Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种基于精准控制的通信设备智能储能散热方法及系统
    一种基于精准控制的通信设备智能储能散热方法及系统_浙江省邮电工程建设有限公司_202511894301.8
    本发明公开了一种基于精准控制的通信设备智能储能散热方法及系统，涉及通信设备储能散热技术领域，首先通过量热法和能量转换效率计算，精准评估储能型与转换型发热单元在设定时间段内的温升，标记超出安全温度阈值的待处理单元，随后通过硬件、软件、结构优化...
    2026-05-11
  • 一种数据中心余热梯级利用方法、系统、设备及介质
    一种数据中心余热梯级利用方法、系统、设备及介质_贵州电网有限责任公司_202512044596.6
    本发明公开了一种数据中心余热梯级利用方法、系统、设备及介质，方法包括对数据中心服务器的液态冷却工质进行温度测量，得到余热温度，并根据余热温度确定可用的余热利用子系统；结合当前环境参数、用能需求以及可用的余热利用子系统，采用强化学习模型确定余...
    2026-05-11
  • 一种数据中心制冷系统的调控方法、设备及计算机程序产品
    一种数据中心制冷系统的调控方法、设备及计算机程序产品_科大讯飞股份有限公司_202610390631.1
    本申请公开了一种数据中心制冷系统的调控方法、设备及计算机程序产品，该方法包括：先通过对目标数据中心制冷系统的过往运行数据(如冷却塔的下塔水温)和所处环境的环境数据(如室外干球温度和含湿量)进行拟合处理，确定出目标数据中心制冷系统所处的时空点...
    2026-05-11
  • 一种具有高散热和缓冲减震的多层石墨散热结构
    一种具有高散热和缓冲减震的多层石墨散热结构_吴江朗恩电子科技有限公司_202610400775.0
    本发明涉及石墨层技术领域，公开了一种具有高散热和缓冲减震的多层石墨散热结构，自上而下依次包括第一黑色含胶麦拉层、第一高导热层、第一双面胶层、缓冲层、第二双面胶层、第二高导热层和第二黑色含胶麦拉层。本发明采用双层高导热石墨结构，形成高效热传导...
    2026-05-11
  • 一种GPU服务器机柜水冷散热装置
    一种GPU服务器机柜水冷散热装置_重庆亿众数字能源科技有限公司_202610458608.1
    本发明涉及服务器设备冷却技术领域，公开了一种GPU服务器机柜水冷散热装置，包括导热基板以及设置于导热基板内的多个微通道，每个所述微通道内均设有转板和清理框；所述导热基板内位于微通道一侧设有容纳腔，所述转板转动连接于所述容纳腔靠近微通道的一侧...
    2026-05-11
  • 一种矿用隔爆兼本质安全型可编程控制箱
    一种矿用隔爆兼本质安全型可编程控制箱_山西新长防矿用防爆电器有限公司_202610462672.7
    本发明属于控制箱技术领域，具体的说是一种矿用隔爆兼本质安全型可编程控制箱，包括隔爆箱体、本质安全型控制中心和辅助组件，本质安全型控制中心布置在隔爆箱体内部，通过顶部的接头与周围的矿用电力设备进行控制连接，辅助组件包括操作按钮、显示界面和冷却...
    2026-05-11
  • 一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用
    一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511942244.6
    本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，涉及一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用。本发明公开了一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜，其为三层结构，依次包括第一纤维素‑聚乙烯醇支撑层、过渡金属硫碳化物层、第二纤维素‑...
    2026-05-11
  • 一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法
    一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法_西南技术物理研究所_202511981930.4
    本发明涉及一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法，属于电磁兼容与吸波材料技术领域。所述方法通过将钼源、硫源和碳源一步混合并高温煅烧，直接制备出MoS2/C复合介电吸波剂。该工艺简化了传统多步合成流程，实现了组分间的紧密接触。...
    2026-05-11
  • 一种抗电磁干扰的滤波装置
    一种抗电磁干扰的滤波装置_重庆大及电子科技有限公司_202610308643.5
    本发明公开了一种抗电磁干扰的滤波装置，涉及滤波装置技术领域。本发明包括滤波装置主体，包括外壳，外壳的内部分隔有第一信号仓、电源仓和第二信号仓，外壳的顶部固定连接有顶盖；第一信号仓和第二信号仓的内部分别安装有第一信号防护板和第二信号防护板，电...
    2026-05-11
  • 一种可调模块化电磁屏蔽结构
    一种可调模块化电磁屏蔽结构_安徽农业大学_202610325618.8
    本发明提供一种可调模块化电磁屏蔽结构。所述可调模块化电磁屏蔽结构，包括多个L型单体模块，所述L型单体模块由相互垂直连接的第一边段和第二边段构成，且第一边段的长度大于第二边段的长度，多个所述L型单体模块能够相互拼接组成二维与三维空间的模块化电...
    2026-05-11
  • 一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法
    一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法_沈阳化工大学_202610400377.9
    一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法，属于电磁波吸收技术领域。本发明以电化学剥离法制备的石墨烯Gr作为导电基体，对其进行功能化处理。通过溶液法在其表面负载针状铁氧体FeOOH制备出Gr/FeOOH中间体，后续又通过一...
    2026-05-11
  • 静态随机存取存储器结构以及其制作方法
    静态随机存取存储器结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411660252.7
    本发明公开一种静态随机存取存储器结构以及其制作方法，其中静态随机存取存储器结构包含一硅基底，一浅沟隔离位于硅基底上，一第一鳍状结构连接硅基底，并且突出浅沟隔离，一第一栅极结构，跨越第一鳍状结构与部分浅沟隔离，使第一栅极结构覆盖第一鳍状结构的...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411525619.4
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统。所述半导体结构包括：存储阵列，所述存储阵列包括第一子阵列和第二子阵列；所述第一子阵列包括：沿第一方向延伸且沿第二方向和第三方向均间隔排布的第一半导体柱；所述第二子阵列包括：沿所...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411546156.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括多个存储结构、多个引出层和多个连接部。存储结构包括沿垂直于层叠方向的第一方向堆叠设置的电容单元和第一晶体管结构。多个存储结构沿第二方向排布成层，且沿层...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411547476.7
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一晶体管结构、电容单元和第二晶体管结构。电容单元包括第一内电极、第二内电极、第一外电极、第二外电极、公共电极和介电层。第一内电极和第二内电极沿与层叠...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器
    半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器_北京超弦存储器研究院_202411554712.8
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器。半导体器件包括：基底，基底包括衬底和设置于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括交替设置的第一绝缘层和第二绝缘层；若干贯穿堆叠结构且沿第一方向设置的第一孔结构和第二孔结构，第一...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器
    半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器_北京超弦存储器研究院_202411554729.3
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器。半导体器件包括：衬底和设置于衬底上的叠层结构，叠层结构包括交替设置的第一半导体层和绝缘层；若干贯穿叠层结构且沿第一方向设置的第一孔结构和第二孔结构，第一方向平行于衬底；...
    2026-05-11
  • 半导体器件和半导体器件的制备方法
    半导体器件和半导体器件的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411558584.4
    一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括衬底，第一半导体柱，沿垂直于衬底的方向延伸，包括第一侧壁和第二侧壁，第二半导体柱，沿垂直于衬底的方向延伸，与第一半导体柱的第一侧壁连接，第一字线，设置在第一半导体柱的第二侧壁上，其中，第...
    2026-05-11
  • 嵌入式存储器及电子设备
    嵌入式存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411562546.6
    本申请实施例公开一种嵌入式存储器及电子设备，涉及半导体技术领域。嵌入式存储器具有逻辑区和存储区。嵌入式存储器包括衬底、存储电容器和晶体管。衬底具有第一表面。晶体管位于第一表面上。晶体管包括沟道部和栅极；栅极位于沟道部的远离衬底的一侧表面和靠...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411571317.0
    一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：位于衬底上的多个堆叠子结构，多个堆叠子结构沿第一方向间隔排布，每个堆叠子结构包括沿竖直方向交替叠设的有源层和第一介质层；字线层，字线层位于堆叠子结构的顶面及垂直于第一方向的侧壁，且字线层的底端低...
    2026-05-11
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证