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最新专利技术
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610500449.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成氧化物层与氮化物层，刻蚀氮化物层、氧化物层以及部分厚度的衬底形成浅沟槽，形成填满浅沟槽并覆盖氮化物层的隔离材料层；平坦化隔离材料层至在氮化物层上剩余部分厚度的隔离材料...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610502429.3
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成叠层结构，叠层结构包括层叠设置的研磨停止层和掩膜层，掩膜层位于研磨停止层远离基底的一侧；于叠层结构中形成隔离沟槽，隔离沟槽贯穿叠层结构，并延伸至基底中；于...
    2026-05-14
  • 半导体存储器结构及制备方法
    半导体存储器结构及制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610169983.4
    本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法，能够消除沟槽填充多种材料层的过程中出现的凹槽，提高半导体存储器的良率。半导体存储器结构包括：衬底；位于衬底上表面的至少一个第一沟槽；第一介电层，沿第一沟槽的内壁分布；第二介电层，位于第一介电层的表面...
    2026-05-14
  • 空气桥制备方法、装置及电子设备
    空气桥制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411543564.X
    本发明公开了一种空气桥制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该空气桥制备方法中，在具有目标支撑层的衬底表面溅射溅射目标金属材料，形成由目标相态的目标金属材料构成的目标金属层，去除目标支撑层，获得由目标金属层构成的空气桥。上述空气桥...
    2026-05-14
  • 空气桥制备方法、装置及电子设备
    空气桥制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411543570.5
    本发明公开了一种空气桥制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该空气桥制备方法包括：获取初始衬底；在初始衬底的上表面形成由硬质材料构成的硬质支撑层，硬质材料的硬度大于预设硬度，预设硬度由光刻胶硬度决定；形成覆盖硬质支撑层的目标超导层...
    2026-05-14
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411670983.X
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要包含先形成第一金属间介电层于基底上以及第一金属内连线于第一金属间介电层内，然后形成一接触垫于第一金属间介电层上，形成一保护层于接触垫上，去除部分保护层并暴露接触垫，对接触垫进...
    2026-05-14
  • 互连结构制作方法及半导体结构
    互连结构制作方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443738.8
    本申请公开了一种互连结构制作方法及半导体结构，包括：在衬底上形成介电层，介电层的材料包括低介电常数材料；在介电层上形成底部连接衬底的通孔；使用亚稳态粒子激发的氮自由基，对通孔的内壁进行第一处理，以对内壁上的低介电常数材料的表面进行改性；在表...
    2026-05-14
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610479111.8
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：于半导体衬底内形成多个沟槽，多个沟槽包括隔离槽与沟道槽，沟道槽的深度小于隔离槽的深度；于半导体衬底的一侧形成隔离材料层；对隔离材料层进行研磨，以去除位于沟槽之间的隔离材料...
    2026-05-14
  • 集成电路和电子设备
    集成电路和电子设备_华为技术有限公司_202411577819.4
    本申请实施例提供了一种集成电路和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，集成电路包括芯片、多个第一连接件、第一导电组和第二导电组。芯片开设有间隔设置的多个第一通孔，第一通孔贯穿芯片。第一连接件设置在第一通孔中。第一导电组和第二导电组分设在芯片...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610475642.X
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的第一表面上；掺杂氮化物基半导体层，位于外延层远离衬底的一侧，掺杂氮化物基半导体层包括位于密封环区的第一部分；至少一层介质层；至少一层互连...
    2026-05-14
  • 一种耗尽型氮化镓场效应管
    一种耗尽型氮化镓场效应管_摩驱科技(深圳)有限公司_202510120494.5
    本发明公开了一种耗尽型氮化镓场效应管，包括一组氮化镓晶体管晶圆，每个氮化镓晶体管晶圆上都布设有漏极焊盘、源极焊盘和栅极焊盘，一组氮化镓晶体管晶圆并联连接；还包括一个硅晶体管晶圆，硅晶体管晶圆与一组并联氮化镓晶体管晶圆级联连结；还包括三个或多...
    2026-05-14
  • 膜封装、包括膜封装的半导体模块和显示装置
    膜封装、包括膜封装的半导体模块和显示装置_三星电子株式会社_202510975467.6
    提供了一种膜封装、半导体模块和显示装置。半导体模块包括膜封装和连接到膜封装的第一表面的印刷电路板。膜封装包括：基膜、位于基膜的第一表面上的半导体芯片、以及位于基膜的第一表面上的第一导电图案。第一导电图案包括第一电路图案和第一虚设图案。第一虚...
    2026-05-14
  • 半导体模块和电子装置
    半导体模块和电子装置_株式会社电装_202511615157.X
    提供半导体模块和电子装置。半导体模块具备：第一半导体芯片(31)及第二半导体芯片(32)，形成有开关元件；第一热沉(21)，相对于第一半导体芯片(31)设置在第二面(1b)侧，配置有第一半导体芯片(31)；第二热沉(22)，相对于第二半导体...
    2026-05-14
  • 一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构
    一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构_深圳市先行设备科技有限公司_202610151740.8
    本发明公开了一种用于集成电路及电磁屏蔽的集成装置及其封装结构，包括：一个厚度为1‑10, 000µm的金刚石层，所述金刚石层包含p型或n型掺杂区域，被配置为同时用作散热器和微波衰减器；以及至少一个环绕所述金刚石层边缘的侧壁结构，所述侧壁结构...
    2026-05-14
  • 一种近场热辐射分流装置及方法
    一种近场热辐射分流装置及方法_苏州城市学院_202610470764.X
    本发明公开了一种近场热辐射分流装置及方法，涉及微纳尺度热传输技术领域，旨在解决现有近场热管理方案依赖外部激励、结构复杂、分流调控范围窄、精度低的问题。该装置包括至少三个间距处于近场范围的纳米颗粒，至少一个为非球形结构且可旋转调节，利用非球形...
    2026-05-14
  • 功率模组和功率变换装置
    功率模组和功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202411587883.0
    本申请实施例提供一种功率模组和功率变换装置，涉及电子器件技术领域，用于解决提升换热板的刚度，降低换热板出现翘曲变形的可能性。该功率变换装置中，功率模组包括功率芯片、基板和换热板，功率芯片设置在基板上，换热板设置于基板远离功率芯片的一侧。换热...
    2026-05-14
  • 冷却组件和用于制造冷却器的方法
    冷却组件和用于制造冷却器的方法_半导体元件工业有限责任公司_202511652948.X
    提供了一种冷却组件和用于制造冷却器的方法，该冷却组件用于耗散由半导体器件产生的热量。该组件包括冷却器，该冷却器具有限定内部流体通道的壳体和顶板。冷却器包括设置在其中的至少一个增强结构，该结构由不同于顶板或壳体的材料的增强材料构成。增强结构增...
    2026-05-14
  • 芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品
    芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品_武汉杰开科技有限公司_202610076880.3
    本申请实施例提供一种芯片控制方法、装置、芯片、存储介质及程序产品。该方法包括：通过核心温度传感器，采集芯片的中心区域的温度数据；并通过每一局部温度传感器，采集与局部温度传感器对应的功率模块的温度数据；根据每一功率模块的温度数据与中心区域的温...
    2026-05-14
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_南京大学_202610214958.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：绝缘层、沟道层和势垒层。沟道层位于绝缘层的第一表面；势垒层位于沟道层远离绝缘层一侧的表面；势垒层远离沟道层的一侧表面上依次设置有源极、栅极和漏极；栅极与源极和漏极之间均间隔设...
    2026-05-14
  • 一种提升功率器件过流能力的封装结构
    一种提升功率器件过流能力的封装结构_华中科技大学_202511969503.4
    本发明属于器件封装技术领域，公开了一种提升功率器件过流能力的封装结构，包括：金属基板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片和FRD芯片、相变材料热缓冲模块及功率端子；本发明所述的热阻‑热容协同优化模块同时利用了芯片上下表面进行热管理，在瞬态时可实现底部...
    2026-05-14
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