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最新专利技术
  • 一种降低超薄半导体测试样品制备碎片率的方法及系统
    一种降低超薄半导体测试样品制备碎片率的方法及系统_重庆鹰谷光电股份有限公司_202610390893.8
    本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种降低超薄半导体测试样品制备碎片率的方法及系统。该方法包括：S1、样品与支撑体制备：获取待测试的超薄半导体芯片并加工形成待测样品A，同时制备厚度大于样品A的支撑体B；S2、分层粘接构建复合制样体：制备得...
    2026-05-14
  • 伽马电阻的阻值波动的监控方法
    伽马电阻的阻值波动的监控方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610475623.7
    本申请提供了一种伽马电阻的阻值波动的监控方法，属于半导体技术领域，监控方法包括：将产品晶圆投入离子注入机台执行离子注入，以预设收值频率连续获取离子注入机台的离子源组件在预设时间窗口内的多个源偏置电压，并获得预设时间窗口内的多个源偏置电压的平...
    2026-05-14
  • 电性测试结构及其测试方法
    电性测试结构及其测试方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610476299.0
    本申请涉及一种电性测试结构及其测试方法，涉及集成电路技术领域，结构包括：测试阵列，包括目标晶体管，以及环绕目标晶体管且沿测试阵列径向分布的多个外围区，被配置为，根据接收到的测试电压，输出目标晶体管和/或多个外围区生成的待测电流；选通器，与目...
    2026-05-14
  • 制造半导体装置的方法及用于涂布图案化光阻的组成物
    制造半导体装置的方法及用于涂布图案化光阻的组成物_台湾积体电路制造股份有限公司_202610042443.X
    一种制造半导体装置的方法及用于涂布图案化光阻的组成物，制造半导体装置的方法包括沉积涂布组成物在光阻层的图案化表面上并固化图案化光阻层的涂布组成物。涂布组成物包括嵌段共聚物，嵌段共聚物包括第一部分与第二部分，第一部分配置以与图案化光阻层的图案...
    2026-05-14
  • 一种半导体制造方法及半导体器件
    一种半导体制造方法及半导体器件_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411574073.1
    本申请提供一种半导体制造方法及半导体器件，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底的表面上依次形成停止层和核心材料层；图案化所述核心材料层，以形成核心层；形成覆盖所述核心层的顶部和侧壁以及所述停止层的侧墙材料层；形成覆盖所述侧墙材料层的填充层；...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511116206.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供基板和承载片，所述基板具有相背的第一表面和第二表面；将所述基板的所述第一表面与所述承载片键合；减薄所述基板的所述第二表面；在常温和高真空环境下形成金属层于所述基板的所述...
    2026-05-14
  • 一种减少大尺寸碳化硅晶片机械加工应力的方法
    一种减少大尺寸碳化硅晶片机械加工应力的方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202610200121.3
    本申请公开了一种减少大尺寸碳化硅晶片机械加工应力的方法，包括：对机械加工的碳化硅晶片进行表面活化、形成附着层、低温热处理与剥离附着层；所述形成附着层包括将活化后的碳化硅晶片的表面依次形成粘附促进层与应力缓冲附着层。本申请所制备的附着层可以被...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610500449.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成氧化物层与氮化物层，刻蚀氮化物层、氧化物层以及部分厚度的衬底形成浅沟槽，形成填满浅沟槽并覆盖氮化物层的隔离材料层；平坦化隔离材料层至在氮化物层上剩余部分厚度的隔离材料...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610502429.3
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成叠层结构，叠层结构包括层叠设置的研磨停止层和掩膜层，掩膜层位于研磨停止层远离基底的一侧；于叠层结构中形成隔离沟槽，隔离沟槽贯穿叠层结构，并延伸至基底中；于...
    2026-05-14
  • 半导体存储器结构及制备方法
    半导体存储器结构及制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610169983.4
    本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法，能够消除沟槽填充多种材料层的过程中出现的凹槽，提高半导体存储器的良率。半导体存储器结构包括：衬底；位于衬底上表面的至少一个第一沟槽；第一介电层，沿第一沟槽的内壁分布；第二介电层，位于第一介电层的表面...
    2026-05-14
  • 空气桥制备方法、装置及电子设备
    空气桥制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411543564.X
    本发明公开了一种空气桥制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该空气桥制备方法中，在具有目标支撑层的衬底表面溅射溅射目标金属材料，形成由目标相态的目标金属材料构成的目标金属层，去除目标支撑层，获得由目标金属层构成的空气桥。上述空气桥...
    2026-05-14
  • 空气桥制备方法、装置及电子设备
    空气桥制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411543570.5
    本发明公开了一种空气桥制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该空气桥制备方法包括：获取初始衬底；在初始衬底的上表面形成由硬质材料构成的硬质支撑层，硬质材料的硬度大于预设硬度，预设硬度由光刻胶硬度决定；形成覆盖硬质支撑层的目标超导层...
    2026-05-14
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411670983.X
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要包含先形成第一金属间介电层于基底上以及第一金属内连线于第一金属间介电层内，然后形成一接触垫于第一金属间介电层上，形成一保护层于接触垫上，去除部分保护层并暴露接触垫，对接触垫进...
    2026-05-14
  • 互连结构制作方法及半导体结构
    互连结构制作方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443738.8
    本申请公开了一种互连结构制作方法及半导体结构，包括：在衬底上形成介电层，介电层的材料包括低介电常数材料；在介电层上形成底部连接衬底的通孔；使用亚稳态粒子激发的氮自由基，对通孔的内壁进行第一处理，以对内壁上的低介电常数材料的表面进行改性；在表...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610479111.8
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：于半导体衬底内形成多个沟槽，多个沟槽包括隔离槽与沟道槽，沟道槽的深度小于隔离槽的深度；于半导体衬底的一侧形成隔离材料层；对隔离材料层进行研磨，以去除位于沟槽之间的隔离材料...
    2026-05-14
  • 集成电路和电子设备
    集成电路和电子设备_华为技术有限公司_202411577819.4
    本申请实施例提供了一种集成电路和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，集成电路包括芯片、多个第一连接件、第一导电组和第二导电组。芯片开设有间隔设置的多个第一通孔，第一通孔贯穿芯片。第一连接件设置在第一通孔中。第一导电组和第二导电组分设在芯片...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610475642.X
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的第一表面上；掺杂氮化物基半导体层，位于外延层远离衬底的一侧，掺杂氮化物基半导体层包括位于密封环区的第一部分；至少一层介质层；至少一层互连...
    2026-05-14
  • 一种耗尽型氮化镓场效应管
    一种耗尽型氮化镓场效应管_摩驱科技(深圳)有限公司_202510120494.5
    本发明公开了一种耗尽型氮化镓场效应管，包括一组氮化镓晶体管晶圆，每个氮化镓晶体管晶圆上都布设有漏极焊盘、源极焊盘和栅极焊盘，一组氮化镓晶体管晶圆并联连接；还包括一个硅晶体管晶圆，硅晶体管晶圆与一组并联氮化镓晶体管晶圆级联连结；还包括三个或多...
    2026-05-14
  • 膜封装、包括膜封装的半导体模块和显示装置
    膜封装、包括膜封装的半导体模块和显示装置_三星电子株式会社_202510975467.6
    提供了一种膜封装、半导体模块和显示装置。半导体模块包括膜封装和连接到膜封装的第一表面的印刷电路板。膜封装包括：基膜、位于基膜的第一表面上的半导体芯片、以及位于基膜的第一表面上的第一导电图案。第一导电图案包括第一电路图案和第一虚设图案。第一虚...
    2026-05-14
  • 半导体模块和电子装置
    半导体模块和电子装置_株式会社电装_202511615157.X
    提供半导体模块和电子装置。半导体模块具备：第一半导体芯片(31)及第二半导体芯片(32)，形成有开关元件；第一热沉(21)，相对于第一半导体芯片(31)设置在第二面(1b)侧，配置有第一半导体芯片(31)；第二热沉(22)，相对于第二半导体...
    2026-05-14
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