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最新专利技术
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610188070.7
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括硅基体，硅基体具有第一导电类型掺杂元素，硅基体的第一表面包括依次远离硅基体设置的第一载流子收集层层、第一钝化层和第一电极，第一载流子收集层层具有第二导电类型掺杂元素，第一导电类型与第二...
    2026-05-10
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197678.6
    本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本发明提供的背接触太阳能电池，在第一区域和第二区域之间的隔离区域上形成掺杂区域，利用掺杂区域形成反向旁路通道，同时控制掺杂区深度的等浓度轮廓形状，以平衡旁路通道的关态...
    2026-05-10
  • 光伏组件
    光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411563075.0
    本发明公开了一种光伏组件。光伏组件包括面板、背板、电池片层和第一封装胶膜层，背板与面板层叠设置，电池片层位于面板与背板之间，第一封装胶膜层位于电池片层与面板之间，面板背离第一封装胶膜层的一侧设有含氟膜层，含氟膜层沿厚度方向的至少一侧设有减反...
    2026-05-10
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610427523.7
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，至少可以提高光伏组件的性能，并节约制备成本。光伏组件包括：多个电池片和焊带，多个电池片包括相邻的第一电池片和第二电池片；焊带位于第一电池片与第二电池片上，并电性连接第一电池片和第二电池片，焊带包括导电部...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202411584601.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，主要提供一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：具有相对设置的入光面和背光面的硅衬底；位于入光面且沿远离硅衬底方向依次层叠的第一本征非晶硅层、第一掺杂层；其中，第一掺杂层包括纳米晶氧化硅层；位于背光面且沿...
    2026-05-10
  • 太阳电池、其制备方法及光伏组件
    太阳电池、其制备方法及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411591663.5
    本发明涉及电池技术领域，公开了一种太阳电池、其制备方法及光伏组件。该太阳电池包括：硅基体；设于硅基体的钝化接触结构，钝化接触结构包括依次设置的第一介质层、纳米硅层、第二介质层、第一掺杂层、第一功能层以及第一电极；通过设置纳米硅层，能够提高对...
    2026-05-10
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610195440.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及光伏组件，能够简化制备工艺，背接触电池包括：半导体基底，包括第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域、第二区域及第三区域，在第一区域的表面形成有掺杂晶硅区，所述掺杂晶硅区为半导体基底内加...
    2026-05-10
  • 一种倒装光电二极管及其制作方法
    一种倒装光电二极管及其制作方法_武汉光迅科技股份有限公司_202411557820.0
    本发明涉及芯片制造技术领域，特别是涉及一种倒装光电二极管及其制作方法，包括：外延片、反射层以及透镜层，在外延片上设置有P电极和N电极；透镜层接收来自激光器的光信号，外延片吸收光信号产生电信号，并通过P电极和N电极对电信号进行传输；反射层对光...
    2026-05-10
  • 基于侧面电极的空间偏转宽带微波传输的封装结构
    基于侧面电极的空间偏转宽带微波传输的封装结构_清华大学_202511906882.2
    本发明公开了一种基于侧面电极的空间偏转宽带微波传输的封装结构，其中，传输结构包括第一薄膜电路和第二薄膜电路；第一薄膜电路包括第一基板和制作在第一基板的正面上的第一接地共面波导；第二薄膜电路包括第二基板和制作在第二基板的正面上的第二接地共面波...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201894.3
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池的技术领域。所述半导体基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一极性掺杂层、第二极性掺杂层和隔离区，且所述第一极性掺杂层和第二极性掺杂层的掺杂类型不同；其中，...
    2026-05-10
  • 一种LED芯片组件及其制作方法
    一种LED芯片组件及其制作方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411555073.7
    本申请涉及一种LED芯片组件及其制作方法。其中LED芯片组件制作方法包括：提供一外延片，该外延片包括衬底以及生长于衬底的第一面上的外延层；于衬底的第二面开设第一应力释放槽；于第一应力释放槽中填充第一热膨胀材料，第一热膨胀材料的热膨胀系数小于...
    2026-05-10
  • 一种高显色指数白光器件及其制备方法与应用
    一种高显色指数白光器件及其制备方法与应用_南通大学_202511854341.X
    本申请公开了一种高显色指数白光器件及其制备方法与应用，黄色YAG和宽谱带的红色、绿色氮化物荧光粉，提高LED的显色指数，柔性聚合物作为封装材料，制出应用于照明光源的高显色指数白光LED器件；在黄色荧光粉基础上添加红色荧光粉和绿色荧光粉，得到...
    2026-05-10
  • 一种UVB外延片及其制备方法
    一种UVB外延片及其制备方法_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202411566022.4
    本发明公开了一种UVB外延片及其制备方法，所述UVB外延片包括：衬底及所述衬底第一表面的缓冲层；位于所述缓冲层上的AlN层；组分为x的AlxGa1‑xN层；超晶格层，所述超晶格层包括应力释放层和过渡层，每个应力释放层包含若干周期，每个周期的...
    2026-05-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511881156.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括依次串联的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元与第一电极电连接，第三发光单元与第二电极电连接；第一发光单元和第三发光单元围绕第二发光单元设置，第二发光单元的发光面呈圆形，...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511905926.X
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延结构、反射钝化层、第一电极和第二电极；所述外延结构包括依次层叠的p型半导体层、发光层以及n型半导体层；所述n型半导体层包括n型欧姆接触层，所述n型欧姆接触层包...
    2026-05-10
  • 半导体芯片及其制备方法
    半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511966807.5
    本公开提供了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该半导体芯片，包括：衬底和遮光层；衬底包括生长面和支撑面，生长面和支撑面分别为衬底的相反两面；遮光层位于衬底的支撑面。本公开能够有效提高扫描电子显微镜检测和光刻的准确性。
    2026-05-10
  • 发光二极管芯片及其制作方法
    发光二极管芯片及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511919911.9
    本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括外延层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层、以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层；所述透明导电层位...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938699.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构和透明导电层；外延结构包括第一通孔，透明导电层位于外延结构表面上，透明导电层包括围绕第一通孔的第二通孔，第二通孔包括主体部和多个延伸部，多个延伸部围绕主体部，且与主体部相连。
    2026-05-10
  • 半导体芯片及其制备方法
    半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511942112.3
    本公开公开了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片，包括外延层和钝化层；钝化层包括依次叠设在外延层一面的缓冲层、渐变层和覆盖层，缓冲层、渐变层和覆盖层的叠设方向为外延层的生长方向。本公开实施例能够在保证发光效率的情况下...
    2026-05-10
  • 一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置
    一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置_广东聚华印刷显示技术有限公司_202411552628.2
    本申请属于显示技术领域，涉及一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置。所述薄膜包括：聚合物阻挡层，具有开口；所述开口中设有激发单元和发光材料；其中，所述激发单元的材料包括金属纳米粒子。本申请中开口内含有金属纳米粒子的激发单元具有表面等离...
    2026-05-10
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