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最新专利技术
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610500790.2
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，隔离部的中间部分中掺杂有第三主族元素和第五主族元素中，中间部分中的第五主族元素的平均掺杂浓度大于中间部分中的第三主族元素的平均掺杂浓度，中间部分中的第五...
    2026-05-14
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512058877.7
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，背接触电池上设有若干包括第一防断栅线和第二防断栅线的防断栅线组，防断栅线组的设置可以降低第一细栅和第二细栅的断裂风险，进而有效地保证载流子的收集效果以保...
    2026-05-14
  • 一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件
    一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件_华为技术有限公司_202610045111.7
    本申请提供了一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件，涉及光伏技术领域。薄膜光伏电池包括透明电极、多个第一栅线、多个第一绝缘层、电池单元、背电极及至少一个第二栅线。多个第一栅线、多个第一绝缘层及电池单元均设置于透明电极的一侧。多个第一栅...
    2026-05-14
  • 一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件
    一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件_华为技术有限公司_202610045296.1
    本申请提供了一种薄膜光伏电池、薄膜光伏组件及叠层光伏组件，涉及光伏技术领域。薄膜光伏电池包括透明电极、多个第一栅线、多个绝缘层、电池单元、背电极及第二栅线。在透明电极的厚度方向上，多个第一栅线、多个绝缘层及电池单元均设置于透明电极的一侧。多...
    2026-05-14
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610063958.8
    本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件。电池包括半导体基底、掺杂层和钝化层；钝化层开设有窗口，使得掺杂层部分裸露；电极结构，位于钝化层背离半导体基底的一侧，电极结构包括：种子层和贱金属层；种子层包括：主体部、第一金属颗粒和第二金属颗粒，主体部...
    2026-05-14
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610170063.4
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括电池主体以及设置于电池主体上的栅线，沿栅线的厚度方向上，栅线的截面宽度自靠近电池主体的底部向远离电池主体的顶部缩窄，且栅线的截面中至少一个侧边为折线形轮廓。本申请能有效减少光的反...
    2026-05-14
  • 太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512060853.5
    本发明涉及光伏电池领域，具体公开了一种太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统。其中，太阳能电池包括：硅基底、第一隧穿层、第一扩散阻挡层、第一掺杂层、第一钝化层和第一电极。硅基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面或第二表面沿第二方...
    2026-05-14
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610194979.3
    本发明涉及光伏技术领域，具体涉及太阳电池及其制备方法和光伏组件，该太阳电池包括：具有凹槽的电池基体，以及依次形成于凹槽的第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层、TiN隔离层，和形成于TiN层的栅线，其中，第一过渡层的Ni含量≥第二过渡层的Ni含...
    2026-05-14
  • 一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法
    一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法_中茂绿能科技(西安)有限公司_202610200447.6
    本发明公开了一种基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池及其制备方法，属于光伏器件技术领域，该基于复合窗口层的CdTe薄膜光伏电池自下而上依次为透明导电衬底、复合窗口层、CdTe吸收层、ZnTe界面修饰层和金属背电极；所述复合窗口层由CdS层、...
    2026-05-14
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610205529.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及光伏组件。在本申请实施例中，通过在基底的第一表面的第一区域设置隧穿层和掺杂导电层，可以提升与第一电极的接触性能，有利于载流子的传输，并且，相较于还在第二区域设置隧穿层和掺杂导电层的方式而言...
    2026-05-14
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512038753.2
    本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供一LED外延片，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上沉积透明导电层；在透明导电层上形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为刻蚀掩膜，对透...
    2026-05-14
  • 一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统
    一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统_合肥泰沃达智能装备有限公司_202610103694.4
    本发明公开了一种激光直刻灰阶微纳结构加工方法、MicroLED芯片及MicroLED亮度校准系统，涉及MicroLED制造技术领域，激光直刻灰阶微纳结构加工方法包括：对巨量转移后的MicroLED阵列进行逐像素亮度检测，获取每个像素的实测亮...
    2026-05-14
  • 一种光控人工突触器件及其制备方法
    一种光控人工突触器件及其制备方法_苏州晶台光电有限公司_202610175150.9
    本发明实施例公开了一种光控人工突触器件及其制备方法。该人工突触器件包括沿厚度方向依次层叠设置的衬底、发光层和突触功能层：发光层，设置于衬底上，发光层的发光面朝向突触功能层；突触功能层用于响应发光层发出的光信号，产生模拟生物突触行为的电导变化...
    2026-05-14
  • 一种Mini红光发光二极管及其制备方法
    一种Mini红光发光二极管及其制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202610368309.9
    本发明涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种Mini红光发光二极管及其制备方法。本发明通过MOCVD法生长外延结构，经键合替换衬底，经刻蚀制备台面及ISO隔离沟道后，依次沉积Al2O3保护层与SiO2辅助防护层，蒸镀两组叠层的DBR反射层...
    2026-05-14
  • 覆晶发光二极管
    覆晶发光二极管_台亚半导体股份有限公司_202510107964.4
    本发明提供一种覆晶发光二极管，包括基材、发光结构、P型电极结构及N型电极结构。发光结构位于基材上且包括磷化镓层及半导体外延结构，且磷化镓层位于基材及半导体外延结构之间。半导体外延结构包括依序形成的P型电流散布层、发光层、N型半导体层及透明欧...
    2026-05-14
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202610235449.9
    本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该LED芯片包括键合衬底和位于键合衬底一侧层叠的键合层、镜面反射层、介质层以及外延叠层，键合衬底背离键合层一侧设置有第一电极，外延叠层背离键合衬底一侧设置有第二电极，介质层具有...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202610203076.7
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延层和侧壁阻挡层；所述外延层包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间，且所述外延层包括台阶，所述台阶的...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202610476953.8
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流扩展层；所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层依次层叠，所述第二半导体层的表面开设有延伸到所述第一半导体层的第一台阶面，所述第二半导体...
    2026-05-14
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938498.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延层、多个n电极以及多个p电极，所述外延层包括依次层叠的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，所述多个n电极和所述多个p电极位于所述外延层的同一侧且均与所述外延...
    2026-05-14
  • 水平式发光二极管及其制造方法
    水平式发光二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985270.2
    本发明提供一种水平式发光二极管及其制造方法，水平式发光二极管包含一永久基板、一外延复合层、一第一导电型电极、一第二导电型电极及一欧姆接触层。其中，外延复合层具有发光波段为1100～2000纳米(nm)的一发光层，设置于永久基板上。第一导电型...
    2026-05-14
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