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最新专利技术
  • 一种基于级联微通道板与hCMOS的X射线门控成像方法及系统
    一种基于级联微通道板与hCMOS的X射线门控成像方法及系统_深圳大学_202610469734.7
    本发明涉及门控成像技术领域，提供一种基于级联微通道板与hCMOS的X射线门控成像方法及系统，沿光入射方向依次包括：光电阴极，用于将入射的X射线图像转换为光电子图像；第一级电子传输微通道板，与光电阴极耦合，用于对所述光电子图像进行时间切片，输...
    2026-05-15
  • 一种光罩加工方法
    一种光罩加工方法_泉意光罩光电科技(济南)有限公司_202610364646.0
    本申请提供一种光罩加工方法，涉及光罩技术领域。该方法包括：形成第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层上具有第一刻蚀图案；刻蚀待加工产品的相移层和遮光层，将第一刻蚀图案转移至相移层和遮光层上；去除第一刻蚀阻挡层，并在待加工产品的表面形成第二刻蚀阻挡层...
    2026-05-15
  • 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法
    光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610476328.3
    本申请提供了一种光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法，应用在半导体技术领域中。本申请的校正方法和数据采集方法中均包括：确定测试图形集在光刻条件的初始信息下关键尺寸的第一仿真值、以及测试图形集在光刻条件的调整信息下关键尺寸的第二仿真值...
    2026-05-15
  • 掩模板以及版图的生成方法
    掩模板以及版图的生成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610083429.4
    本申请公开了一种掩模板以及版图的生成方法，该掩模板上形成的图形包括：主图形，其用于形成目标结构，该目标结构是半导体器件产品中的结构，主图形形成于掩模板的中心区域中；第一对准图形，其形成于掩模板的第一边缘区域中，第一边缘区域沿纵轴方向位于中心...
    2026-05-15
  • 一种多层多材料光掩模的检验方法
    一种多层多材料光掩模的检验方法_广州新锐光掩模科技有限公司_202610437702.9
    本发明涉及一种多层多材料光掩模的检验方法，包括如下步骤：S1、检验数据库构建：建立表征光掩模对应位置材料与高度属性的三维立体数据架构；生成仅包含透光区与遮光区特征的二维设计版图数据库；S2、光校准与检验：光强度校准：设定灰阶下限以及灰阶上限...
    2026-05-15
  • 感光性树脂组合物、感光性树脂层和使用所述感光性树脂层的半导体装置
    感光性树脂组合物、感光性树脂层和使用所述感光性树脂层的半导体装置_三星SDI株式会社_202511143323.0
    提供一种感光性树脂组合物、使用所述感光性树脂组合物制造而成的感光性树脂层以及包含所述感光性树脂层的半导体装置，所述感光性树脂组合物包含：碱溶性树脂；可光聚合化合物；光引发剂；和溶剂，其中所述碱溶性树脂包含含有由化学式1表示的结构单元的聚合物...
    2026-05-15
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511651159.4
    公开了一种半导体光刻胶组合物及使用其形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包括有机金属化合物、包括至少一个硝基和至少一个羟基的化合物以及溶剂。
    2026-05-15
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511651166.4
    公开了一种半导体光刻胶组合物和使用其形成或提供图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包括有机金属化合物、包括吡咯、吡咯衍生物或其组合的吡咯类化合物、以及溶剂。
    2026-05-15
  • 一种着色感光性树脂组合物及彩色滤光片
    一种着色感光性树脂组合物及彩色滤光片_阜阳欣奕华新材料科技股份有限公司_202610237832.8
    本申请提供一种着色感光性树脂组合物及彩色滤光片，涉及液晶显示技术领域。以所述着色感光性树脂组合物的原料的总质量为100%计算，包括：着色剂40‑60%、碱溶性树脂2.5‑4.5%、丙烯酸酯单体2‑3.5%、光聚合引发剂0.05‑0.1%、助...
    2026-05-15
  • 一种负型微米级光刻胶及其制备方法
    一种负型微米级光刻胶及其制备方法_广东诚展科技股份有限公司_202610272699.X
    本发明提出一种负型微米级光刻胶及其制备方法，其中制备方法的步骤包括：将含硫丙烯酸酯类聚合物加入双沸点有机溶剂中，在搅拌条件下使其充分溶解，形成硫富聚合物基体溶液；在硫富聚合物基体溶液中加入含硅氧骨架结构的功能组分，得到预制混合液；在预制混合...
    2026-05-15
  • 一种利用气流和药液蒸汽使光刻胶表面流平的涂胶方法
    一种利用气流和药液蒸汽使光刻胶表面流平的涂胶方法_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202411606669.5
    本发明涉及一种利用气流和药液蒸汽使光刻胶表面流平的涂胶方法，其通过设置开口高度高于收集杯底面的液位导向口实现药液在收集杯内暂存并使腔体内形成一定程度的恒湿状态，再通过晶圆旋转产生的气流将腔体内药液形成的湿气带到晶圆表面，并且利用药液蒸汽将晶...
    2026-05-15
  • 一种方便的晶圆涂胶设备及涂胶方法
    一种方便的晶圆涂胶设备及涂胶方法_苏州杉树园半导体设备有限公司_202610182815.9
    本发明公开了一种方便的晶圆涂胶设备及涂胶方法，涉及晶圆加工设备技术员领域，包括转动工作台，转动工作台上设有若干个与晶圆工件相适配的放置槽，放置槽底部设有若干抵接于晶圆工件下方的放置板，放置槽随转动工作台移动并依次经过上料位、涂胶位和下料位，...
    2026-05-15
  • 改善箭影缺陷的涂胶方法
    改善箭影缺陷的涂胶方法_安徽晶微科技有限公司_202610264741.3
    一种改善箭影缺陷的涂胶方法包括步骤：S1，提供光刻流程前的产品片，产品片的晶粒按照行列分布，每隔一行的晶粒在各自对应的区域形成有凹槽；S2，涂胶，获得涂胶片，其中，在涂胶的旋涂匀胶中，向动态的产品片的中心位置滴下胶溶液，胶溶液滴完之后，以至...
    2026-05-15
  • 改善光刻胶塔状缺陷的方法
    改善光刻胶塔状缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610281978.2
    本申请提供一种改善光刻胶塔状缺陷的方法，包括：步骤一，提供衬底，在衬底上形成光刻胶；步骤二，在光刻胶中形成待刻蚀膜层目标图形的图案；步骤三，通过湿法清洗工艺去除聚集物和杂质残留，实施湿法清洗工艺时改变清洗条件，以改善光刻胶塔状缺陷。针对生产...
    2026-05-15
  • 一种柔性版生产用曝光装置
    一种柔性版生产用曝光装置_杭州飞洋包装材料有限公司_202610376522.4
    本发明公开了一种柔性版生产用曝光装置，涉及印刷设备技术领域，包括第一横板，第一横板的一端固定设有第三横板，第三横板顶部对应设有第四横板，第三横板与第四横板侧面共同设有铺料组件，铺料组件包括基准框和限位框，限位框内部滑动安装有刮板，刮板底面与...
    2026-05-15
  • 一种预印纸板色序的制版曝光参数整定方法、设备及介质
    一种预印纸板色序的制版曝光参数整定方法、设备及介质_西安雄峰印刷包装有限公司_202512020156.7
    本发明公开了一种预印纸板色序的制版曝光参数整定方法、设备及介质，涉及印刷制版数据处理技术领域，包括，采集油墨光谱数据、目标色序数据和版面图像数据并进行预处理；将全局曝光参数集与微结构分区映射图进行融合，并依据预设的局部曝光调整策略库对微结构...
    2026-05-15
  • 一种可编程相位调控的轴向并行激光直写光刻方法和系统
    一种可编程相位调控的轴向并行激光直写光刻方法和系统_浙江大学_202610067334.3
    本发明公开了一种可编程相位调控的轴向并行激光直写光刻方法和系统，该系统利用构建的环‑相位映射关系和环边界索引表，将空间光调制器有效照明区域划分为多个同心环，并将每个同心环对应的0或相位对应到SLM上得到SLM瞳面相位分布，从而将遗传算法与加...
    2026-05-15
  • 一种束闸皮安表控制盒及电子束曝光机
    一种束闸皮安表控制盒及电子束曝光机_深圳市鲲腾易必目科技有限责任公司_202610136773.5
    本发明公开了一种束闸皮安表控制盒及电子束曝光机，束闸皮安表控制盒，其包括：壳体；第一电路板，设置在所述壳体内，所述第一电路板上设置有单片机、皮安表控制电路，所述单片机与所述皮安表控制电路连接；第二电路板，设置在所述壳体内，所述第二电路板上设...
    2026-05-15
  • 一种基于泰伯自成像的光波导母版缺陷自适应光刻方法
    一种基于泰伯自成像的光波导母版缺陷自适应光刻方法_深圳市瀚思通汽车电子有限公司_202610232475.6
    本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种基于泰伯自成像的光波导母版缺陷自适应光刻方法，通过采集光波导母版的设计周期和曝光波长参数，计算泰伯自成像距离，并驱动涂覆光刻胶的基底精确定位至该距离处；在定位完成后启动相干光输出，同时控制基底进行平面内周...
    2026-05-15
  • 一种一步制备图形边缘框架结构的光刻方法
    一种一步制备图形边缘框架结构的光刻方法_武汉市太紫微光电科技有限公司_202610266172.6
    本申请属于微纳加工与光刻技术领域，具体涉及一种一步制备图形边缘框架结构的光刻方法。通过将包含光致产酸剂、聚合物和溶剂的光致抗蚀剂涂布成膜后，通过掩模版进行单次曝光，在薄膜内依据酸浓度分布自发形成三个特性区域：曝光区域酸浓度最高，触发聚合物先...
    2026-05-15
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