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最新专利技术
  • 一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构
    一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构_深圳市先行设备科技有限公司_202610151740.8
    本发明公开了一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构，包括：一个厚度为1‑10, 000µm的金刚石层，所述金刚石层包含p型或n型掺杂区域，被配置为同时用作散热器和微波衰减器；以及至少一个环绕所述金刚石层边缘的侧壁结构，所述侧壁结构...
    2026-05-14
  • 一种近场热辐射分流装置及方法
    一种近场热辐射分流装置及方法_苏州城市学院_202610470764.X
    本发明公开了一种近场热辐射分流装置及方法，涉及微纳尺度热传输技术领域，旨在解决现有近场热管理方案依赖外部激励、结构复杂、分流调控范围窄、精度低的问题。该装置包括至少三个间距处于近场范围的纳米颗粒，至少一个为非球形结构且可旋转调节，利用非球形...
    2026-05-14
  • 功率模组和功率变换装置
    功率模组和功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202411587883.0
    本申请实施例提供一种功率模组和功率变换装置，涉及电子器件技术领域，用于解决提升换热板的刚度，降低换热板出现翘曲变形的可能性。该功率变换装置中，功率模组包括功率芯片、基板和换热板，功率芯片设置在基板上，换热板设置于基板远离功率芯片的一侧。换热...
    2026-05-14
  • 冷却组件和用于制造冷却器的方法
    冷却组件和用于制造冷却器的方法_半导体元件工业有限责任公司_202511652948.X
    提供了一种冷却组件和用于制造冷却器的方法，该冷却组件用于耗散由半导体器件产生的热量。该组件包括冷却器，该冷却器具有限定内部流体通道的壳体和顶板。冷却器包括设置在其中的至少一个增强结构，该结构由不同于顶板或壳体的材料的增强材料构成。增强结构增...
    2026-05-14
  • 芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品
    芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品_武汉杰开科技有限公司_202610076880.3
    本申请实施例提供一种芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品。该方法包括：通过核心温度传感器，采集芯片的中心区域的温度数据；并通过每一局部温度传感器，采集与局部温度传感器对应的功率模块的温度数据；根据每一功率模块的温度数据与中心区域的温...
    2026-05-14
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_南京大学_202610214958.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：绝缘层、沟道层和势垒层。沟道层位于绝缘层的第一表面；势垒层位于沟道层远离绝缘层一侧的表面；势垒层远离沟道层的一侧表面上依次设置有源极、栅极和漏极；栅极与源极和漏极之间均间隔设...
    2026-05-14
  • 一种提升功率器件过流能力的封装结构
    一种提升功率器件过流能力的封装结构_华中科技大学_202511969503.4
    本发明属于器件封装技术领域，公开了一种提升功率器件过流能力的封装结构，包括：金属基板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片和FRD芯片、相变材料热缓冲模块及功率端子；本发明所述的热阻‑热容协同优化模块同时利用了芯片上下表面进行热管理，在瞬态时可实现底部...
    2026-05-14
  • 氮立方装置
    氮立方装置_中国科学院理化技术研究所_202610066354.9
    本发明涉及芯片散热领域，提供一种氮立方装置。氮立方装置包括液氮腔体模块，用于容纳冷却介质；固定模块，配置于液氮腔体模块内，用于安装电子器件；保温传热模块，设置于固定模块与液氮腔体模块之间，用于在电子器件与冷却介质之间进行热量传递；液氮循环模...
    2026-05-14
  • 集成式冷板散热装置
    集成式冷板散热装置_台达电子工业股份有限公司_202511302058.6
    本申请公开一种集成式冷板散热装置，包括底板和盖板。底板包括顶面、底面以及多个散热鳍片，其中顶面和底面于第一方向上彼此相反设置，底面热耦合至多个发热源，多个散热鳍片设置于顶面，于空间上相对多个发热源。盖板包括入流口、至少一出流口以及多个紊流产...
    2026-05-14
  • 信号传输元件
    信号传输元件_三菱电机株式会社_202511265942.7
    本发明提供不需要将下层线圈引出到元件表面的工序的信号传输元件。信号传输元件具备：半导体基板上的第一绝缘层、该第一绝缘层之上的第一线圈及第二线圈、覆盖第一线圈及第二线圈的第二绝缘层、该第二绝缘层之上的第三线圈及第四线圈、以及覆盖第三线圈及第四...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411563102.4
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底，衬底上设置有第一凹槽；第一介质层，第一介质层设置在衬底上，其中，第一介质层在远离衬底一侧设置有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽对应设置；对准...
    2026-05-14
  • 晶圆、晶圆的制作方法、芯片及电子设备
    晶圆、晶圆的制作方法、芯片及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202411566097.2
    本申请实施例提供一种晶圆、晶圆的制作方法、芯片及电子设备。晶圆包括介质单元、钝化层和第一裂纹引导结构。钝化层叠设于介质单元。介质单元区域划分为功能区和切割道。功能区的周侧具有切割道。介质单元包括在衬底上堆叠设置的介质叠层。介质叠层包括第一介...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件
    半导体结构及其制造方法、半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411596593.2
    一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括基底，包括衬底和光线穿透层，所述光线穿透层位于所述衬底上；功能层，位于所述基底的下表面上，所述功能层中有对准标记；其中，所述光线穿透层在功能层上的投影区覆盖所述对准标记在所述功能层上的...
    2026-05-14
  • 一种高密度超薄导线框架封装工艺及封装结构
    一种高密度超薄导线框架封装工艺及封装结构_中山思睿科技有限公司_202511848223.8
    本发明公开了一种高密度超薄导线框架封装工艺及封装结构，属于半导体封装技术领域。该工艺包括：导线框架制作(铜箔正面光刻蚀刻形成≤30μm 超细线路、背面镀银)、元器件贴装与焊接、正面塑封固化、背面电路蚀刻、背面绝缘保护、电极金属保护层制作，且...
    2026-05-14
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510788849.8
    本发明提供一种电子装置及其制造方法，制造方法包括以下步骤。提供一基板。提供一第一遮罩在基板的一第一表面上。图案化第一遮罩，以于第一遮罩中形成一第一开口，且第一开口暴露出基板的一对应部分。提供一第一能量对基板的对应部分进行一第一改质步骤，以在...
    2026-05-14
  • 玻璃基板的制作方法、玻璃基板及封装结构
    玻璃基板的制作方法、玻璃基板及封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202610495495.2
    本申请涉及一种玻璃基板的制作方法、玻璃基板及封装结构，玻璃芯板的制作方法包括以下步骤：提供玻璃芯板，玻璃芯板上沿玻璃芯板的厚度方向贯穿开设有通孔，通孔包括沿自身轴向排布的第一通孔部、第二通孔部及第三通孔部，第二通孔部连接于第一通孔部和第三通...
    2026-05-14
  • 不利用引线框架的集成电路芯片封装
    不利用引线框架的集成电路芯片封装_意法半导体有限公司_202610158045.4
    本公开的实施例涉及一种不利用引线框架的集成电路芯片封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在绝缘...
    2026-05-14
  • 一种金属基板功率器件封装
    一种金属基板功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510292694.9
    一种金属基板功率器件封装，包括功率晶体管晶圆，功率晶体管晶圆的底面布设有漏极焊盘，功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘；还包括L型金属基板，L型金属基板的一侧厚度较小，功率晶体管晶圆通过漏极焊盘焊接于L型金属基板的厚度较小一侧...
    2026-05-14
  • 具有片制件和厚度不同的图案化导电结构的衬底夹具
    具有片制件和厚度不同的图案化导电结构的衬底夹具_英飞凌科技奥地利有限公司_202511641412.8
    根据一些实施例，一种衬底夹具(100)被配置用于将载体(102)与封装(106)的电子部件(104)连接，其中衬底夹具(100)包括电绝缘和导热片制件(108)、以及位于电绝缘和导热片制件(108)的主表面上并且具有至少两个不同的连接区段(...
    2026-05-14
  • 基板封装
    基板封装_恩智浦美国有限公司_202411557500.5
    本文提供一种基板封装和其制造方法。所述基板封装包括：载体；基板，所述基板具有第一主表面和第二主表面，其中所述第二主表面面向所述载体；不导电第一阻挡壁，所述不导电第一阻挡壁从所述第二主表面朝向所述载体延伸，所述第一阻挡壁限定所述基板封装的第一...
    2026-05-14
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