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  • 本发明涉及一种晶片封装体及晶片封装体的制造方法,该晶片封装体包括半导体基板、接合胶、支撑件、第一保护层与第二保护层。半导体基板的顶面具有导电垫与感测区,且半导体基板的顶面的角落具有沟槽。接合胶位于沟槽中。支撑件覆盖接合胶与导电垫,且围绕感测...
  • 本公开涉及图像传感器封装件和相关方法。形成图像传感器封装件的方法的具体实施可包括:提供包括图像传感器管芯的图像传感器衬底;将透光衬底键合到该图像传感器衬底;在该图像传感器衬底上形成多个电互连件;并且在形成该多个电互连件之后,将该透光衬底减薄...
  • 本公开涉及具有多栅极转移晶体管的图像传感器像素单元。用于图像传感器的像素单元包含各自安置于半导体材料内的第一光电二极管、第二光电二极管及浮动扩散部。像素单元进一步包含多栅极转移晶体管,多栅极转移晶体管经配置以将第一光电二极管及第二光电二极管...
  • 本发明公开了一种仿生视觉适应光电晶体管及其制备方法,光电晶体管包括:一衬底;一位于衬底之上的栅极介质层;一位于栅极介质层之上的单层金属氧化物纳米纤维网络功能层;一位于单层金属氧化物纳米纤维网络功能层之上的源极和漏极,源极和漏极之间形成有半导...
  • 本发明公开了一种基于非对称结构与缺陷协同的多模态光电突触器件设计及操作方法,方法包括构建二端非对称结构器件,结构为金属层/功能层1/功能层2/电极,核心在于需在功能层1的两侧形成肖特基结/异质结的二端非对称功能结。本发明利用功能层中缺陷如氧...
  • 本发明的光检测元件具备:第一半导体层,其具有作为光入射面的第一主面、及与第一主面为相反侧的第二主面;绝缘层,其形成于第一主面上;第二半导体层,其经由绝缘层形成于第一主面上;以及猝灭元件,其相对于第二主面侧。第一半导体层具有:第一导电型的第一...
  • 本公开的实施例涉及电子设备。一种电子设备包括单光子雪崩二极管,该单光子雪崩二极管包括PN结,该PN结具有比1.2 µm小的第一尺寸,该单光子雪崩二极管被绝缘壁包围,该第一尺寸是该结的最小尺寸。
  • 本申请实施例提供了一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备,涉及光电转换器件技术领域,用于改善波导型雪崩光电二极管中噪声和暗电流较大的问题。该雪崩光电二极管包括第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层包括在第一方向上排布的波导部分和器件...
  • 本发明涉及半导体光电器件技术领域,公开了一种高性能面入射硅基锗探测器结构及其制备方法,结构包括SOI衬底,自下而上依次含硅衬底、埋氧层和由顶层硅刻蚀形成的内圈掺杂区;内圈掺杂区上方设有局部悬空的氧化硅模板层;埋氧层与模板层之间设有锗横向外延...
  • 本发明公开了一种复合焊带及光伏组件。所述复合焊带包括由铝材料构成的导电芯体,以及包覆于所述导电芯体外层的铜质导电覆材。复合焊带的总横截面积为S,单位为mm²,其导电覆材沿长度方向的单位长度质量为A,单位为g/m,其中A与S呈负相关,并满足关...
  • 本发明公开了一种曲面光伏瓦和光伏组件。本申请实施方式的曲面光伏瓦包括面板、多个电池片、连接线和背板,多个电池片沿至少一个方向排布,连接线设置在电池片的内部,连接线与电池片电连接,曲面光伏瓦形成有与相邻电池片连接的焊接部,焊接部与连接线的端部...
  • 本发明公开了一种曲面光伏瓦和光伏组件。本申请实施方式的曲面光伏瓦包括面板、多个电池片、焊带和背板,多个电池片沿至少一个方向排布,焊带沿第一方向连接相邻的两个电池片,焊带形成有与电池片焊接的第一焊点和第二焊点,第一焊点位于电池片的两端,第一焊...
  • 本发明涉及光伏技术领域,公开一种光伏组件的胶膜、光伏组件及光伏系统。光伏组件包括若干电池串,相邻的电池串至少部分重叠,并形成第一台阶结构。胶膜朝向电池串的一侧设有与若干电池串一一对应的电池串区域,相邻的电池串区域之间形成第二台阶结构,若干电...
  • 本发明提供一种太阳能光伏板层压前的一体化封装设备,包括在一机台上形成X轴向的一主输送道,用以间隔布设多个复材加工区,该主输送道滑组一底玻上料平台和一背玻上料平台,该主输送道并衔接一胶膜作业区;该主输送道和该底玻上料平台之间配置有一底玻传动器...
  • 本申请涉及光伏电池技术领域,提供一种光伏电池片及其制作方法、显示屏、电子设备,能够解决相关技术中的具有光伏电池的电子设备中光伏电池产生的电能较少,不利于电子设备续航时间提高的问题。该光伏电池片包括承载基板,以及设置于承载基板的光伏电池层;承...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件。该背接触太阳能电池包括基底,基底的背光面上形成有沿X向交替间隔排列的第一区域和第一区域,相邻的第一区域和第二区域的间隙形成第三区域,每个第一区域内形成有第一掺杂层,每个第二区域...
  • 本申请涉及一种背接触电池、背接触电池的制备方法和光伏组件。基底具有第一面,第一面包括交替排列的第一区域和第二区域。隧穿层设于第一区域,第一掺杂半导体层设于隧穿层远离基底的一侧。掺杂场区位于第一区域,掺杂场区和第一掺杂半导体层均具有第一掺杂元...
  • 本申请通过本申请提供一种具有SCR结构的ESD保护器件,第一阱区(PW)中的块状的第二重掺杂区(N+)和块状的第三重掺杂区(P+)交错排布,并且第二阱区(NW)中的块状的第五重掺杂区(P+)和块状的第六重掺杂区(N+)交错排布,由于SCR结...
  • 根据一些实施例,一种器件包括参考电源焊盘、负电源焊盘、连接到负电源焊盘的电阻器、以及连接到参考电源焊盘和负电源焊盘并且具有连接到电阻器的第一栅极电极的第一晶体管,其中响应于静电电压施加到参考电源焊盘或负电源焊盘之一,第一晶体管可操作用于将电...
  • 本发明公开一种静电放电保护装置,其包括一二极管、一电压箝位元件、一电子元件、一第一接脚与一第二接脚。二极管包括第一导电型的一第一掺杂区与第二导电型的一第二掺杂区,其中第一导电型与第二导电型相反。电压箝位元件电性连接第一掺杂区。电子元件包括第...
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