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最新专利技术
  • 一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用
    一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用_浙江大学_202610467434.5
    本发明公开了一种氧化镓/氧化锌基多模态光电突触器件及其制备方法和在神经形态计算中的应用，通过金属层/Ga2O3肖特基结与Ga2O3/ZnO异质结接触的非对称接触工程与缺陷介导的光电导效应，制备了对二端电压(>6 V)信号与深紫外(255 n...
    2026-05-14
  • CuI、α-Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法
    CuI、α-Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法_苏州镓和半导体有限公司_202610196085.8
    本申请涉及光电探测器件领域，公开了CuI、α‑Ga2O3 pn结双极性光响应器件及其制备方法，包括：首先通过水热反应及高温退火工艺在FTO基底上生长结晶性良好的α‑Ga2O3纳米柱阵列；随后将CuI粉末分散于二丙基硫醚与氯苯的特定比例混合溶...
    2026-05-14
  • 一种光电探测器及其制作方法和光谱仪
    一种光电探测器及其制作方法和光谱仪_浙江大学杭州国际科创中心_202610459177.0
    本发明涉及一种光电探测器及其制作方法和光谱仪，所述光电探测器包括：P型半导体衬底，所述P型半导体衬底用于在被测光的作用下产生电子‑空穴对；宽禁带氧化物层，宽禁带氧化物层覆盖在所述P型半导体衬底表面，厚度为1‑20nm，且宽禁带氧化物层的价带...
    2026-05-14
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610488299.2
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：多个电池串包括：沿第一方向排布的多个电池片，电池片包括：第一栅线及第二栅线，沿第一方向相邻的两个电池串中最靠近相邻电池串的电池片为第一边缘电池片；第一导电层，第一导电层包括沿第一方向延伸且沿第二方...
    2026-05-14
  • 光伏组件
    光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610468573.X
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：沿第一方向排布的第一电池单元和第二电池单元；电连接件，电连接件沿第一方向延伸，电连接件与第一电池单元以及第二电池单元电性连接；隔离层，隔离层位于电连接件与第一电池单元之间，且位于电连接件与第二电池...
    2026-05-14
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610442107.4
    本申请提供了一种光伏组件，每个串组包括若干并联的电池串，若干串组相互串联，串组包括至少一个中间串组以及位于若干串组的两端的两个端部串组，至少部分相邻串组之间通过第一汇流件串联，两个端部串组的端部设置有至少一条第二汇流件，第一电连接件电性连接...
    2026-05-14
  • 一种电池串组件及其制作方法
    一种电池串组件及其制作方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610203303.6
    本发明公开一种电池串组件及其制作方法，涉及光伏组件技术领域。该电池串组件包括电池串、汇流条、第一绝缘缓冲层和第二绝缘缓冲层；焊带包括电气连接在电池片背面的连接焊带以及朝向电池片的背面翻折的翻折焊带，多个翻折焊带沿着汇流条的长度方向排列；第一...
    2026-05-14
  • 一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法
    一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610178867.9
    本发明公开一种应用于光伏组件的绝缘结构、光伏组件及制备方法。绝缘结构包括：双侧具有胶粘性且包括第一部分和第二部分的绝缘粘固层；设置在绝缘粘固层的第二部分的至少一部分的一侧的附加绝缘层；其中，第一部分的一部分可翻折至附加绝缘层的上方使得附加绝...
    2026-05-14
  • 一种全黑背接触电池及其制备方法和应用
    一种全黑背接触电池及其制备方法和应用_广州高景太阳能科技有限公司_202610182070.6
    本发明涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种全黑背接触电池及其制备方法和应用。所述的全黑背接触电池，由下至上依次包括：层叠设置的黑色边框、黑色背板、背接触电池片层、黑色钝化抗反射层、黑色封装胶膜层、减反射涂层和透明盖板；其中，所述黑色钝化抗反...
    2026-05-14
  • 碲化镉与晶硅叠层BIPV组件
    碲化镉与晶硅叠层BIPV组件_广东明阳薄膜科技有限公司_202610028952.7
    本发明公开了一种碲化镉与晶硅叠层BIPV组件，包括依次叠置的背板、第一封装层、晶硅芯片层、碲化镉芯片层、第二封装层、前板，其中，前板包括基层，基层设置于第二封装层背离碲化镉芯片层的一侧面，基层背离第二封装层的一侧面均匀阵列有多个纳米棱台，纳...
    2026-05-14
  • 一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610451229.X
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触电池包括基底，基底的第一面包括交替排布的第一区、第三区和第二区，第一区至少覆盖有隧穿氧化层和N型多晶硅层，第二区至少覆盖有P型缓变掺杂非晶硅层，第三区覆盖有...
    2026-05-14
  • 一种三端五结太阳电池及其制备方法
    一种三端五结太阳电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512040686.8
    本发明公开了一种三端五结太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括自上而下设置的AlGaInP子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、横向传导层、第一渐变缓冲层、GaInAs子电池、第四隧穿结...
    2026-05-14
  • 一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法
    一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012915.5
    本发明公开了一种具有抗辐照的多结柔性砷化镓激光电池及其制备方法，外沿结构包括衬底，以及依次设置在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、N层GaInP阻挡渐变层、下帽层、GaInP窗口层、GaInAs接触层、N结GaInAs子电池和上帽层，相邻的两...
    2026-05-14
  • 一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法
    一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012914.0
    本发明公开了一种低成本反向匹配两结GaInP/GaAs的太阳电池及其制备方法，太阳电池的外沿结构包括砷化镓衬底，以及设置在砷化镓衬底上的三层GaAs缓冲层、三层GaInP阻挡层、三层GaAs帽层、三层AlGaInP顶电池、第一遂穿结、三层 ...
    2026-05-14
  • 一种高电压1064nm InGaAs激光电池
    一种高电压1064nm InGaAs激光电池_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012910.2
    本发明公开了一种高电压1064nm InGaAs激光电池，所述激光电池的外延结构包括衬底，以及依次设置在衬底上的GaAs缓冲层、AlGaAs隧穿结、AlGaInAs渐变层、N‑1结GaInAs子电池、第N‑1层GaInP窗口层、第N结GaI...
    2026-05-14
  • 叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置
    叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411612180.9
    本申请涉及一种叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置，叠层太阳能电池包括层叠设置的第一电池部、复合层和第二电池部，复合层位于第一电池部和第二电池部之间，复合层包括绝缘多孔层和导电颗粒，绝缘多孔层具有连通第一电池部和第...
    2026-05-14
  • 一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件
    一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202610189569.X
    本申请实施例提供了一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件，包括：从器件正面到背面的第一SCR结构和从背面到正面的第二SCR结构；在所述第一SCR结构和第二SCR结构之间设置有第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，形成一双向低容纵向结构SCR...
    2026-05-14
  • MOS结构的ESD器件
    MOS结构的ESD器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610140025.4
    本发明公开了一种MOS结构的ESD器件，位于P阱中，包含位于中心的漏区，以及位于漏区两侧对称排布的源区；所述源区与漏区之间的半导体衬底或外延层表面具有栅极结构；在俯视平面上，在重掺杂的漏区的两端各有一个独立的重掺杂P型注入区；所述的重掺杂P...
    2026-05-14
  • 低压SCR器件
    低压SCR器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131962.3
    本申请提供一种低压SCR器件，包括：衬底、第一阱区、第二阱区、至少一个第一PN结单元、至少一个第二PN结单元、多个浅沟槽隔离结构以及第三PN结单元和一第一重掺杂区，其中，第三PN结单元和第一重掺杂区分别位于第一阱区和第二阱区中并且位于第一P...
    2026-05-14
  • ESD器件
    ESD器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610083423.7
    本申请提供一种ESD器件，包括：衬底、多个呈蛇形的主体多晶硅层、位于主体多晶硅层底部的阱区以及各主体多晶硅层两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区，本申请通过将衬底上的主体多晶硅层设置为蛇形，在保留原有的横向PN结面积的同时，增加了蛇形弯角(各个...
    2026-05-14
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