Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种静电吸盘基座及其焊接方法
    一种静电吸盘基座及其焊接方法_浙江先导精密机械有限公司_202512042464.X
    本发明公开了一种静电吸盘基座及其焊接方法，静电吸盘基座包括：基座本体，设有开口朝上的腔体，腔体底部设有呈涡旋状的导板，导板和腔体之间形成涡旋状的冷却槽，导板上端面设有沿导板长度方向延伸的焊片槽；盖板，盖设在导板上与冷却槽之间形成冷却流道，位...
    2026-05-09
  • 承载装置
    承载装置_飞测思凯浦(上海)半导体科技有限公司_202610049118.6
    一种承载装置，包括承载盘、第一升降件、第二升降件、第三升降件、驱动组件和压边组件；第一升降件、第二升降件和第三升降件分别设置于承载盘中，压边组件设置于承载盘的周侧，驱动组件用于选择性驱动第一升降件、第二升降件和第三升降件相对承载盘升降，以使...
    2026-05-09
  • 一种兼容式真空吸附热盘
    一种兼容式真空吸附热盘_浙江先导热电科技股份有限公司_202511689737.3
    本发明公开了一种兼容式真空吸附热盘，包括盘体和真空吸附系统，所述的真空吸附系统包括设置在盘体上的若干真空吸附气道和与若干真空吸附气道连通的抽真空装置，在所述的真空吸附气道上设置有实现真空吸附气道开闭的真空吸附气道开闭调节件。该兼容式真空吸附...
    2026-05-09
  • 一种真空吸盘及晶圆加工设备
    一种真空吸盘及晶圆加工设备_北京华卓精科科技股份有限公司_202511911431.8
    本申请公开了一种真空吸盘及晶圆加工设备。真空吸盘设置于晶圆加工装置上，晶圆加工装置包括连接平台，第一负压端口设置于连接平台，真空吸盘包括吸盘主体和支撑结构，吸盘主体包括第一端面、第二端面、吸附槽以及吸附孔，第一端面和第二端面沿第一方向相背设...
    2026-05-09
  • 晶圆吸附载盘
    晶圆吸附载盘_研微(江苏)半导体科技有限公司_202610206792.0
    本申请提供了一种晶圆吸附载盘，包括：第一盘体，设置有相互独立的第一气道和第二气道，所述第一气道位于所述第一盘体中心的径向端部设有第一抽气孔；所述第二气道沿所述第一盘体的周向延伸，并且所述第二气道中设有多个第二抽气孔，所述第二气道在径向上位于...
    2026-05-09
  • 半导体芯片及其制备方法
    半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511919919.5
    本公开提供了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体器件领域。该半导体芯片包括：外延层、钝化层和切割道反光层；外延层具有隔离沟槽；钝化层覆盖在外延层的一侧，并填充隔离沟槽；切割道反光层覆盖在钝化层的一侧且对应隔离沟槽的位置。本公开能够有效的提...
    2026-05-09
  • 包括键合焊盘的半导体器件以及测量键合焊盘的接触电阻的方法
    包括键合焊盘的半导体器件以及测量键合焊盘的接触电阻的方法_爱思开海力士有限公司_202511472519.4
    本申请涉及包括键合焊盘的半导体器件以及测量键合焊盘的接触电阻的方法。一种半导体器件，包括：第一测试图案，其中第一上测试焊盘、第一上测试接触件和连接第一上测试接触件的第一上导电层依次连接；第二测试图案，其中第二下测试焊盘、第二下测试接触件和连...
    2026-05-09
  • 用于样品处理和样品修复的装置和方法中的改进的样品损坏避免
    用于样品处理和样品修复的装置和方法中的改进的样品损坏避免_卡尔蔡司SMT有限责任公司_202511601102.3
    一种用于与样品有关的电位确定的方法，包括：将探针定位在样品上方；施加各自来自第一范围的至少第一DC电压偏移和第二DC电压偏移；向探针施加AC电压，以引起探针的机械振荡；确定针对第一DC电压偏移的探针的第一感应偏转和针对第二DC电压偏移的探针...
    2026-05-09
  • 一种离子注入深度测量方法和装置
    一种离子注入深度测量方法和装置_西湖大学_202511900984.3
    本申请提供一种离子注入深度测量方法和装置，属于半导体制造领域。本申请提供的方法包括：确定第一时长；根据第一时长确定第一刻蚀时长和第二刻蚀时长；进行第二刻蚀时长的刻蚀，并确定介质层的第一刻蚀速率；进行第一刻蚀时长和第二刻蚀时长的刻蚀，确定介质...
    2026-05-09
  • 焊料厚度确定方法、装置、电子设备、芯片和存储介质
    焊料厚度确定方法、装置、电子设备、芯片和存储介质_小米汽车科技有限公司_202512061355.2
    本公开关于一种焊料厚度确定方法、装置、电子设备、芯片和存储介质，属于半导体技术领域。其中，该方法包括：确定功率半导体的目标封装类型，根据目标封装类型，确定功率半导体中具有固定高度的组成结构的厚度信息，确定功率半导体的目标高度，其中，目标高度...
    2026-05-09
  • 晶圆翘曲的预测方法、装置、设备及存储介质
    晶圆翘曲的预测方法、装置、设备及存储介质_湖北江城实验室_202610097109.4
    本申请提供了一种晶圆翘曲的预测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：确定待预测晶圆的有限元翘曲预测模型，其中，所述待预测晶圆上布设有至少一个金属互连层；对于所述至少一个金属互连层中任一金属互连层，获得所述金属互连层的等效内应力；根据每一金...
    2026-05-09
  • 一种Mini LED测试方法、系统及计算机
    一种Mini LED测试方法、系统及计算机_江西耀驰科技有限公司_202610187757.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种Mini LED测试方法、系统及计算机，包括：获取晶圆外圈阈值、第一正向电压区间及第二正向电压区间；通过探针组测试晶圆，以获得若干个电压测试数据及若干个晶粒坐标；基于晶圆外圈阈值及若干个晶粒坐标，以选定若干...
    2026-05-09
  • 晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统
    晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统_广州增芯科技有限公司_202610210417.3
    本申请提供一种晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统，涉及半导体测试技术领域。该方法包括获取待测试晶圆的测试结构坐标文件；测试结构坐标文件包括：待测试晶圆上多个测试结构的标识字符以及标识位置，标识位置为标识字符在对应测试结构上的位...
    2026-05-09
  • 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件
    半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610460537.9
    本申请实施例公开了一种半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件，该方法包括：测试半导体器件中的晶体管的关断态漏极电流的第一测试值；对半导体器件中的晶体管施加热载流子注入应力，以激发浅沟槽隔离结构中内衬层的瞬时电子缺陷；测试半导体器件中的晶体管的...
    2026-05-09
  • 一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法
    一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法_安徽微半半导体科技有限公司_202311838421.7
    本发明公开了一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法，包括以下步骤：步骤一、取至少两片硅片本体为一组，并将其中至少一片所述硅片本体进行氧化；步骤二、先将各片所述硅片本体进行处理清洗，再将各片所述硅片本体依次堆叠并键合成为结合硅片；相邻的两片所述...
    2026-05-09
  • 一种晶圆加热盘
    一种晶圆加热盘_浙江先导热电科技股份有限公司_202511845178.0
    本发明公开了一种晶圆加热盘，包括有环形导热板，所述环形导热板包括有加热底板和加热侧板，所述加热底板和加热侧板之间形成有能够容纳圆晶的加热腔，所述加热底板上设置有底部安装槽，所述底部安装槽内设置有底部电热丝，所述加热侧板上设置有螺旋槽，所述螺...
    2026-05-09
  • 半导体结构形成方法及半导体结构
    半导体结构形成方法及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202610037065.6
    一种半导体结构形成方法及半导体结构，形成半导体结构的方法包含蚀刻至少一导电结构以形成将导电结构分隔成较短部位的开口，以及对开口的上方部位施用至少一钝化处理。方法也可包含形成比氮化硅具有较低固定电荷浓度的非保形材料层。于部分实施方式中，非保形...
    2026-05-09
  • 半导体结构的制备方法和半导体结构
    半导体结构的制备方法和半导体结构_广州增芯科技有限公司_202610181787.9
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制造方法技术领域，该方法首先在衬底上制备浅沟槽结构。然后在氮化物层的表面沉积形成隔离层，隔离层在与浅沟槽结构对应的位置形成有凹陷部。再在隔离层的表面沉积形成硬质掩模层。然后第一次研...
    2026-05-09
  • 一种互连结构及其制备方法
    一种互连结构及其制备方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443737.3
    本申请公开了一种互连结构及其制备方法，包括：在衬底上形成位于第一介电层中的第一金属层；在第一介电层上形成低介电常数材料的第二介电层，在第二介电层上形成连接第一金属层的通孔；使用气相自组装工艺，在通孔底部的第一金属层上形成单分子层的有机疏水层...
    2026-05-09
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610466026.8
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供金属互联半成品器件，包括第一介质层、设置于第一介质层内及表面的金属层，以及隔离金属层与第一介质层的阻挡层；以阻挡层为停止层，对金属层进行第一平坦化处理；在...
    2026-05-09
首页 上一页 4 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证