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  • 本发明涉及氮化镓半导体技术领域,且公开了具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用,括MOS元胞组成的碳化硅器件,和GaN结构组成的氮化镓器件,其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面;所述MOS元胞包括半导体外延层、MOS源...
  • 一种显示装置,包括基板,所述基板包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括第一子像素和透射部,所述第二区域包括第二子像素。第一区域中的第一晶体管包括氧化物半导体有源层、栅极电极以及第一和第二源‑漏电极。设置在第一区域中的第二晶体管包括氧化物半...
  • 本申请涉及一种显示面板及显示装置,包括衬底;驱动电路层,位于所述衬底的一侧,所述驱动电路层包括像素电路、第一导电结构、多个第一有源结构;其中,所述像素电路包括多个驱动晶体管,一所述驱动晶体管用于驱动一发光元件发光;所述第一导电结构在所述衬底...
  • 本发明公开一种半导体布局图案以及其制作方法,其中该半导体布局图案包含一基底,基底上有两个内容可寻址存储器(Content Addressable Memory, CAM)单元排列于一对称轴的两侧,以及一第一匹配线(matching line...
  • 本申请提供一种ESD器件,包括:衬底、多个呈蛇形的主体多晶硅层、位于主体多晶硅层底部的阱区以及各主体多晶硅层两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区,本申请通过将衬底上的主体多晶硅层设置为蛇形,在保留原有的横向PN结面积的同时,增加了蛇形弯角(各个...
  • 本申请提供一种低压SCR器件,包括:衬底、第一阱区、第二阱区、至少一个第一PN结单元、至少一个第二PN结单元、多个浅沟槽隔离结构以及第三PN结单元和一第一重掺杂区,其中,第三PN结单元和第一重掺杂区分别位于第一阱区和第二阱区中并且位于第一P...
  • 本发明公开了一种MOS结构的ESD器件,位于P阱中,包含位于中心的漏区,以及位于漏区两侧对称排布的源区;所述源区与漏区之间的半导体衬底或外延层表面具有栅极结构;在俯视平面上,在重掺杂的漏区的两端各有一个独立的重掺杂P型注入区;所述的重掺杂P...
  • 本申请实施例提供了一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件,包括:从器件正面到背面的第一SCR结构和从背面到正面的第二SCR结构;在所述第一SCR结构和第二SCR结构之间设置有第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,形成一双向低容纵向结构SCR...
  • 本申请涉及一种叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置,叠层太阳能电池包括层叠设置的第一电池部、复合层和第二电池部,复合层位于第一电池部和第二电池部之间,复合层包括绝缘多孔层和导电颗粒,绝缘多孔层具有连通第一电池部和第...
  • 本发明公开了一种高电压1064nm InGaAs激光电池,所述激光电池的外延结构包括衬底,以及依次设置在衬底上的GaAs缓冲层、AlGaAs隧穿结、AlGaInAs渐变层、N‑1结GaInAs子电池、第N‑1层GaInP窗口层、第N结GaI...
  • 本发明公开了一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法,太阳电池的外沿结构包括砷化镓衬底,以及设置在砷化镓衬底上的三层GaAs缓冲层、三层GaInP阻挡层、三层GaAs帽层、三层AlGaInP顶电池、第一遂穿结、三层 ...
  • 本发明公开了一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法,外沿结构包括衬底,以及依次设置在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、N层GaInP阻挡渐变层、下帽层、GaInP窗口层、GaInAs接触层、N结GaInAs子电池和上帽层,相邻的两...
  • 本发明公开了一种三端五结太阳电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域,包括自上而下设置的AlGaInP子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、横向传导层、第一渐变缓冲层、GaInAs子电池、第四隧穿结...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触电池包括基底,基底的第一面包括交替排布的第一区、第三区和第二区,第一区至少覆盖有隧穿氧化层和N型多晶硅层,第二区至少覆盖有P型缓变掺杂非晶硅层,第三区覆盖有...
  • 本发明公开了一种碲化镉与晶硅叠层BIPV组件,包括依次叠置的背板、第一封装层、晶硅芯片层、碲化镉芯片层、第二封装层、前板,其中,前板包括基层,基层设置于第二封装层背离碲化镉芯片层的一侧面,基层背离第二封装层的一侧面均匀阵列有多个纳米棱台,纳...
  • 本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种全黑背接触电池及其制备方法和应用。所述的全黑背接触电池,由下至上依次包括:层叠设置的黑色边框、黑色背板、背接触电池片层、黑色钝化抗反射层、黑色封装胶膜层、减反射涂层和透明盖板;其中,所述黑色钝化抗反...
  • 本发明公开一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法。绝缘结构包括:双侧具有胶粘性且包括第一部分和第二部分的绝缘粘固层;设置在绝缘粘固层的第二部分的至少一部分的一侧的附加绝缘层;其中,第一部分的一部分可翻折至附加绝缘层的上方使得附加绝...
  • 本发明公开一种电池串组件及其制作方法,涉及光伏组件技术领域。该电池串组件包括电池串、汇流条、第一绝缘缓冲层和第二绝缘缓冲层;焊带包括电气连接在电池片背面的连接焊带以及朝向电池片的背面翻折的翻折焊带,多个翻折焊带沿着汇流条的长度方向排列;第一...
  • 本申请提供了一种光伏组件,每个串组包括若干并联的电池串,若干串组相互串联,串组包括至少一个中间串组以及位于若干串组的两端的两个端部串组,至少部分相邻串组之间通过第一汇流件串联,两个端部串组的端部设置有至少一条第二汇流件,第一电连接件电性连接...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:沿第一方向排布的第一电池单元和第二电池单元;电连接件,电连接件沿第一方向延伸,电连接件与第一电池单元以及第二电池单元电性连接;隔离层,隔离层位于电连接件与第一电池单元之间,且位于电连接件与第二电池...
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