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最新专利技术
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510437696.2
    本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一层叠件，其包括交替层叠的第一材料层和第二材料层；贯穿结构，其延伸穿过第一层叠件并且包括气隙；以及第二层叠件，其位于第一层叠件下方并且包括被定位成与气隙对应的键图案。
    2026-05-10
  • 电熔丝存储单元及存储阵列
    电熔丝存储单元及存储阵列_上海华力集成电路制造有限公司_202411589354.4
    本发明公开了一种电熔丝存储单元及其存储阵列，电熔丝存储单元的控制管及熔丝形成在同一有源区，其长条形多晶硅熔丝位于MOS控制管的一侧，一端和最近的MOS控制管漏端重掺杂区一端短接，大幅缩小了电熔丝存储单元面积，并且便于以中心对称的方式组成存储...
    2026-05-10
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511610285.5
    一种半导体装置，包括：衬底；位线，其位于衬底上并沿第一方向延伸；字线，其沿第二方向延伸；第一有源图案和第二有源图案，其位于字线之间并在第一方向上间隔开；单元电容器，其位于第一有源图案和第二有源图案上；以及屏蔽栅极，其位于字线和单元电容器之间...
    2026-05-10
  • 具有选择性厚栅极电介质的晶体管装置及方法
    具有选择性厚栅极电介质的晶体管装置及方法_美光科技公司_202511599944.X
    本申请案涉及具有选择性厚栅极电介质的晶体管装置及方法。公开包含晶体管、半导体装置及系统的设备及方法。实例半导体装置及方法包含晶体管装置中具有不同厚度的栅极电介质。公开设备及方法，其使用掺杂剂来改变半导体装置内期望位置处的栅极电介质的生长。
    2026-05-10
  • 竖直三维(3D)存储器中的数字线形成
    竖直三维(3D)存储器中的数字线形成_美光科技公司_202511565427.0
    本公开涉及竖直三维3D存储器中的数字线形成。提供用于具有水平定向存取装置及存储节点的竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备。所述水平定向存取装置具有由沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。在所述沟道区处的栅极完全围绕所述沟道区的...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511480356.4
    公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一栅极，该第一栅极沿第一方向延伸；岛状栅极，该岛状栅极与第一栅极在第一方向上的一个端部相邻；第二栅极，该第二栅极沿垂直于第一方向的第二方向与第一栅极间隔开、并且沿第一方向延伸；以及接触插塞，该接触插...
    2026-05-10
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202511398102.8
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括集成电路裸片，其包括环绕径向内区的径向最外区。所述内区包括存储器阵列区。所述径向最外区包括：下半导体材料；绝缘材料，其在所述下半导体材料正上方；及堆叠，其包括在所述绝...
    2026-05-10
  • 包括贯通通路的半导体器件
    包括贯通通路的半导体器件_三星电子株式会社_202511306193.8
    根据本公开的示例实施例的包括贯通通路的半导体器件可以包括：第一结构；以及第二结构，所述第二结构具有外围电路区域，并且所述第一结构可以包括：存储单元；以及电连接到所述存储单元的单元路由互连线，并且所述第二结构可以包括：半导体主体；设置在所述半...
    2026-05-10
  • 包括栅极覆盖层的存储器件
    包括栅极覆盖层的存储器件_爱思开海力士有限公司_202511031019.7
    根据本公开的实施例，存储器件可以包括：衬底，该衬底包括有源区；字线，该字线被嵌入衬底中，并且与有源区交叉；栅极绝缘层，该栅极绝缘层包围字线的侧表面和下表面；栅极覆盖层，该栅极覆盖层被设置在栅极绝缘层的在字线上的内侧表面上；以及位线接触件，该...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510937625.9
    提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有形成在其上的有源区域；位于有源区域上的栅极堆叠件；设置在栅极堆叠件上方的电路布线；以及接触通路结构，其位于栅极堆叠件的侧表面上并且位于有源区域与电路布线之间，其中，接触通路结构包括：栅极接触通路，在电路...
    2026-05-10
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510636063.4
    一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成有源图案。形成所述有源图案可以包括：在所述衬底上形成第一线图案和第二线图案，所述第一线图案和所述第二线图案在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；在所述第一线图案上选择性地...
    2026-05-10
  • 具有阶梯状字元线介电材料的半导体元件及其制造方法
    具有阶梯状字元线介电材料的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510528499.1
    本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一通道层，包括：一通道，沿着一第一方向延伸并且包括一第一区及一第二区，沿着该第一方向依序排列；一源极，从该第二区沿着该第一方向延伸；以及一漏极，从该第一区沿着该第一方向...
    2026-05-10
  • 半导体装置
    半导体装置_南亚科技股份有限公司_202510453983.2
    本申请公开一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括一基板；定位在该基板上的一通道层，沿着垂直于该基板的一顶部表面的一第一方向延伸，并包括一倒梯形剖面轮廓；以及一字线，该字线包括一字线介电层和一字线导电层，该字线介电层一致地和...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411596586.2
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与所述有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与所述有源柱耦接，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；其中，所述字...
    2026-05-10
  • 存储结构及其制备方法、电子设备
    存储结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411587852.5
    本申请涉及一种存储结构及其制备方法，其中，存储结构包括字线结构、位线、半导体层以及电容结构。字线结构包括在第一方向上相对设置的第一字线以及第二字线。第一字线以及第二字线沿第二方向延伸。位线沿第一方向延伸且贯穿第一字线以及第二字线。半导体层位...
    2026-05-10
  • 一种存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411578033.4
    本申请公开了一种存储阵列、存储器及电子设备，涉及存储技术领域，存储阵列包括多个器件组和第一介质层，第一介质层沿第一方向延伸并设置于多个器件组中的两个垂直场效应晶体管的垂直沟道之间，通过第一介质层将同一器件组中垂直场效应晶体管的垂直沟道隔离。...
    2026-05-10
  • 动态随机存储器及其制作方法
    动态随机存储器及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411573886.9
    提供一种动态随机存储器及其制备方法，包括：衬底，设置有阵列区和外围区；有源区，呈阵列式排布设置于阵列区；字线结构，设置于衬底中并穿过有源区；位线结构设置于阵列区，包括位线电极结构设置于有源区上；位线侧墙包括，第一侧墙设置于第二侧墙与位线电极...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411571437.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件：包括字线结构、第一沟道结构以及第二沟道结构。第一沟道结构沿第一方向延伸。第二沟道结构沿第一方向延伸，其中，第一沟道结构和第二沟道结构在第二方向上具有间隔距离。字线结构沿...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411571317.0
    一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：位于衬底上的多个堆叠子结构，多个堆叠子结构沿第一方向间隔排布，每个堆叠子结构包括沿竖直方向交替叠设的有源层和第一介质层；字线层，字线层位于堆叠子结构的顶面及垂直于第一方向的侧壁，且字线层的底端低...
    2026-05-10
  • 嵌入式存储器及电子设备
    嵌入式存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411562546.6
    本申请实施例公开一种嵌入式存储器及电子设备，涉及半导体技术领域。嵌入式存储器具有逻辑区和存储区。嵌入式存储器包括衬底、存储电容器和晶体管。衬底具有第一表面。晶体管位于第一表面上。晶体管包括沟道部和栅极；栅极位于沟道部的远离衬底的一侧表面和靠...
    2026-05-10
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