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最新专利技术
  • 光检测元件
    光检测元件_浜松光子学株式会社_202511600109.3
    本发明的光检测元件，其具备：第一半导体层，其具有作为光入射面的第一主面、及与第一主面为相反侧的第二主面；层结构体，其形成于第一主面上；金属配线，其位于层结构体的内部；以及多个猝灭元件。第一半导体层具有：第一导电型的多个第一半导体区域；第二导...
    2026-05-11
  • 图像传感器、成像系统及操作图像传感器的方法
    图像传感器、成像系统及操作图像传感器的方法_半导体元件工业有限责任公司_202510079075.1
    公开了一种图像传感器、成像系统及操作图像传感器的方法。该图像传感器包括多个图像像素。每个图像像素包括具有光电二极管和光敏电元件的半导体区域。每个图像像素还包括初级超透镜。该初级超透镜包括介电层和布置于该介电层内的多个纳米结构。该多个纳米结构...
    2026-05-11
  • 一种图像传感器结构及其形成方法
    一种图像传感器结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411570738.1
    本申请提供一种图像传感器结构及其形成方法，所述图像传感器结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一面包括若干呈阵列分布的像素区域，所述像素区域中形成有至少一个光电二极管；掩埋金属结构，位于相邻的像素区域之间的半导...
    2026-05-11
  • 背照式图像传感器的制造方法
    背照式图像传感器的制造方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411567134.1
    本发明提供一种背照式图像传感器的制造方法，通过以图形化的第一光刻胶层为掩膜，依次刻蚀第一开口中暴露出的介电层以及第一开口底部的衬底以形成第二开口，并刻蚀暴露出的逻辑区的介电层以形成接地孔，即第二开口(用于金属焊盘形成的生长窗口)与接地孔在同...
    2026-05-11
  • 一种基于超构透镜效应的高性能红外焦平面探测器
    一种基于超构透镜效应的高性能红外焦平面探测器_中国科学院上海技术物理研究所_202610181318.7
    本发明公开了一种基于超构透镜效应的高性能红外焦平面探测器，属于光电探测技术领域。本发明核心在于提出一种将金属微腔谐振与超构透镜聚光效应在像元级别进行一体化协同设计的新型探测器架构。通过对量子阱材料、金属微腔结构及阵列周期进行多物理场协同优化...
    2026-05-11
  • 色彩精度提高的图像传感器
    色彩精度提高的图像传感器_光谱公司_202610093812.8
    本公开涉及色彩精度提高的图像传感器。一种成像装置，包括在一个集成电路上设置的多个光学传感器和多组干涉滤光片，其中，多组干涉滤光片中的一组干涉滤光片包括构成某种阵列的多个干涉滤光片，其中每个干涉滤光片经过配置允许不同波长范围的光通过。本发明还...
    2026-05-11
  • 图像传感器封装件
    图像传感器封装件_半导体元件工业有限责任公司_202510049806.8
    一种图像传感器封装件，该图像传感器封装件可包括光学透射盖，该光学透射盖包括：第一层，该第一层耦接到光学透射盖的最大平坦表面；和多个纳米结构，该多个纳米结构处于第一层中，邻近光学透射盖的周边定位。该多个纳米结构可形成基本上日盲的紫外光滤通器。
    2026-05-11
  • 一种图像传感器彩膜制造工艺及图像传感器
    一种图像传感器彩膜制造工艺及图像传感器_成都微光集电科技有限公司_202610192430.0
    本申请公开了一种图像传感器彩膜制造工艺及图像传感器，属于半导体集成电路制造工艺领域，该工艺包括提供图像传感器晶圆；图像传感器晶圆包括至少一个未加工彩膜的图像传感器芯片；对图像传感器晶圆表面的目标区域和非目标区域进行差异化处理，分别形成第一结...
    2026-05-11
  • 一种晶圆键合工艺
    一种晶圆键合工艺_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610091453.2
    本申请公开了一种晶圆键合工艺，包括：提供待键合的顶层晶圆和底层晶圆；以第一气体为等离子体气源，对所述顶层晶圆和底层晶圆的键合面进行活化处理，所述第一气体为焦耳汤姆逊系数小于0的气体；对所述顶层晶圆和底层晶圆进行表面清洗；在气氛环境为第一气体...
    2026-05-11
  • 图像传感器及其制备方法
    图像传感器及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610018030.8
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法，其中在制备方法中，先在层间介质层中形成沟槽，然后形成填充沟槽以及覆盖层间介质层的N型掺杂的外延层，接着通过离子注入工艺对层间介质层顶端的外延层进行反型掺杂，得到P型离子注入区，其中，P型离子注入区和层间...
    2026-05-11
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017891.4
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，其中在制造方法中，先在第一外延层中形成网格状的深沟槽，随后在深沟槽之间的各网格的第一外延层中形成N型离子注入区，最后在各网格的N型离子注入区中形成十字型的P型隔离区，以将各网格中的N型离子注入区分割成四...
    2026-05-11
  • 背照式图像传感器的制备方法
    背照式图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017881.0
    本申请提供一种背照式图像传感器的制备方法，在对第一衬底进行第一次切割处理之后以及在第一衬底和第二衬底键合之前，在第一衬底边缘的三级台阶结构中的第一级台阶的侧表面、第二级台阶的上表面和侧表面以及第三级台阶的上表面形成台阶补充层，使得第二级台阶...
    2026-05-11
  • 一种图像传感器栅格结构及其制备方法
    一种图像传感器栅格结构及其制备方法_格科半导体(上海)有限公司_202511696921.0
    本发明涉及一种用于背照式图像传感器的低折射率栅格结构的优化方法。通过针对像素区背面隔离槽及金属填充形貌进行结构设计，在金属去除过程中于BDTI交叉区域特意保留金属钨残留层，使其在光路中形成局部遮挡结构，从而有效抑制相邻像素间的光学串扰，提升...
    2026-05-11
  • 晶片封装体及晶片封装体的制造方法
    晶片封装体及晶片封装体的制造方法_精材科技股份有限公司_202511577994.8
    本发明涉及一种晶片封装体及晶片封装体的制造方法，该晶片封装体包括半导体基板、接合胶、支撑件、第一保护层与第二保护层。半导体基板的顶面具有导电垫与感测区，且半导体基板的顶面的角落具有沟槽。接合胶位于沟槽中。支撑件覆盖接合胶与导电垫，且围绕感测...
    2026-05-11
  • 图像传感器封装件和相关方法
    图像传感器封装件和相关方法_半导体元件工业有限责任公司_202511349254.9
    本公开涉及图像传感器封装件和相关方法。形成图像传感器封装件的方法的具体实施可包括：提供包括图像传感器管芯的图像传感器衬底；将透光衬底键合到该图像传感器衬底；在该图像传感器衬底上形成多个电互连件；并且在形成该多个电互连件之后，将该透光衬底减薄...
    2026-05-11
  • 具有多栅极转移晶体管的图像传感器像素单元
    具有多栅极转移晶体管的图像传感器像素单元_豪威科技股份有限公司_202510631928.8
    本公开涉及具有多栅极转移晶体管的图像传感器像素单元。用于图像传感器的像素单元包含各自安置于半导体材料内的第一光电二极管、第二光电二极管及浮动扩散部。像素单元进一步包含多栅极转移晶体管，多栅极转移晶体管经配置以将第一光电二极管及第二光电二极管...
    2026-05-11
  • 一种仿生视觉适应光电晶体管及其制备方法
    一种仿生视觉适应光电晶体管及其制备方法_安徽大学_202511862455.9
    本发明公开了一种仿生视觉适应光电晶体管及其制备方法，光电晶体管包括：一衬底；一位于衬底之上的栅极介质层；一位于栅极介质层之上的单层金属氧化物纳米纤维网络功能层；一位于单层金属氧化物纳米纤维网络功能层之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成有半导...
    2026-05-11
  • 一种基于非对称结构与缺陷协同的多模态光电突触器件设计及操作方法
    一种基于非对称结构与缺陷协同的多模态光电突触器件设计及操作方法_浙江大学_202610452147.7
    本发明公开了一种基于非对称结构与缺陷协同的多模态光电突触器件设计及操作方法，方法包括构建二端非对称结构器件，结构为金属层/功能层1/功能层2/电极，核心在于需在功能层1的两侧形成肖特基结/异质结的二端非对称功能结。本发明利用功能层中缺陷如氧...
    2026-05-11
  • 光检测元件及光检测元件的制造方法
    光检测元件及光检测元件的制造方法_浜松光子学株式会社_202511599898.3
    本发明的光检测元件具备：第一半导体层，其具有作为光入射面的第一主面、及与第一主面为相反侧的第二主面；绝缘层，其形成于第一主面上；第二半导体层，其经由绝缘层形成于第一主面上；以及猝灭元件，其相对于第二主面侧。第一半导体层具有：第一导电型的第一...
    2026-05-11
  • 电子设备
    电子设备_意法半导体国际公司_202511577017.8
    本公开的实施例涉及电子设备。一种电子设备包括单光子雪崩二极管，该单光子雪崩二极管包括PN结，该PN结具有比1.2 µm小的第一尺寸，该单光子雪崩二极管被绝缘壁包围，该第一尺寸是该结的最小尺寸。
    2026-05-11
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