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最新专利技术
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411558672.4
    本申请公开了一种衬底处理方法，涉及半导体制造技术领域，所述处理方法包括：提供具有凸起部和沟槽的衬底，所述凸起部的表面具有第一氧化层；湿法刻蚀所述衬底，清除所述第一氧化层；在所述衬底上形成第二氧化层，其中，所述第二氧化层的厚度小于所述第一氧化...
    2026-05-14
  • 金属层的刻蚀方法
    金属层的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610062845.6
    本申请公开了一种金属层的刻蚀方法，包括：在铝金属层覆盖光阻，依次通过曝光和显影去除目标区域的光阻，使目标区域的铝金属层暴露，铝金属层形成于钨金属层上，钨金属层形成于衬底上方，该衬底用于形成半导体器件；进行第一阶段的刻蚀，刻蚀至目标区域中铝金...
    2026-05-14
  • 用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法
    用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法_启迪原子私人有限公司_202511644718.9
    本发明公开了一种用于高深宽比结构原子层刻蚀工艺以及快速原位衬里沉积的系统及方法。该系统包含加压前驱体缓冲器，且加压前驱体缓冲器设置在气体/前驱体输送单元附近。在ALE工艺循环内，会在预定间隔插入原位衬里沉积步骤。系统控制器对缓冲器内的实时前...
    2026-05-14
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411595624.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成目标栅极结构；形成光刻胶层于半导体衬底上；利用光罩对光刻胶层进行光刻以形成图形化光刻胶层，光罩包括由透光基板形成的透光区、由透光基板和覆...
    2026-05-14
  • 基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法
    基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202610478564.9
    本发明公开一种基于解耦氧化和退火工艺的铪锆氧铁电薄膜的制备方法，涉及晶圆技术领域。其包括如下步骤：S1：在衬底的表面沉积铪锆金属叠层薄膜；S2：对步骤S1得到的铪锆金属叠层薄膜进行氧化处理得到非晶态铪锆氧化物薄膜；S3：对非晶态铪锆氧化物薄...
    2026-05-14
  • 一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用
    一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用_铜陵职业技术学院_202610180125.X
    本发明涉及功能氧化物薄膜材料技术领域，具体为一种基于单乙醇胺调控的LaNiO3薄膜的制备方法及其应用，包括以下步骤：S1、将镧源和镍源溶解于有机溶剂中，制备LaNiO3前驱体溶液；S2、向所述前驱体溶液中添加单乙醇胺作为稳定剂，其中单乙醇胺...
    2026-05-14
  • 选择性外延生长方法
    选择性外延生长方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610017918.X
    本申请提供一种选择性外延生长方法，首先在工艺腔室中保持DCS和GeH4流量不变，逐渐增加SiH4流量，做多组对比实验，以获取SiH4流量和锗硅外延层的生长速率之间的关系式，以及获取锗含量和DCS、GeH4和SiH4流量之间的关系式，然后利用...
    2026-05-14
  • 一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法
    一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511343305.7
    本发明涉及一种自诱导结晶相变存储单元及其制备方法，包括相变存储介质层，所述相变存储介质层是由相变材料层和自诱导结晶InyTe100‑y材料层垂直堆叠周期交替生长而形成的多层结构，其中，20≤y≤80。本发明的自诱导结晶相变存储单元具有快速数...
    2026-05-14
  • 一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用
    一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用_西安交通大学口腔医院_202610228994.5
    本发明属于医疗器械技术领域，具体涉及一种用于牙周炎检测的生物忆阻器及其制备方法和应用。生物忆阻器通过电学响应测试，能够有效地区分正常唾液、牙龈炎唾液和I期牙周炎唾液，表现出显著差异的电流响应和更大的电阻窗口，突显了其在牙周炎早期检测中的潜力...
    2026-05-14
  • 一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法
    一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法_湖北工业大学_202610103178.1
    本发明涉及半导体器件与神经形态计算领域，具体涉及一种基于Ag纳米颗粒修饰MoS2/HfO2的双结构忆阻器及其制备方法。制备过程包括在衬底上依次沉积Pt底电极、HfO2阻变层，以及通过热蒸发与退火形成Ag纳米颗粒层，继而转移MoS2薄膜，最后...
    2026-05-14
  • 基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用
    基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用_北京理工大学_202512032196.3
    本发明的实施例提供了一种基于半金属材料的跨维度相变器件、制备方法、相变诱导方法及应用，属于拓扑量子器件的技术领域。该跨维度相变器件包括：SiO2/Si衬底；位于SiO2/Si衬底上表面的半金属材料层且其初始状态为二维铁电相；金属电极，与半金...
    2026-05-14
  • 一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件
    一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件_微软技术许可有限责任公司_202610281222.8
    描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分，以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质，其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包...
    2026-05-14
  • 超导量子比特、制备方法及超导量子芯片
    超导量子比特、制备方法及超导量子芯片_北京量子信息科学研究院_202512032176.6
    本申请公开了一种超导量子比特、制备方法及超导量子芯片。超导量子比特包括：衬底、电容和约瑟夫森结。衬底具有通孔，通孔的侧壁设置有超导材料形成的垂直互连结构；电容包括：第一超导电极和第二超导电极。第一超导电极具有第一预设形状，设置于衬底的第一表...
    2026-05-14
  • 一种多芯片系统及超导量子芯片的扩展方法
    一种多芯片系统及超导量子芯片的扩展方法_北京量子信息科学研究院_202512032122.X
    本申请公开一种多芯片系统及超导量子芯片的扩展方法。扩展方法包括：制备具有量子功能层的上片；制备具有互连布线层的下片；将一个所述上片和一个所述下片进行倒装焊键合，制得超导量子芯片单元；将多个所述超导量子芯片单元进行片外互连，完成所述超导量子芯...
    2026-05-14
  • 一种三维霍尔传感器
    一种三维霍尔传感器_美新半导体(无锡)有限公司_202610150034.1
    本发明提供一种三维霍尔传感器，其包括：与X轴和Y轴定义的平面平行的霍尔功能层；分别形成于霍尔功能层的四个边角的第一电极、第三电极、第五电极和第七电极；分别形成于霍尔功能层的四个侧边的第二电极、第四电极、第六电极和第八电极，第二电极位于第一电...
    2026-05-14
  • 基于分子自旋电子器件的加密元件及方法
    基于分子自旋电子器件的加密元件及方法_国家纳米科学中心_202511859130.5
    本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种基于分子自旋电子器件的加密元件及方法。加密元件包括自旋信号加密元件，自旋信号加密元件由分子自旋电子器件、反相器和多路选择器通过导电导线连接组成，分子自旋电子器件包括依次设置的衬底、底部铁磁电极、界面层、...
    2026-05-14
  • 一种电子学器件电极及其制备方法与应用
    一种电子学器件电极及其制备方法与应用_中国科学院化学研究所_202411607438.6
    本发明公开了一种电子学器件电极及其制备方法与应用。本发明电子学器件电极的组装方法，包括如下步骤：1)在基底上，制备抗拉伸黏附层，并进行淬火处理，在抗拉伸黏附层上制备电极层，进行氧等离子体处理，然后剥离并固定在贴合夹具上，得到上层结构；2)在...
    2026-05-14
  • 改善三维各向异性磁阻传感器产品噪声的方法及产品
    改善三维各向异性磁阻传感器产品噪声的方法及产品_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610109158.5
    本发明提供一种改善三维各向异性磁阻传感器产品噪声的方法及产品。该方法包括：提供具有下层金属层、介质层及通孔的基底；设计并形成通过通孔与下层金属层连接的顶层金属层，其上设焊盘区域；在焊盘区域下方，对通孔布局进行优化，包括将通孔间距设为大于3微...
    2026-05-14
  • 一种磁性隧道结的隧穿磁电阻增强方法及磁性隧道结
    一种磁性隧道结的隧穿磁电阻增强方法及磁性隧道结_致真精密设备(杭州)有限公司_202610057645.1
    本发明公开了一种磁性隧道结的隧穿磁电阻增强方法及磁性隧道结，属于功能材料制备及自旋电子学技术领域。所述方法包括：S1、在基底上依次沉积缓冲层和包括第一耦合层的钉扎层；S2、在沉积MgO势垒层前，对所述钉扎层进行预退火处理；S3、在经预退火的...
    2026-05-14
  • 致动器
    致动器_株式会社村田制作所_202511643213.0
    本发明涉及一种致动器，减少振动板与支承体的粘合部位所涉及的应力。致动器(10)具备压电振动体(100)和支承体(ST1)。压电振动体具备具有相互对置的面(F311)和面(F312)的板部件(31)、和配置于面(F312)的压电元件。支承体在...
    2026-05-14
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