Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET
    具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET_瑞萨电子株式会社_202511425872.7
    本公开涉及具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的半导体衬底。半导体衬底可以具有上表面和底表面。半导体衬底可以由多晶硅碳化物制成。半导体结构还可以包括位于半导体衬底的上表面上的第一导电类型的漂移...
    2026-05-10
  • 晶体管器件及其制作方法
    晶体管器件及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511931318.6
    本公开提供了一种晶体管器件及其制作方法。晶体管器件包括：沟道层、势垒层、栅极、第一电极、第二电极、第一连接块、第二连接块、介质层；所述势垒层层叠在所述沟道层上，所述介质层层叠在所述势垒层上，所述栅极位于所述介质层上；所述沟道层与所述势垒层的...
    2026-05-10
  • 一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路
    一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路_西安电子科技大学_202511986480.8
    本发明公开了一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路，制作方法是一种工艺兼容的单片集成流程，避免了现有单片集成流程中二次外延等复杂工艺，使横向GaN低压晶体管和垂直GaN高压晶体管的制作步骤工艺冲突最小化，在单一芯片上实现了横向GaN...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012134.6
    一种制造半导体器件的方法，包括 : 在衬底上方交替地沉积牺牲层和沟道层，使得位于第一沟道层下方的第二沟道层薄于第一沟道层；图案化半导体堆叠件，以形成鳍；使鳍凹进，以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中外延地沉积半导体材料，以形成源极/漏极...
    2026-05-10
  • 集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法
    集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017933.4
    本发明提供一种集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法。该方法在半导体衬底上限定出第一、第二及第三电压器件区域。在形成第一和第二电压器件所需的阱区时，第三电压器件区域中的第一、第二导电类型器件分别借用第一或第二电压器件的对应阱区。利用新增...
    2026-05-10
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202610159786.4
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体材料层；形成第一掩膜层，第一掩膜层形成暴露半导体材料层的第一区域的第一开口，至少遮挡半导体材料层的第二区域；基于第一掩膜层对第一区域执行第一离子注入工艺，形成第一导电类型的第一...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411570732.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备。该半导体结构的制造方法包括：在衬底上制作多个第一隔离结构；制作位于任意相邻两个第一隔离结构之间的第一信号线；制作覆盖第一隔离结构和第一信号线的第一绝缘层；在第一绝缘层上制作多个第二隔离结构；...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411586350.0
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，衬底内具有若干间隔分布的源漏沟槽，源漏沟槽从衬底的表面延伸至衬底内；在源漏沟槽内形成第一嵌入式外延层，第一嵌入式外延层填充源漏沟槽；在第一嵌入式外延层上形成第二嵌入式外延层，第二嵌入式外延层覆盖第一嵌...
    2026-05-10
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202511599812.7
    一种集成电路装置包括：基底；以及金属氧化物半导体电容器(MOSCAP)，在基底上。MOSCAP包括：下半导体器件，在基底上，下半导体器件包括一对下源极/漏极区域和所述一对下源极/漏极区域之间的下栅极结构；以及上半导体器件，在下半导体器件上，...
    2026-05-10
  • 一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法
    一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法_南京大学_202610468534.X
    本发明提供了一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法，属于半导体技术领域。该电路结构包括自下而上设置的衬底层、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮极化诱导空穴传输层、氮化镓沟道层和势垒层，器件上具有电学连接的2DEG电阻区和增强型肖特基栅极G...
    2026-05-10
  • 一种SOI基GaN凹栅半桥集成器件及其制备方法
    一种SOI基GaN凹栅半桥集成器件及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202411536430.5
    本发明涉及一种SOI基GaN凹栅半桥集成器件及其制备方法，包括从下而上依次设置的SOI基底、AlN层、GaN层、AlGaN层和第二绝缘介质层；所述SOI基底包括基底硅、第一绝缘介质层和顶层硅；刻蚀第二绝缘介质层，生长源极金属和漏极金属，其中...
    2026-05-10
  • 一种SOI基MIS p-GaN HEMT半桥集成电路及其制备方法
    一种SOI基MIS p-GaN HEMT半桥集成电路及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202411536439.6
    本发明涉及一种SOI基MIS p‑GaN HEMT半桥集成电路及其制备方法，包括从下而上依次设置的SOI基底、AlN层、GaN层、AlGaN层、p‑GaN层和第二绝缘介质层；SOI基底包括基底硅、第一绝缘介质层和顶层硅；刻蚀p‑GaN层及第...
    2026-05-10
  • 一种单片集成GaN HEMT和Si MOS双栅双向开关cascode及其制备方法
    一种单片集成GaN HEMT和Si MOS双栅双向开关cascode及其制备方法_西安电子科技大学_202511911014.3
    本发明公开了一种单片集成GaN HEMT和Si MOS双栅双向开关cascode及其制备方法，涉及半导体技术领域，该结构包括衬底及集成的双栅GaN HEMT与两个Si MOS，三者通过钝化层隔离。双栅GaN HEMT设有第一栅极和第二栅极，...
    2026-05-10
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511951785.5
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：所述晶体管包括：沟道层、势垒层、第一栅极、第二栅极、第一电极、第二电极和第三电极；所述势垒层层叠在所述沟道层上，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述势垒层上，所述第一电极、所述第二电极和所述第...
    2026-05-10
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511951839.8
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：沟道层、势垒层、第一栅极、第二栅极、第一电极、第二电极和介质层；第一栅极和第二栅极均包括P型氮化镓层、N型氮化镓层以及栅金属层；势垒层层叠在沟道层上，P型氮化镓层和N型氮化镓层依次层叠在势垒...
    2026-05-10
  • 薄膜晶体管及其制造方法
    薄膜晶体管及其制造方法_张江国家实验室_202411559064.5
    本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够以简便且与产业兼容的方式对源/漏与沟道的接触性能进行调控，无需额外的设备和工艺步骤，且无需更换电极材料。所述薄膜晶体管包括：有源层；沉积于所述有源层表面的界面功能层；以及经由所述界面功能层与所述有源...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510915816.5
    一种半导体器件，包括：衬底；多个晶体管结构，设置在衬底上，并且在平行于衬底的表面的第一方向上彼此间隔开，多个晶体管结构中的每个晶体管结构包括下部有源图案和在与第一方向相交的第二方向上与下部有源图案间隔开的上部有源图案；栅极切割膜，设置在多个...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511361813.8
    提供了一种半导体器件，其包括：多个有源图案，所述多个有源图案在与衬底的表面相交的第一方向上间隔开；栅电极，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且围绕所述多个有源图案；以及源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在与所述第一方向和所述第...
    2026-05-10
  • 集成电路器件及制造集成电路器件的方法
    集成电路器件及制造集成电路器件的方法_三星电子株式会社_202511592525.3
    提供了集成电路器件和形成集成电路器件的方法。集成电路器件可以包括：在基板上的第一晶体管；以及在第一晶体管上的第二晶体管，其中第一晶体管在垂直于基板的上表面的垂直方向上在基板与第二晶体管之间，其中第一晶体管包括：在垂直方向上彼此间隔开的第一沟...
    2026-05-10
  • 互补场效应晶体管器件结构及其制备方法
    互补场效应晶体管器件结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511946235.4
    本发明公开互补场效应晶体管器件结构及其制备方法，涉及晶体管技术领域，以解决现有技术中传统二维铁电半导体材料无法实现P型晶体管、传统硅基材料在纳米尺度下性能提升受限的技术问题。互补场效应晶体管器件结构包括：衬底；形成于衬底上的至少一组异质结单...
    2026-05-10
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证