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  • 本申请涉及数据中心制冷控制的技术领域,公开一种基于风液混合架构的数据中心预制冷控制方法及系统,包括:S1、获取数据中心的运行数据,根据运行数据预测数据中心的总产热量;S2、根据总产热量进行风冷与液冷处理份额的分配;S3、获取风冷与液冷的延迟...
  • 本申请涉及传感器技术领域,特别是涉及一种传感器及传感器的封装方法,本申请的传感器,电路板内设有供电层,电路板的左侧设有第一卡槽,电路板的右侧设有第二卡槽,第一卡槽和第二卡槽中的至少一个暴露供电层;芯片连接于电路板在电路板的上端;屏蔽罩包括本...
  • 本发明公开了一种基于仿生周期单元与多级核壳填料的多功能宽频电磁吸波复合材料及其制备方法,多级核壳填料为原材料,采用浸渍技术,通过配置不同浓度的高损耗涂料和阻抗匹配涂料,对仿生周期单元进行浸渍,获得电磁吸波复合材料。本发明实现了电磁参数在三维...
  • 本发明公开了一种VC/Al2O3/FeCoNi相衍生原位复合材料及其制备方法和应用,属于电磁波吸收材料领域。本发明要解决如何增强MAX相衍生物在电磁衰减中的磁介电效应以及界面极化的问题。本发明用固相反应法和熔盐法方法,将铁钴镍磁性金属元素引...
  • 本发明公开了一种具有优异电磁波吸收性能的NiCo@C@C/MXene复合材料及其制备方法。该材料提出了一种多组分异质界面工程策略,利用聚多巴胺包覆普鲁士蓝类似物前驱体并结合MXene,经高温热解制备得到具有分层结构的NiCo@C@C/MXe...
  • 本申请提供了一种电源屏蔽装置和车载电源,其中电源屏蔽装置包括:壳体,所述壳体包括互相连接的底板与多个侧壁,所述底板与多个所述侧壁形成带有开口的容置空间;屏蔽件,所述屏蔽件设置于所述容置空间内,并与所述底板连接,以将所述容置空间分割形成隔离腔...
  • 本发明涉及电磁屏蔽机箱技术领域,具体涉及具有电磁屏蔽功能的碳纤维复合材料机箱,包括箱体,还包括外接屏蔽组件,包括插设在外接口中的连接管,连接管的外环上安装有加固套,连接管中设有多个屏蔽板,连接管端口设有多个防护气囊;可调节散热组件,包括设置...
  • 本发明涉及车辆制动控制技术领域,具体为一种电动汽车制动系统电磁兼容自适应屏蔽系统,包括电磁环境感知单元、电动汽车装置智能决策控制单元、自适应屏蔽执行单元、信号滤波净化单元、状态反馈与诊断单元。本发明通过柔性智能超表面与有源抵消融合架构及分层...
  • 本发明涉及主板贴片设备技术领域,提出了一种工控机主板全自动贴片与检测一体化设备,包括工作台,工作台的顶部固定连接有防护箱,防护箱内侧设置有输送机构,防护箱的上料端设置有前端检测机构,前端检测机构包括安装座,安装座的一侧转动连接有转动座,转动...
  • 本发明公开一种无人自动插件系统,包括插件机、多个供料设备及至少一个AGV小车;插件机具有载板轨道及抓取装置;每个供料设备的供料区域均位于抓取装置的抓取范围内,每个供料设备均包括机架、输送装置、升降装置、缓存装置、转移装置以及送料装置;输送装...
  • 本申请公开了一种贴合方法及贴装机。贴合方法包括如下步骤:输送装置放卷并输送载有主件的料带;两个供料装置放卷并输送载有子件的载带;料带上的主件到达第一工位;料带上的另一主件到达第二工位;贴合装置抓取其中一个供料装置所输送的载带上的子件贴合至第...
  • 本发明公开了一种侧发光LED数码管拼接设备,涉及一种数码管拼接领域,包括设备平台和固定于设备平台顶部后侧的立柱,立柱顶部固定连接有横梁,横梁上滑动连接有滑动基座,滑动基座通过横梁后侧固定设置的直线电机调节横向位置;滑动基座上设置有高度调节组...
  • 本发明涉及集成电路制造技术领域,尤其是一种用于LED灯带的电路板生产设备,包括贴片机以及安装在其移动端的载物板,载物板上固定安装有支撑板,所述支撑板正上方设置有用于支撑与吸附电路板的柔性吸板。通过柔性吸板及板面张紧机构,能够在贴片和焊接工序...
  • 本申请涉及一种水泵电机控制板贴片设备,包括机台、第一机械手、第二机械手、编带供料器、上料台、检测台、下料台、废料台,及机台上的集成式返工模块;第一机械手集成焊锡器与第一吸附组件,第二机械手集成第二吸附组件;返工模块含定位承载机构、拆件机构、...
  • 本发明属于固晶技术领域,具体公开了一种摆臂式固晶机及摆臂位置确定方法,包括:四个摆臂组件,每个所述摆臂组件包括摆臂、驱动摆臂转动的主轴电机和与所述主轴电机输出轴连接的伸缩单元,所述伸缩单元的输出轴上连接有取晶吸嘴;机架,四个所述摆臂组件安装...
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备,所述半导体器件包括:至少一个存储单元,所述存储单元包括垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管,且第一晶体管和第二晶体管为垂直沟道晶体管;第一晶体管的第一半导体层包括沿垂直于衬底方向延伸的开口的环形第一侧壁,第...
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备,半导体器件包括:至少一个存储单元,所述存储单元包括垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管为垂直沟道晶体管;第二晶体管的第二半导体层与第一晶体管的第一栅电极连接;第一晶体管的第一半导体层...
  • 本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备,涉及数据存储技术领域。该存储阵列包括衬底和多个存储单元,每个存储单元又包括晶体管,晶体管又包括源极、漏极、栅极和沟道。其中,源极包括形成在衬底中的源极掺杂区,漏极包括金属硅化物层,沟道位...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件以及制造方法,半导体器件包括:多个有源区设置在第一区域,各有源区包括第一连接端和第二连接端;多个第一电容器设置在第一区域,各第一电容器包括第一上电极和第一下电极,各第一电容器的第一下电极连接各第一连接端;多个...
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备,半导体器件包括:多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列,存储单元阵列包括至少一列存储单元;多条垂直延伸的位线,不同层相同位置的存储单元连接到同一条位线;多条沿第二方向延伸的字线;存储单元包括晶体管,晶体...
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