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塑料加工应用技术
  • 一种喷码设备用喷头防护装置
    一种喷码设备用喷头防护装置_赛克华石标识技术(上海)有限公司_202610324469.3
    本申请公开了一种喷码设备用喷头防护装置，涉及喷印喷码设备的技术领域，其包括外壳和防护罩，防护罩转动安装在外壳上；外壳内安装有线路板，线路板上安装有霍尔开关，霍尔开关位于外壳靠近防护罩的一侧，霍尔开关与线路板的电源控制电路电连接，线路板用于将...
    2026-04-29
  • 单晶生长方法及设备
    单晶生长方法及设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610345729.5
    本发明提供了一种单晶生长方法及设备，属于半导体制造技术领域。单晶生长方法包括：基于第一温度传感器和第二温度传感器测量的温度值输出第一异常信号；将采集的预设时长的晶棒的直径、图像信息和温度值输入预先训练的深度学习模型，在满足预设条件时，输出第...
    2026-04-29
  • 一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉
    一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346716.X
    本公开提供了一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉，该方法应用于晶棒的放肩阶段和转肩阶段，包括：在所述转肩阶段，根据晶棒生长界面的图像数据，提取晶棒的当前直径值以及反映固液界面生长状态的光圈特征值；根据当前直径值在时间维度上的直径变化量，...
    2026-04-29
  • 基于压力感应与延时触发的老人起身安全磁吸报警系统
    基于压力感应与延时触发的老人起身安全磁吸报警系统_武汉市汉口医院_202610159177.9
    本发明提供基于压力感应与延时触发的老人起身安全磁吸报警系统，涉及监控报警技术领域，包括编号处理模块，获取被监护人员的轨迹；活动状态侦测与阈值比对模块，设定初始延时触发周期，输出该独立区域是否触发重置报警的判定结果；报警状态重置更新模块；空间...
    2026-04-29
  • 射频性能测试方法、装置、电子设备和可读存储介质
    射频性能测试方法、装置、电子设备和可读存储介质_珠海市杰理科技股份有限公司_202610026142.8
    本申请涉及一种射频性能测试方法、装置、电子设备和可读存储介质。所述方法包括：获取待测试芯片对应的测试结果滑动窗；根据所述测试结果滑动窗，得到位于所述待测试芯片之前的多个已测试芯片的载噪比测试结果；根据所述多个已测试芯片的载噪比测试结果，确定...
    2026-04-29
  • 一种用于反应釜加热的电蒸汽发生器
    一种用于反应釜加热的电蒸汽发生器_江苏长诺运动场地新材料有限公司_202520804364.9
    本实用新型涉及蒸汽发生设备技术领域，公开了一种用于反应釜加热的电蒸汽发生器，包括底座，所述底座的顶部固定连接有电蒸器，所述电蒸器的外表一侧设置有输送机构，所述输送机构的外部另一侧固定连接有混合釜，所述混合釜的内部固定连接有过滤机构，所述过滤...
    2026-04-29
  • 一种铝合金等温锻造模具的加热保温装置
    一种铝合金等温锻造模具的加热保温装置_宁波嘉恒智能科技有限公司_202520046884.8
    本实用新型公开了一种铝合金等温锻造模具的加热保温装置，包括下模块，及设置在下模块顶部的上模块，所述上模块的顶部设置有对上模块进行隔热的上模隔热垫板，所述下模块的底部设置有对下模块进行隔热的隔热板，本实用新型为了提高热平衡的速度和效率，选择性...
    2026-04-29
  • 一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法
    一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法_江西科技师范大学_202610054818.4
    本发明公开一种惰性气体分压的氮化镓晶体生长方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明包括(1)在氮气和惰性气体的混合气氛环境中，对GaN单晶生长原料进行加热，保持温度以及混合气氛气压至GaN籽晶生长完成形成GaN晶体；(2)待所述GaN晶体降...
    2026-04-29
  • 一种井下液压式柔性磨鞋结构
    一种井下液压式柔性磨鞋结构_贵州高峰石油机械股份有限公司_202521273654.1
    本实用新型公开了一种井下液压式柔性磨鞋结构，磨铣头与顶部接头活动套接在一起，磨铣头与顶部接头活动套接处设置有扭矩传递机构，扭矩传递机构上设置有液体流通孔，磨铣头外周与顶部接头内孔相邻台阶面之间形成一个活塞安装腔室，液体流通孔两端分别与活塞安...
    2026-04-29
  • 一种电梯轿厢结构
    一种电梯轿厢结构_浙江富士美电梯有限公司_202521156713.7
    本实用新型提供一种电梯轿厢结构，涉及电梯加工技术领域，该电梯轿厢结构包括背板、贯流风扇、导向杆、底座、横板、通槽，横板的两端分别设置有套筒，套筒与导向杆滑动连接，套筒的下端安装有胶套，导向杆上的胶套始终处于扩张状态，两个套筒的上端设置有安装...
    2026-04-29
  • 氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底和抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法
    氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底和抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法_学校法人关西学院_202180028189.3
    本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制在AlN层中产生裂纹的新颖技术。本发明是一种AlN衬底的制造方法，包括：降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S20)。...
    2026-04-29
  • 标签打印机及其标签纸定位方法
    标签打印机及其标签纸定位方法_中山宝丽图电子技术有限公司_202610148752.5
    本发明提供一种标签打印机及其标签纸定位方法，该方法包括如下步骤：标签打印机的光电检测模块发射和接收光信号，当包括标签纸上的打印标签在内的非检测标记区域经过光电检测模块所在位置时，光电检测模块输出第一电平信号，当标签纸上的检测标记经过光电检测...
    2026-04-29
  • 一种抗逆防病型叶面肥料生产用混合一体化装置
    一种抗逆防病型叶面肥料生产用混合一体化装置_郑州阿波罗肥业有限公司_202520994317.5
    本实用新型公开了一种抗逆防病型叶面肥料生产用混合一体化装置，包括混合箱，所述混合箱的下端设置有漏斗型下料口，还包括支撑架和过滤桶，所述支撑架上滑动设置有滑动架，所述滑动架的两端均设置有过滤桶；所述混合箱的下方设置有支撑架，所述支撑架的下方对...
    2026-04-29
  • 一种防止沉淀的化学制药混合配液装置
    一种防止沉淀的化学制药混合配液装置_辽宁科技学院_202520755967.4
    本实用新型涉及化学制药混合配液技术领域，且公开了一种防止沉淀的化学制药混合配液装置，包括一个横向水平分布的混液罐，混液罐具体安装于一个U型支座顶端之间，U型支座的左侧安装有一探入混液罐内部的L型托架，L型托架下边由左至右均匀安装有若干个混液...
    2026-04-29
  • 大调整量无砟道床及其施工方法
    大调整量无砟道床及其施工方法_中铁第一勘察设计院集团有限公司_202311157341.5
    本发明涉及一种大调整量无砟道床及其施工方法。现有无砟轨道浇筑成型后，当基础变形量超过扣件调整能力时，需要通过仰拱切割、揭板扩槽、掏土迫降等特殊手段进行调整。本发明包括预制轨道板、细石混凝土调整层和调整块；预制轨道板的中部设置有竖向的开孔，细...
    2026-04-29
  • 一种嵌入式轨道整体道床施工方法
    一种嵌入式轨道整体道床施工方法_中铁三局集团有限公司_202510541929.3
    本发明公开了一种嵌入式轨道整体道床施工方法，包含以下步骤：S1、确定基准轨；S2、组装可拆卸式承轨槽排架；S3、吊装运输；S4、浇筑前施工准备；S5、混凝土浇筑；S6、拆除可拆卸式承轨槽排架；S7、安装临时运输通道及下一段浇筑；S8、拆卸临...
    2026-04-29
  • 一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉
    一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉_广东晶智光电科技有限公司_202610135146.X
    本发明属于半导体材料领域，具体公开了一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉。所述扩径方法包括：将碲化镉籽晶装入石英管，碲化镉多晶围置于籽晶旁，密封石英管并保持二者位置固定；加热石英管使籽晶边缘、多晶全部融化，待单晶炉冷却至室温后，破...
    2026-04-29
  • 一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法
    一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法_芜湖予秦半导体科技有限公司_202311622225.6
    本发明公开了一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法，具体涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括提拉组件，所述提拉组件包括固定盒，且固定盒的内部转动安装有升降齿轮，所述升降齿轮的一侧啮合有升降齿条，且升降齿条的底部固定连接有固定架，所述固定盒的内部安装...
    2026-04-29
  • 一种连续碳化硅材料制造设备传输系统
    一种连续碳化硅材料制造设备传输系统_苏州精材半导体科技有限公司_202512047743.5
    本发明涉及一种连续碳化硅材料制造设备传输系统，包括：底座，顶部设有装配腔；转动件，一部分设于所述装配腔内，转动件可转动地设于底座上；转动件的顶部具有可供放置反应箱的处理工位，多个处理工位围绕转动件的轴线均匀布设；多个处理模块，设于所述转动件...
    2026-04-29
  • 一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用
    一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用_广东工业大学_202610387402.4
    本发明涉及二维层状材料制备技术领域，具体涉及一种二维二硒化锡晶体及其制备方法与应用。本发明提供了一种二维二硒化锡晶体的制备方法，在单温区管式炉内部，按照气流方向依次放置硒源、锡源和空白衬底，调节进气口法兰的轴向方向相对于单温区管式炉的内管的...
    2026-04-29
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