Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体布局图案以及其制作方法
    半导体布局图案以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411670879.0
    本发明公开一种半导体布局图案以及其制作方法，其中该半导体布局图案包含一基底，基底上有两个内容可寻址存储器(Content Addressable Memory, CAM)单元排列于一对称轴的两侧，以及一第一匹配线(matching line...
    2026-05-14
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202610171220.3
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，包括衬底；驱动电路层，位于所述衬底的一侧，所述驱动电路层包括像素电路、第一导电结构、多个第一有源结构；其中，所述像素电路包括多个驱动晶体管，一所述驱动晶体管用于驱动一发光元件发光；所述第一导电结构在所述衬底...
    2026-05-14
  • 晶体管和包括该晶体管的显示装置
    晶体管和包括该晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511424418.X
    一种显示装置，包括基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括第一子像素和透射部，所述第二区域包括第二子像素。第一区域中的第一晶体管包括氧化物半导体有源层、栅极电极以及第一和第二源‑漏电极。设置在第一区域中的第二晶体管包括氧化物半...
    2026-05-14
  • 具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用
    具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610484523.0
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用，括MOS元胞组成的碳化硅器件，和GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；所述MOS元胞包括半导体外延层、MOS源...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511078055.9
    一种半导体装置包括：合并单元，其包括在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，并且包括第一有源图案上的第一p型晶体管和第二有源图案上的第一n型晶体管；第一半单元，其在第二方向上与合并单元相邻并且包括第三有源图案；第二半单元，其在第二方向...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510967824.4
    一种半导体器件包括：基体结构，所述基体结构在第一方向上延伸；栅电极，所述栅电极设置在所述基体结构上，在第二方向上延伸，并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述基体结构上，在第三方向上彼此间隔开，并且...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510850491.7
    一种半导体装置包括：基底，具有前表面和后表面。所述装置包括：第一晶体管，设置在基底的前表面上并且包括第一栅电极和与第一栅电极相邻设置的第一源极/漏极图案。所述装置包括：前表面虚设堆叠结构，设置在第一晶体管上并且电浮置，前表面虚设堆叠结构从下...
    2026-05-14
  • 一种镓集成电路芯片及其制备方法
    一种镓集成电路芯片及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610466640.4
    本发明公开了一种镓集成电路芯片及其制备方法，属于半导体器件集成技术领域。所述镓集成电路芯片包括由主管器件和副管器件连接构成的基础电路模块，副管器件的漏极与主管器件的栅极连接，两者源极共接；主管与副管的栅极接收反相的输入信号；当主管因相邻电路...
    2026-05-14
  • 晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法
    晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610109162.1
    本发明提供一种晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法。该器件包括具有垂直层叠结构的复合衬底，自上而下依次为半导体外延层、晶格缓冲层及化合物半导体叠层。增强型MOSFET集成于半导体外延层，耗尽型HEMT由化合物半导体叠层构成。MO...
    2026-05-14
  • 一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件
    一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件_南京邮电大学_202610209351.6
    本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件，其衬底与场板相连，并与地之间连接一个二极管，同时在漏极和二极管区域之间设置隔离区，所述二极管阳极接地、阴极接衬底。器件处于阻断状态时，隔离区阻止漏极高...
    2026-05-14
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202610116514.6
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构包括在第一方向上自下而上堆叠的第一牺牲层、第二有源结构和第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除第一牺牲层，并在第一...
    2026-05-14
  • 堆叠晶体管及其制备方法、电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、电子设备_北京大学_202610116321.0
    本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、电子设备。该堆叠晶体管的制备方法包括：提供自上而下设置的第一材料层、绝缘层和第二材料层；对第一材料层进行离子注入，以得到第一深阱结构；基于第一深阱结构一部分形成第一浅阱结构，第一浅阱结构和第一深阱结构...
    2026-05-14
  • 半导体的形成方法
    半导体的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610055440.X
    一种半导体的形成方法包括形成环绕通道层堆叠的金属栅极结构、形成将金属栅极结构切割成两个隔离段的沟槽、以及在沟槽中形成栅极隔离结构。形成沟槽包括对金属栅极结构进行等离子蚀刻工艺，等离子蚀刻工艺包括第一步以及第一步之后的第二步。第一步具有第一源...
    2026-05-14
  • 集成电路及其形成方法
    集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045151.X
    集成电路包括具有在第一方向上延伸的第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域的衬底。第一有源区域和第二有源区域比第二有源区域和第三有源区域更靠近在一起。第一隔离结构位于第一有源区域和第二有源区域之间并且在第一有源区域和第二有源区域旁边延伸。第...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411616473.4
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个堆叠结构，所述堆叠结构包括：位于所述基底上的第一沟道结构和位于所述第一沟道结构上的第二沟道结构；在所述堆叠结构结构之间的基底上填充第一源漏掺杂层，所述...
    2026-05-14
  • 一种多功能集成的DIP-24外形智能功率模块
    一种多功能集成的DIP-24外形智能功率模块_吉林华微斯帕克电气有限公司_202610218259.6
    本发明属于但不限于半导体技术领域，公开了一种多功能集成的DIP‑24外形智能功率模块，其封装结构包括引线框架、塑封体及半导体芯片，引线框架设第二至第二十五引脚，集成至少一颗BSD芯片、一颗IC芯片、6颗IGBT芯片及6颗FRD芯片，IGBT...
    2026-05-14
  • 功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法
    功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法_广东芯聚能半导体有限公司_202610484374.8
    本申请涉及一种功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法。该功率器件的堆叠结构包括：依次层叠的第一功率芯片和第二功率芯片；其中，第一功率芯片的漏极经第一连接部件与直流正电极连接，第一功率芯片的源极经第二连接部件与交流电极连接；第二功率芯片的漏...
    2026-05-14
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511518708.0
    一种半导体封装件包括：无芯电路基板，其包括绝缘构件和多个布线层，绝缘构件具有多个绝缘层和多个腔，多个布线层分别设置在多个绝缘层上；半导体芯片，其设置在无芯电路基板的上表面上，并且电连接到多个布线层中的最上布线层；以及多个基于半导体的片式电容...
    2026-05-14
  • 一种功率器件封装
    一种功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510198425.6
    本发明公开了一种功率器件封装，包括陶瓷基电路板，陶瓷基电路板包括底层线路层和陶瓷基板层；氮化镓或碳化硅晶体管晶圆焊接于陶瓷基电路板的底层线路层上；还包括电路板框，陶瓷基电路板焊接于电路板框上，氮化镓或碳化硅晶体管晶圆居于电路板框的孔洞中；还...
    2026-05-14
  • 芯片封装体及其制作方法和电子设备
    芯片封装体及其制作方法和电子设备_华为技术有限公司_202411579754.7
    本申请提供了一种芯片封装体及其制作方法和电子设备。该芯片封装体包括第一芯片层和第二芯片层，第一芯片层沿其层面方向包括至少两个间隔设置的芯片，第一芯片层中的相邻两个芯片之间设有隔离槽；隔离槽在第一芯片层的厚度方向贯通第一芯片层和中间焊盘层；隔...
    2026-05-14
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证