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最新专利技术
  • 一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法
    一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法_佛山大学_202610374995.0
    本发明公开了一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法，属于光电材料技术领域。本发明采用刮涂法，可规模化生产的涂布技术，无需复杂的真空设备，结合分子级前驱体溶液，并通过精确控制刮涂工艺参数和退火工艺参数，能够获得高结晶度、均匀致密的AgBi...
    2026-05-15
  • 一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备
    一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610480645.2
    本申请涉及一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备，光伏组件的制造方法包括：在电池片上设置导电体；将焊带放置在电池片上，焊带与导电体接触；固化导电体，导电体固定焊带，焊带将电池片连接成电池串；在电池片的两侧设置封装层和盖板，形成待层压件；...
    2026-05-15
  • 光伏组件
    光伏组件_阿特斯阳光电力集团股份有限公司_202411606279.8
    本发明公开了一种光伏组件，光伏组件包括：多个电池串和第一反光结构，多个电池串沿第一方向间隔设置且形成有第一间隙，每个电池串包括：多个电池和电连接件，多个电池沿第二方向间隔设置，相邻的两个电池通过电连接件电连接且形成有第二间隙，第一方向和第二...
    2026-05-15
  • 一种三维鸟巢结构c-Si@a-Si核/壳纳米线及其制备方法
    一种三维鸟巢结构c-Si@a-Si核/壳纳米线及其制备方法_金陵科技学院_202610116279.2
    本发明公开了一种三维鸟巢结构c‑Si@a‑Si核/壳纳米线及其制备方法，涉及光电子器件的性能测试技术领域；本发明包括以下步骤：步骤S1，在低压化学气相沉积系统中利用低熔点金属诱导生长p型掺杂晶硅纳米线；本申请利用准分子激光器结合移相光栅掩模...
    2026-05-15
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610500715.6
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，隔离部的中间位置处的掺杂元素的掺杂浓度为1E13/cm3‑5E16/cm3，隔离部的第一表面的高度为H1，p型掺杂部的第二表面的高度为H2，n型掺杂部的...
    2026-05-15
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610500790.2
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，隔离部的中间部分中掺杂有第三主族元素和第五主族元素中，中间部分中的第五主族元素的平均掺杂浓度大于中间部分中的第三主族元素的平均掺杂浓度，中间部分中的第五...
    2026-05-15
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512058877.7
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，背接触电池上设有若干包括第一防断栅线和第二防断栅线的防断栅线组，防断栅线组的设置可以降低第一细栅和第二细栅的断裂风险，进而有效地保证载流子的收集效果以保...
    2026-05-15
  • 一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件
    一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件_华为技术有限公司_202610045111.7
    本申请提供了一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件，涉及光伏技术领域。薄膜光伏电池包括透明电极、多个第一栅线、多个第一绝缘层、电池单元、背电极及至少一个第二栅线。多个第一栅线、多个第一绝缘层及电池单元均设置于透明电极的一侧。多个第一栅...
    2026-05-15
  • 一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件
    一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件_华为技术有限公司_202610045296.1
    本申请提供了一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件，涉及光伏技术领域。薄膜光伏电池包括透明电极、多个第一栅线、多个绝缘层、电池单元、背电极及第二栅线。在透明电极的厚度方向上，多个第一栅线、多个绝缘层及电池单元均设置于透明电极的一侧。多...
    2026-05-15
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610063958.8
    本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件。电池包括半导体基底、掺杂层和钝化层；钝化层开设有窗口，使得掺杂层部分裸露；电极结构，位于钝化层背离半导体基底的一侧，电极结构包括：种子层和贱金属层；种子层包括：主体部、第一金属颗粒和第二金属颗粒，主体部...
    2026-05-15
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610170063.4
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括电池主体以及设置于电池主体上的栅线，沿栅线的厚度方向上，栅线的截面宽度自靠近电池主体的底部向远离电池主体的顶部缩窄，且栅线的截面中至少一个侧边为折线形轮廓。本申请能有效减少光的反...
    2026-05-15
  • 太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512060853.5
    本发明涉及光伏电池领域，具体公开了一种太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统。其中，太阳能电池包括：硅基底、第一隧穿层、第一扩散阻挡层、第一掺杂层、第一钝化层和第一电极。硅基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面或第二表面沿第二方...
    2026-05-15
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610194979.3
    本发明涉及光伏技术领域，具体涉及太阳电池及其制备方法和光伏组件，该太阳电池包括：具有凹槽的电池基体，以及依次形成于凹槽的第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层、TiN隔离层，和形成于TiN层的栅线，其中，第一过渡层的Ni含量≥第二过渡层的Ni含...
    2026-05-15
  • 一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法
    一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法_中茂绿能科技(西安)有限公司_202610200447.6
    本发明公开了一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法，属于光伏器件技术领域，该基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池自下而上依次为透明导电衬底、复合窗口层、CdTe吸收层、ZnTe界面修饰层和金属背电极；所述复合窗口层由CdS层、...
    2026-05-15
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610205529.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及光伏组件。在本申请实施例中，通过在基底的第一表面的第一区域设置隧穿层和掺杂导电层，可以提升与第一电极的接触性能，有利于载流子的传输，并且，相较于还在第二区域设置隧穿层和掺杂导电层的方式而言...
    2026-05-15
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512038753.2
    本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供一LED外延片，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上沉积透明导电层；在透明导电层上形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为刻蚀掩膜，对透...
    2026-05-15
  • 一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统
    一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统_合肥泰沃达智能装备有限公司_202610103694.4
    本发明公开了一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统，涉及MicroLED制造技术领域，激光直刻灰阶微纳结构加工方法包括：对巨量转移后的MicroLED阵列进行逐像素亮度检测，获取每个像素的实测亮...
    2026-05-15
  • 一种光控人工突触器件及其制备方法
    一种光控人工突触器件及其制备方法_苏州晶台光电有限公司_202610175150.9
    本发明实施例公开了一种光控人工突触器件及其制备方法。该人工突触器件包括沿厚度方向依次层叠设置的衬底、发光层和突触功能层：发光层，设置于衬底上，发光层的发光面朝向突触功能层；突触功能层用于响应发光层发出的光信号，产生模拟生物突触行为的电导变化...
    2026-05-15
  • 一种Mini红光发光二极管及其制备方法
    一种Mini红光发光二极管及其制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202610368309.9
    本发明涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种Mini红光发光二极管及其制备方法。本发明通过MOCVD法生长外延结构，经键合替换衬底，经刻蚀制备台面及ISO隔离沟道后，依次沉积Al2O3保护层与SiO2辅助防护层，蒸镀两组叠层的DBR反射层...
    2026-05-15
  • 覆晶发光二极管
    覆晶发光二极管_台亚半导体股份有限公司_202510107964.4
    本发明提供一种覆晶发光二极管，包括基材、发光结构、P型电极结构及N型电极结构。发光结构位于基材上且包括磷化镓层及半导体外延结构，且磷化镓层位于基材及半导体外延结构之间。半导体外延结构包括依序形成的P型电流散布层、发光层、N型半导体层及透明欧...
    2026-05-15
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