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最新专利技术
  • 光伏组件
    光伏组件_阿特斯阳光电力集团股份有限公司_202411606279.8
    本发明公开了一种光伏组件，光伏组件包括：多个电池串和第一反光结构，多个电池串沿第一方向间隔设置且形成有第一间隙，每个电池串包括：多个电池和电连接件，多个电池沿第二方向间隔设置，相邻的两个电池通过电连接件电连接且形成有第二间隙，第一方向和第二...
    2026-05-14
  • 一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备
    一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610480645.2
    本申请涉及一种光伏组件的制造方法和光伏组件的生产设备，光伏组件的制造方法包括：在电池片上设置导电体；将焊带放置在电池片上，焊带与导电体接触；固化导电体，导电体固定焊带，焊带将电池片连接成电池串；在电池片的两侧设置封装层和盖板，形成待层压件；...
    2026-05-14
  • 一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法
    一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法_佛山大学_202610374995.0
    本发明公开了一种基于分子式墨水刮涂制备银铋硫薄膜的方法，属于光电材料技术领域。本发明采用刮涂法，可规模化生产的涂布技术，无需复杂的真空设备，结合分子级前驱体溶液，并通过精确控制刮涂工艺参数和退火工艺参数，能够获得高结晶度、均匀致密的AgBi...
    2026-05-14
  • 一种引线矫正方法、矫正装置及光伏组件引线矫正设备
    一种引线矫正方法、矫正装置及光伏组件引线矫正设备_苏州晟成光伏设备有限公司_202610364048.3
    本发明公开了一种引线矫正方法、矫正装置及光伏组件引线矫正设备，动力件带动第一夹块和第二夹块相互靠近，第一夹块和第二夹块围合形成限位区；驱动机构驱动动力件及第一夹块、第二夹块沿第一方向移动，第一夹块和/或第二夹块顶推引线的竖直段向第一方向倾斜...
    2026-05-14
  • 背接触电池串生产工艺、光伏组件生产工艺、背接触电池串及光伏组件
    背接触电池串生产工艺、光伏组件生产工艺、背接触电池串及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610214418.5
    本发明涉及光伏组件技术领域，尤其涉及一种背接触电池串与光伏组件生产工艺、背接触电池串及光伏组件。背接触电池串生产工艺包括排片步骤与成串步骤。光伏组件生产工艺中，光伏组件包括背接触电池串生产工艺所生产的电池串。背接触电池串中，背接触电池串包括...
    2026-05-14
  • 一种光伏组件电池串排版校正系统
    一种光伏组件电池串排版校正系统_广州高景太阳能科技有限公司_202610185997.5
    本申请提供了一种光伏组件电池串排版校正系统，包括：输送定位模块，用于接收并输送电池片，并在输送过程中对电池片施加定位约束；闭环校正模块，用于对输送定位模块输送来的电池片进行图像采集，并基于采集到的图像信息驱动执行机构对电池片的位置和姿态进行...
    2026-05-14
  • 一种电池背面分区制备工艺
    一种电池背面分区制备工艺_正奇光能科技有限公司_202610139639.0
    本发明涉及电池技术领域，且本发明公开了一种电池背面分区制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：在隧穿氧化层钝化接触的电池结构中，对背面多晶硅层进行分区厚度控制，使得金属电极接触区域下方的多晶硅层保持第一厚度，而非电极接触区域的多晶硅层被减薄至第...
    2026-05-14
  • 一种二氧化硫脲-纳米硒溶胶阴离子源前体溶液制备方法
    一种二氧化硫脲-纳米硒溶胶阴离子源前体溶液制备方法_电子科技大学中山学院_202610068652.1
    本发明公开了一种二氧化硫脲‑纳米硒溶胶阴离子源前体溶液制备方法，制备步骤：将硒的无机盐和分散剂加入去离子水完全溶解后制成硒盐溶液，将还原溶液逐渐加入到硒盐溶液中，制成纳米硒溶胶；将二氧化硫脲溶液逐渐加入到纳米硒溶胶中，搅拌后得到TD‑Se混...
    2026-05-14
  • 电极的制备方法、电池片及光伏组件
    电极的制备方法、电池片及光伏组件_宿迁阿特斯阳光能源科技有限公司_202610023950.9
    本发明公开了一种电极的制备方法、电池片及光伏组件，电极的制备方法包括如下步骤：在基底层上制备复合种子层，其中复合种子层包括邻近基底层的镍层以及形成在镍层上的第一铜层；在复合种子层远离基底层的一侧制备厚度为1μm～2μm的第二铜层。根据本发明...
    2026-05-14
  • 太阳能电池及其制备方法、电池组件及光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512041939.3
    本发明涉及光伏电池领域，具体公开了一种太阳能电池及其制备方法、电池组件及光伏系统。其中，太阳能电池的制备方法包括：在硅基底的第一表面依次形成第一初始隧穿层、第一初始扩散阻挡层和第一半导体层、第一金属纳米颗粒，然后在腐蚀液中腐蚀，将第一金属纳...
    2026-05-14
  • 电池片湿热测试方法及其设备
    电池片湿热测试方法及其设备_天合光能股份有限公司_202411577087.9
    本申请涉及一种电池片湿热测试方法及其设备，电池片湿热测试方法包括对裸电池片进行焊接和分割以获取待测电池片；将待测电池片置于环境箱中进行湿热测试；获取湿热测试后的待测电池片的接触电阻；根据接触电阻获取待测电池片的湿热测试结果。本申请中直接对锂...
    2026-05-14
  • 图像传感器及其形成方法
    图像传感器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202411603845.X
    本发明公开了一种提高图像传感器的光学性能的实现方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底正面，形成沟槽；至少在所述沟槽底部填充低折射率的第一介质层；对所述衬底背面减薄至暴露出所述沟槽内低折射率的第一介质层的部分或全部，形成分光结构，以提高所述图像传...
    2026-05-14
  • 集成应力记忆技术的CMOS图像传感器形成方法
    集成应力记忆技术的CMOS图像传感器形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131928.6
    本发明提供一种集成应力记忆技术的CMOS图像传感器形成方法。该方法包括：在已完成源漏注入的衬底表面沉积第一氧化层和应力介质层；保留N型逻辑区域的应力介质层并去除其他区域；进行快速热退火产生应力记忆效应后去除剩余层；沉积第二氧化层和氮化层；通...
    2026-05-14
  • 图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备
    图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202512032841.1
    本发明提供一种图像传感器像素电路及其制造方法、图像传感器及电子设备，属于图像传感器技术领域，包括：光电二极管；硅基晶体管单元，用于将光电二极管产生的电荷转化为像素信号；碳纳米管晶体管，分别与光电二极管和硅基晶体管单元电连接，用于控制从光电二...
    2026-05-14
  • 具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素
    具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素_豪威科技股份有限公司_202510612041.4
    本发明提供一种具有沟渠隔离结构的图像传感器及像素，所述图像传感器包括多个像素及形成在像素之间的多个深沟渠隔离件。深沟渠隔离件包括多个背侧深沟渠隔离件和多个前侧深沟渠隔离件，背侧深沟渠隔离件从衬底的背面延伸并从外部围绕相应的像素的光电二极管和...
    2026-05-14
  • 硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列
    硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列_湘潭大学_202610500701.4
    本发明涉及硅探测器技术领域，具体公开了一种硅漂移探测器及简化加压方式的硅漂移探测器阵列，其中硅漂移探测器，包括：基体、六边形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链；基体的底层整面为阴极，且覆盖有第一电极接触层；六边形阳极位于基体的顶层中心，且覆盖...
    2026-05-14
  • 双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法
    双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法_松山湖材料实验室_202610096307.9
    本发明涉及光电技术领域，具体涉及双模态偏振融合视觉传感器及其制备方法、模型构建方法。本发明中，传感器中的铁电层利用体光伏效应和铁电性，可实现静态灰度成像；同时，铁电层与各向异性光敏层形成的范德华异质结，在偏振光照射下通过电荷重组‑捕获动力学...
    2026-05-14
  • 单光子雪崩二极管器件及其制造方法
    单光子雪崩二极管器件及其制造方法_武汉北极芯微电子有限公司_202610140057.4
    本公开实施例提供了一种单光子雪崩二极管及其制造方法。其中，单光子雪崩二极管器件包括：依次堆叠的感光吸收层和光路层，所述光路层设置于所述感光吸收层的进光侧；所述光路层，用于透过入射光，且所述光路层对入射光中目标波段的光子的透过率大于对非目标波...
    2026-05-14
  • 一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统
    一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统_华为技术有限公司_202512049619.2
    本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪...
    2026-05-14
  • 一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用
    一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用_浙江大学_202610467434.5
    本发明公开了一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用，通过金属层/Ga2O3肖特基结与Ga2O3/ZnO异质结接触的非对称接触工程与缺陷介导的光电导效应，制备了对二端电压(>6 V)信号与深紫外(255 n...
    2026-05-14
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