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最新专利技术
  • 一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法
    一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法_厦门大学_202610199623.9
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法。本发明将金刚石作为绝缘层纳入中介层的结构中，能够在确保绝缘功能的前提下，增强中介层的整体散热性能，防止局部热点形成及其对芯片造成的相应电学、物理损伤；并...
    2026-05-09
  • 石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法
    石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法_广东一纳科技有限公司_202511969225.2
    本公开提供一种石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法，上述的制备方法包括如下步骤：将石墨烯材料与相变材料混合，制备石墨烯相变基体。在石墨烯相变基体内加工形成微流道结构；将聚酰胺酸前驱体沉积在石墨烯相变基体的表面，获得聚酰胺酸前驱...
    2026-05-09
  • 一种二合一功率半导体器件
    一种二合一功率半导体器件_爱微(江苏)电力电子有限公司_202610122091.9
    本发明提供了一种二合一功率半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括基板、晶圆、塑封体、多个功率引脚、多个信号引脚及散热板，晶圆设置在基板上表面，功率引脚和信号引脚均与基板及晶圆电连接，塑封体封装基板及晶圆，散热板设置在基板下表面，散热板内设...
    2026-05-09
  • 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用
    一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用_江苏博睿光电股份有限公司_202512055821.6
    本申请公开了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用。本申请的氮化铝陶瓷基板包括基板主体，所述基板主体为相对密度≥98.5%的氮化铝陶瓷；所述基板主体内部设有至少一组微通道，所述微通道平行于所述基板主体；且所述微通道具有工质入口和工质出口；所述...
    2026-05-09
  • 一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统
    一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统_中航光电科技股份有限公司_202610401179.4
    本发明涉及一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统，属于电子设备散热技术领域，本发明包括底板、盖板、进液口和出液口，所述底板与盖板之间密封连接且形成内部腔体，所述内部腔体内设有若干列散热肋，若干列所述散热肋沿进液口到出液口的工质流动方向呈...
    2026-05-09
  • 一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法
    一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511854767.5
    本申请实施例提供一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法，涉及半导体先进封装技术领域，其包括金属基板，所述金属基板上表面覆盖有高导热绝缘膜，所述高导热绝缘膜上表面覆盖有金属化种子层，所述金属化种子层上表面覆盖有若干层布线结构，所述...
    2026-05-09
  • 一种驱动IC布线结构的制备方法
    一种驱动IC布线结构的制备方法_元旭半导体科技(无锡)有限公司_202610301715.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种驱动IC布线结构的制备方法，该制备方法包括：提供一驱动IC的预制件，预制件包括基板、分布于基板的驱动电路及第三焊盘，采用半导体工艺，在基板的正面制备第一焊盘，第一焊盘的一端用于与像素单元中发光体的电极倒位...
    2026-05-09
  • 半导体封装件
    半导体封装件_半导体元件工业有限责任公司_202511603589.9
    本申请提供了半导体封装件。一种半导体封装件可以包括半导体管芯，该半导体管芯设置在第一基板上并且在第一侧上具有至少第一接触部并且在与第一侧相对的第二侧上具有至少第二接触部。绝缘体(诸如介电材料)可以封装半导体管芯。第二基板可以设置在第一基板上...
    2026-05-09
  • 一种铝基板功率器件封装
    一种铝基板功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510486436.4
    一种铝基板功率器件封装，包括功率晶体管晶圆，功率晶体管晶圆的底面布设有铝漏极焊盘，功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘；还包括L型铝基板，L型铝基板的一侧厚度较小，功率晶体管晶圆通过铝漏极焊盘焊接于L型铝基板的厚度较小一侧的顶...
    2026-05-09
  • 一种陶瓷基板功率器件封装
    一种陶瓷基板功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510494152.X
    一种陶瓷基板功率器件封装，包括功率晶体管晶圆，功率晶体管晶圆的底面布设有漏极焊盘，功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘；还包括承载晶圆的陶瓷基板，陶瓷基板包括顶层线路层和陶瓷基板层，陶瓷基板的顶层线路层通过蚀刻工艺，形成L型顶...
    2026-05-09
  • 封装基板和包括其的半导体封装件
    封装基板和包括其的半导体封装件_三星电子株式会社_202511524005.9
    提供了封装基板和半导体封装件。所述封装基板可以包括：基体层，所述基体层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；分布结构，所述分布结构位于所述基体层中；凸块焊盘，所述凸块焊盘连接到所述分布结构并且位于所述基体层的所述第一表面上；连接端子，...
    2026-05-09
  • 一种芯片互连结构、芯片及芯片互连结构的制备方法
    一种芯片互连结构、芯片及芯片互连结构的制备方法_北京华封集芯电子有限公司_202512009701.2
    本申请公开了一种芯片互连结构、芯片及芯片互连结构的制备方法，芯片互连结构包括：第一裸片，具有第一功能电路以及与第一功能电路电连接的第一内部总线，第一裸片设置有第一互连接口，第一内部总线的信号线直接连接至第一互连接口；第二裸片，具有第二功能电...
    2026-05-09
  • 衬底及嵌入半导体管芯的方法
    衬底及嵌入半导体管芯的方法_半导体元件工业有限责任公司_202511559888.7
    本申请涉及衬底及嵌入半导体管芯的方法。一种衬底的具体实施可包括：半导体材料；重新分布层，该重新分布层耦合到半导体材料的第一最大平面表面；和中空通孔，该中空通孔从半导体材料的第二最大平面表面完全延伸穿过半导体材料的厚度，该中空通孔与重新分布层...
    2026-05-09
  • 一种用于射频芯粒集成系统的记忆性转接板及其制备方法
    一种用于射频芯粒集成系统的记忆性转接板及其制备方法_上海交通大学_202511752282.5
    本发明提供一种用于射频芯粒集成系统的记忆性转接板及其制备方法，制备方法包括：提供一边缘部开设有多个间隔分布的凹槽的半导体衬底，形成接地层；提供多个射频芯粒，将多个射频芯粒对应放置于多个凹槽内；形成第一重新布线层于接地层上，形成第二重新布线层...
    2026-05-09
  • 一种半导体封装结构及电路组件
    一种半导体封装结构及电路组件_上海燧原科技股份有限公司_202610158206.X
    本发明提供一种半导体封装结构及电路组件。该半导体封装结构包括基板；设置于基板一侧的叠层结构，叠层结构用于调节基板的应力；叠层结构形成至少一个空腔；设置于空腔内的半导体器件，半导体器件与叠层结构间隔设置；叠层结构包括层叠设置的第一结构和第二结...
    2026-05-09
  • 封装基板及包括该封装基板的半导体封装件
    封装基板及包括该封装基板的半导体封装件_三星电子株式会社_202511611383.0
    一种封装基板，包括：芯体，具有第一表面和在竖直方向上与第一表面相对的第二表面，第一表面和第二表面是基本上平坦的，芯体包括玻璃和在第一表面中的第一凹部；第一接合层，接触芯体的第一表面并填充第一凹部；贯通电极，在竖直方向上从第一表面延伸穿过芯体...
    2026-05-09
  • 电子部件的外延层与正侧连接主体的间隔小于50μm的封装
    电子部件的外延层与正侧连接主体的间隔小于50μm的封装_英飞凌科技股份有限公司_202511589113.4
    一种封装(100)，包括：至少部分导电的正侧连接主体(102)；以及电子部件(104)，具有外延层(118)并且与正侧连接主体(102)组装在一起，其中，外延层(118)和正侧连接主体(102)之间的距离(d)小于50μm。
    2026-05-09
  • 一种固晶设备
    一种固晶设备_微见智能封装技术(深圳)有限公司_202610058728.2
    本发明涉及固晶机技术领域，特别涉及一种固晶设备。所述固晶设备包括基座、台面组件和导轨组件，导轨组件包括固定模组和移动模组，固定模组包括平行设置于基座相对两端的第一固定导轨和第二固定导轨，移动模组包括平行设置的第一移动导轨和第二移动导轨，第一...
    2026-05-09
  • 一种可变步距并行贴装热型固晶机及其贴装方法
    一种可变步距并行贴装热型固晶机及其贴装方法_深圳市华科半导体有限公司_202610264744.7
    本发明公开了一种可变步距并行贴装热型固晶机及其贴装方法，涉及热型固晶机技术领域，其中，该热型固晶机包括机架、加热隧道炉、拨料组件和控制系统；加热隧道炉用于对引线框架进行连续加热，所述加热隧道炉的传送方向依次设置的至少两个贴装功能单元，各所述...
    2026-05-09
  • 一种应用于功率模块的PIN针及制作方法
    一种应用于功率模块的PIN针及制作方法_湖南国芯半导体科技有限公司_202610309724.7
    本发明公开了一种应用于功率模块的PIN针及制作方法，涉及功率半导体封装技术，包括：针本体，所述针本体的下端具有倾斜的侧面，且针本体的下端呈现正锥台状；衬板，包括第一层板，所述第一层板上设置有定位槽，所述定位槽的形状与针本体下端的形状适配且大...
    2026-05-09
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