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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法、控制方法
    一种半导体器件及其制造方法、控制方法_无锡华润微电子有限公司_202411595256.1
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、控制方法，该制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管；形成覆盖晶体管的第一介电层；在第一介电层上形成彼此并联连接的第一电容和第二电容，其中，第一电容包括第一顶电极层、第一电容介质层和第一底电极层，第二...
    2026-05-15
  • 具有双极半导体沟道的存储器架构
    具有双极半导体沟道的存储器架构_美光科技公司_202511649359.6
    本申请案涉及具有双极半导体沟道的存储器架构。存储器装置可包含：多个导体，其各自与存储器阵列的相应激活线相关联；及支柱，其延伸穿过所述导体。所述支柱可包含沿着所述支柱的长度延伸且与沿着所述支柱的所述长度的双极沟道相关联的半导体材料。所述存储器...
    2026-05-15
  • 低氯元素含量的非易失性存储器ONO结构的制备方法
    低氯元素含量的非易失性存储器ONO结构的制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610098653.0
    本发明提供一种低氯元素含量的非易失性存储器ONO结构的制备方法。该方法包括：在衬底表面利用原位水蒸气生成工艺生长氧化层；利用等离子体氮化工艺对氧化层进行渗氮处理，形成隧穿氧化层和阶梯层的复合结构；对复合结构进行氮化后退火处理；随后利用沉积工...
    2026-05-15
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_力旺电子股份有限公司_202511611384.5
    提供一种制造半导体装置的方法，其包含步骤：通过沉积工艺，在一批晶圆中的第一晶圆的第一氧化层上形成第一捕获电荷层；取得所述第一捕获电荷层的第一均匀度轮廓；根据所述第一均匀度轮廓和目标均匀度轮廓中的一者，决定所述第一晶圆的第一前馈补偿信息；基于...
    2026-05-15
  • 半导体装置和包括半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510690130.0
    提供了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。根据本公开的半导体装置可包括：外围电路结构，包括基底和电路元件，基底具有第一区域和第二区域，电路元件在基底上，第一区域和第二区域在第一方向上布置；以及单元结构，在外围电路结构上，单元结构包括：模制...
    2026-05-15
  • 存储器装置及制造该存储器装置的方法
    存储器装置及制造该存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510603981.7
    存储器装置及制造该存储器装置的方法，该存储器装置包括其中导电层和层间绝缘层在层叠方向上交替层叠的层叠体。存储器装置还包括包围层叠体的芯片区域的芯片保护件，芯片保护件在层叠方向上穿透层叠体。存储器装置还包括电联接到芯片保护件的测试电极。测试电...
    2026-05-15
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202610034965.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第二区域形成有凹槽；分别位于第一区域和第二区域的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构在第一方向上的高度大于第二浅沟槽隔离结构的在第...
    2026-05-15
  • 应用于闪存器件制作中的工艺方法
    应用于闪存器件制作中的工艺方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610140167.0
    本申请公开了一种应用于闪存器件制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底上用于形成图形结构的区域包括闪存单元的有源区，有源区的衬底正面从下而上依次形成有第一氧化物层、浮栅和硬掩模层，有源区之间形成有凹槽，凹槽中填充有隔离层，隔离层的顶部低于硬...
    2026-05-15
  • CMOS工艺中浮栅型分栅闪存及制造方法
    CMOS工艺中浮栅型分栅闪存及制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610140083.7
    本发明公开了一种CMOS工艺中浮栅型分栅闪存及制造方法，在半导体衬底上包含存储单元区及逻辑区；所述的存储单元包含选择管以及位于选择管两侧对称排布的存储管；所述的选择管的选择栅形成于第一侧墙及第二侧墙形成的沟槽型空间内；所述第一侧墙的下方为控...
    2026-05-15
  • 闪存器件的制备方法
    闪存器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131979.9
    本申请提供一种闪存器件的制备方法，在刻蚀存储区的堆叠膜层以形成第一沟槽和第二沟槽的过程中，不打开引出区的堆叠的衬垫氧化层、浮栅材料层、ONO膜层、控制栅材料层、第一介质层和多晶硅材料层，随后刻蚀去除引出区的整片的多晶硅材料层、第一介质层和部...
    2026-05-15
  • 提升闪存可靠性的方法
    提升闪存可靠性的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610121542.7
    本发明提供一种提升闪存可靠性的方法。该方法在提供已制作有存储单元结构的衬底后，沉积一层耐湿法腐蚀的保护材料层(如氮化硅)，并通过刻蚀仅在存储单元侧壁的第一侧墙外形成保护侧墙。在随后的湿法刻蚀工艺中，保护侧墙阻挡化学试剂侵蚀第一侧墙，防止其发...
    2026-05-15
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610121519.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，衬底上形成有沟槽结构；采用化学气相沉积工艺，在沟槽内表面沉积多晶硅晶种层；采用化学气相沉积工艺，在晶种层上沉积主多晶硅层直至填满沟槽；其中，步骤二的工艺压力设置为高于步骤三的工艺压力...
    2026-05-15
  • 多次可编程器件结构及其制造方法
    多次可编程器件结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610036465.5
    本发明提供一种多次可编程器件结构及其制造方法。该结构包括衬底、浅沟槽隔离结构、浮栅及接触结构。其中，控制栅接触件的底面坐落于浅沟槽隔离结构之上，下方去除了控制栅有源区；控制栅接触件邻近浮栅侧壁设置，其侧面作为控制栅极，通过介质材料与浮栅侧壁...
    2026-05-15
  • 嵌入式闪存的制造方法
    嵌入式闪存的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610036420.8
    本发明提供一种嵌入式闪存的制造方法。该方法包括：提供衬底，定义出具有第一间距的源极线区域和具有第二间距的位线区域，且第一间距小于第二间距；沉积导电材料，利用间距差异使导电材料在源极线区域呈填满状态，在位线区域呈非填满状态；对导电材料进行图形...
    2026-05-15
  • 闪存及其制造方法
    闪存及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411873431.9
    本发明提供一种闪存及其制造方法。所述闪存包括衬底、第一栅极组件、第一掺杂区、第一间隔件、顶盖层、硬掩模层、第一接触件、第一保护层、第二保护层、第二栅极组件、第二掺杂区以及第二间隔件。第一保护层设置于第一接触件与硬掩模层、顶盖层以及第一间隔件...
    2026-05-15
  • 半导体装置以及制造半导体装置的方法
    半导体装置以及制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510589185.2
    本公开涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：基板，其包括第一区域和第二区域；栅极结构，其定位在基板上方并且从第一区域延伸到第二区域；层叠物，其在基板上方定位在第二区域中；第一支撑件，其在第一区域中延伸穿过栅极结构并且在第一...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610475581.7
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括层叠的半导体层和初始牺牲层，堆叠结构具有沟槽，沟槽至少贯穿堆叠结构并露出衬底的部分表面；沿第一方向刻蚀初始牺牲...
    2026-05-15
  • 存储装置
    存储装置_株式会社半导体能源研究所_202610215255.2
    本发明提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层，该存储元件群的每一个都包括多个存储元件，该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电...
    2026-05-15
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_福建省晋华集成电路有限公司_202610076420.0
    本申请提供一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，包括被隔离结构定义的堆叠结构；字线，沿垂直方向延伸，并位于堆叠结构的一侧；半导体层，位于堆叠结构的另一侧，并与字线相对设置；其中，半导体层和字线直接接触。该半导体存储器件用以达到提高...
    2026-05-15
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511636607.3
    一种半导体装置包括：衬底，其包括第一有源区；字线，其与第一有源区交叉并且在第一方向上延伸；以及位线，其与字线交叉并且在第二方向上延伸，其中位线包括：包括半导体材料的第一位线导电层，在第一位线导电层上的第二位线导电层，在第二位线导电层上的第三...
    2026-05-15
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