Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明提供能够降低从批量处理部向单片处理部输送的基板的位置偏移的技术。一种基板处理系统中的基板输送位置的调整方法,该基板处理系统具备:批量处理部,一并处理多张基板;单片处理部,逐张地处理基板;基板待机部,从批量处理部向单片处理部输送的基板待...
  • 本发明公开了一种晶圆焊盘与探针阵列对准偏差校正的方法与装置,涉及晶圆测试和光学检测领域。用于解决晶圆探针卡测试中,因晶圆旋转偏差导致测试准确性下降、焊盘损伤及后续封装键合失效的问题。该方法包括:基于晶圆的曼哈顿几何特征,构建有旋转偏差时的第...
  • 本发明属于半导体设备制造技术领域,具体涉及一种具有梯度孔隙率和分段电极结构的静电吸盘及其制备方法和应用。该静电吸盘包括自下而上依次设置的基体、第一介电层和第二介电层,以及形成在所述第一介电层中的电极层,其中,所述第一介电层的孔隙率小于等于2...
  • 本发明有关一种覆晶封装机,其包括有:一载体收放装置,利用载体输送轨道将载体由放料站输送至收料站; 一芯片封装装置,设置于放料站与收料站之间,而将可升降的压合头设置于载体输送轨道上方,且将可升降的压合平台相对压合头设置于该载体输送轨道下方,压...
  • 本发明提供盘芯组件、盖体组件、热盘模块以及半导体处理设备。盘芯组件包括盘体及供气组件,所述供气组件包括内环件和外环件,两者之间形成环形出气通道,供气组件内部设有预充压腔,进气通道的出口端朝向所述预充压腔的壁面设置,以使进入的气体经壁面阻挡扩...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种金属夹具与横向局部载流子寿命控制方法,所述金属夹具包括:托槽,用于容纳所述功率器件;以及金属挡板,位于所述托槽内且所述金属挡板与所述托槽之间形成容纳空间,所述金属挡板包括阶梯挡板,其中,所述阶梯挡板中的多...
  • 本发明提供一种适用于PD阵列芯片的吸嘴装置及其维护方法,通过在吸嘴头1上设置吸附触头11,并在吸附触头11上设置避让槽111,在避让槽111中设置多个吸附孔112,所述吸附孔112同吸嘴头1以及吸附管体2中的负压通道相连通,为吸嘴头1提供吸...
  • 本发明提出一种载片台驱动装置,包括载片台和驱动组件。载片台具有第一方向,且具有用于放置晶圆的承载面,承载面垂直于第一方向;驱动组件包括第一压电陶瓷、第二压电陶瓷和支撑件,第一压电陶瓷包括相连接的第一固定部和第一驱动部,第二压电陶瓷包括相连接...
  • 一种测试结构及测试方法,结构包括:基底,所述基底包括芯片区和待测区;待测器件,位于所述待测区的基底上方;加热器件,位于所述待测区的基底上方且环绕所述待测器件,且所述加热器件和待测器件露出所述芯片区的顶部。通过设置环绕所述待测器件的加热器件,...
  • 本公开涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种键合测试结构及测试方法,键合测试结构包括:第一半导体结构,第一半导体结构具有第一键合面,第一半导体结构内具有若干相互分立的第一导电部,第一导电部暴露于第一半导体结构的第一键合面;第二半导体结构,与第...
  • 本公开的各实施例涉及包括裂纹检测器件的电子芯片。一种电子芯片,包括形成在衬底的内部和顶部上或衬底的顶部上的裂纹检测器件。该器件包括由下导电条带和上导电条带交替构成的导电路径,其中每个下条带包括与下导电条带接触的第一和第二导电通孔,分别与上条...
  • 本发明涉及半导体检测技术领域,提供晶圆晃动度检测用装置及方法。该装置包括:移动座,上端设有夹具,用于对晶圆下端进行可释放装夹,使移动座上方形成晶圆的安装空间;驱动装置,连接移动座,驱动其作水平直线往复移动;安装架,由固接于移动座的连接杆和固...
  • 本申请提供一种用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件,半导体器件包括晶圆,晶圆上设置有多个芯片,在每个芯片的外围设置有划片区,测试焊盘结构设置在划片区中,测试焊盘结构包括:焊盘主体,焊盘主体中设有沿焊盘主体所在的划片区的长度方向延伸的...
  • 本发明属于光电电池技术领域,公开了一种CdTe发电玻璃窗口层CdSe膜厚确认方法及CdTe发电玻璃制备方法,制备方法包括:确定具有CdSe窗口层的CdTe发电玻璃作为待测单元,对其进行IV测试,获得第一测试结果;对待测单元进行CdSe膜厚测...
  • 一种具备多压块的半导体封装构件压测模块被揭露,具备多压块的半导体封装构件压测模块包含基座以及多个活动压块;基座包括内部腔室及多个开口槽,开口槽连通至内部腔室;活动压块容置于基座的开口槽,活动压块对应于半导体封装构件上的不同区域,响应于内部腔...
  • 本申请提供一种检测寄生电容的方法、系统、设备以及晶体管的制备方法,该方法包括:提供第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;其中,第一晶体管中包括正面源漏金属,第一晶体管的背面源漏接触区域被绝缘介质填充;第二晶体管中包括背面源漏金属,第二晶体管的...
  • 本申请提供一种检测寄生电阻的方法、系统、设备以及晶体管的制备方法。该方法包括:提供一待测器件;待测器件中的每个晶体管包括相对设置的正面源漏金属和背面源漏金属;在相邻的两个正面源漏金属之间施加激励电流,并测量产生的底部沟道电压值;在相邻的两个...
  • 本申请提供一种基于多变量的半导体诊断方法、装置、设备和存储介质,本申请中的半导体诊断方法包括:响应针对目标制造系统的异常检测请求,获取所述目标制造系统中各目标传感器分组的分组过程变量;对所述分组过程变量进行特征提取,得到所述分组过程变量对应...
  • 本发明提供一种准确测量半导体层中掺杂元素分布的方法,包括:提供衬底,于衬底上形成具有掺杂元素的掺杂半导体硅层,其中,掺杂元素包括硼和磷中的至少一种;于掺杂半导体硅层上形成阻挡层,阻挡层以阻挡掺杂半导体硅层的表面被氧化形成氧化硅层,其中,形成...
  • 本申请涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种降低超薄半导体测试样品制备碎片率的方法及系统。该方法包括:S1、样品与支撑体制备:获取待测试的超薄半导体芯片并加工形成待测样品A,同时制备厚度大于样品A的支撑体B;S2、分层粘接构建复合制样体:制备得...
技术分类