1‑20nm,且宽禁带氧化物层的价带...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:多个电池串包括:沿第一方向排布的多个电池片,电池片包括:第一栅线及第二栅线,沿第一方向相邻的两个电池串中最靠近相邻电池串的电池片为第一边缘电池片;第一导电层,第一导电层包括沿第一方向延伸且沿第二方...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:沿第一方向排布的第一电池单元和第二电池单元;电连接件,电连接件沿第一方向延伸,电连接件与第一电池单元以及第二电池单元电性连接;隔离层,隔离层位于电连接件与第一电池单元之间,且位于电连接件与第二电池...
  • 本申请提供了一种光伏组件,每个串组包括若干并联的电池串,若干串组相互串联,串组包括至少一个中间串组以及位于若干串组的两端的两个端部串组,至少部分相邻串组之间通过第一汇流件串联,两个端部串组的端部设置有至少一条第二汇流件,第一电连接件电性连接...
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