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最新专利技术
  • 集成电路及其形成方法
    集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045151.X
    集成电路包括具有在第一方向上延伸的第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域的衬底。第一有源区域和第二有源区域比第二有源区域和第三有源区域更靠近在一起。第一隔离结构位于第一有源区域和第二有源区域之间并且在第一有源区域和第二有源区域旁边延伸。第...
    2026-05-14
  • 半导体的形成方法
    半导体的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610055440.X
    一种半导体的形成方法包括形成环绕通道层堆叠的金属栅极结构、形成将金属栅极结构切割成两个隔离段的沟槽、以及在沟槽中形成栅极隔离结构。形成沟槽包括对金属栅极结构进行等离子蚀刻工艺，等离子蚀刻工艺包括第一步以及第一步之后的第二步。第一步具有第一源...
    2026-05-14
  • 堆叠晶体管及其制备方法、电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、电子设备_北京大学_202610116321.0
    本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、电子设备。该堆叠晶体管的制备方法包括：提供自上而下设置的第一材料层、绝缘层和第二材料层；对第一材料层进行离子注入，以得到第一深阱结构；基于第一深阱结构一部分形成第一浅阱结构，第一浅阱结构和第一深阱结构...
    2026-05-14
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202610116514.6
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构包括在第一方向上自下而上堆叠的第一牺牲层、第二有源结构和第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除第一牺牲层，并在第一...
    2026-05-14
  • 一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件
    一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件_南京邮电大学_202610209351.6
    本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件，其衬底与场板相连，并与地之间连接一个二极管，同时在漏极和二极管区域之间设置隔离区，所述二极管阳极接地、阴极接衬底。器件处于阻断状态时，隔离区阻止漏极高...
    2026-05-14
  • 晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法
    晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610109162.1
    本发明提供一种晶圆级MOS驱动化合物半导体组合器件及其制造方法。该器件包括具有垂直层叠结构的复合衬底，自上而下依次为半导体外延层、晶格缓冲层及化合物半导体叠层。增强型MOSFET集成于半导体外延层，耗尽型HEMT由化合物半导体叠层构成。MO...
    2026-05-14
  • 一种镓集成电路芯片及其制备方法
    一种镓集成电路芯片及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610466640.4
    本发明公开了一种镓集成电路芯片及其制备方法，属于半导体器件集成技术领域。所述镓集成电路芯片包括由主管器件和副管器件连接构成的基础电路模块，副管器件的漏极与主管器件的栅极连接，两者源极共接；主管与副管的栅极接收反相的输入信号；当主管因相邻电路...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510850491.7
    一种半导体装置包括：基底，具有前表面和后表面。所述装置包括：第一晶体管，设置在基底的前表面上并且包括第一栅电极和与第一栅电极相邻设置的第一源极/漏极图案。所述装置包括：前表面虚设堆叠结构，设置在第一晶体管上并且电浮置，前表面虚设堆叠结构从下...
    2026-05-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510967824.4
    一种半导体器件包括：基体结构，所述基体结构在第一方向上延伸；栅电极，所述栅电极设置在所述基体结构上，在第二方向上延伸，并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述基体结构上，在第三方向上彼此间隔开，并且...
    2026-05-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511078055.9
    一种半导体装置包括：合并单元，其包括在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，并且包括第一有源图案上的第一p型晶体管和第二有源图案上的第一n型晶体管；第一半单元，其在第二方向上与合并单元相邻并且包括第三有源图案；第二半单元，其在第二方向...
    2026-05-14
  • 具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用
    具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610484523.0
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了具有高瞬态耐受能力的氮化镓结构及其在机器臂急停装置中的应用，括MOS元胞组成的碳化硅器件，和GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；所述MOS元胞包括半导体外延层、MOS源...
    2026-05-14
  • 晶体管和包括该晶体管的显示装置
    晶体管和包括该晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511424418.X
    一种显示装置，包括基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括第一子像素和透射部，所述第二区域包括第二子像素。第一区域中的第一晶体管包括氧化物半导体有源层、栅极电极以及第一和第二源‑漏电极。设置在第一区域中的第二晶体管包括氧化物半...
    2026-05-14
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202610171220.3
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，包括衬底；驱动电路层，位于所述衬底的一侧，所述驱动电路层包括像素电路、第一导电结构、多个第一有源结构；其中，所述像素电路包括多个驱动晶体管，一所述驱动晶体管用于驱动一发光元件发光；所述第一导电结构在所述衬底...
    2026-05-14
  • 半导体布局图案以及其制作方法
    半导体布局图案以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411670879.0
    本发明公开一种半导体布局图案以及其制作方法，其中该半导体布局图案包含一基底，基底上有两个内容可寻址存储器(Content Addressable Memory, CAM)单元排列于一对称轴的两侧，以及一第一匹配线(matching line...
    2026-05-14
  • ESD器件
    ESD器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610083423.7
    本申请提供一种ESD器件，包括：衬底、多个呈蛇形的主体多晶硅层、位于主体多晶硅层底部的阱区以及各主体多晶硅层两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区，本申请通过将衬底上的主体多晶硅层设置为蛇形，在保留原有的横向PN结面积的同时，增加了蛇形弯角(各个...
    2026-05-14
  • 低压SCR器件
    低压SCR器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131962.3
    本申请提供一种低压SCR器件，包括：衬底、第一阱区、第二阱区、至少一个第一PN结单元、至少一个第二PN结单元、多个浅沟槽隔离结构以及第三PN结单元和一第一重掺杂区，其中，第三PN结单元和第一重掺杂区分别位于第一阱区和第二阱区中并且位于第一P...
    2026-05-14
  • MOS结构的ESD器件
    MOS结构的ESD器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610140025.4
    本发明公开了一种MOS结构的ESD器件，位于P阱中，包含位于中心的漏区，以及位于漏区两侧对称排布的源区；所述源区与漏区之间的半导体衬底或外延层表面具有栅极结构；在俯视平面上，在重掺杂的漏区的两端各有一个独立的重掺杂P型注入区；所述的重掺杂P...
    2026-05-14
  • 一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件
    一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202610189569.X
    本申请实施例提供了一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件，包括：从器件正面到背面的第一SCR结构和从背面到正面的第二SCR结构；在所述第一SCR结构和第二SCR结构之间设置有第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，形成一双向低容纵向结构SCR...
    2026-05-14
  • 叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置
    叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411612180.9
    本申请涉及一种叠层太阳能电池及其制备方法、光伏组件、系统、用电装置和发电装置，叠层太阳能电池包括层叠设置的第一电池部、复合层和第二电池部，复合层位于第一电池部和第二电池部之间，复合层包括绝缘多孔层和导电颗粒，绝缘多孔层具有连通第一电池部和第...
    2026-05-14
  • 一种高电压1064nm InGaAs激光电池
    一种高电压1064nm InGaAs激光电池_天津蓝天太阳科技有限公司_202512012910.2
    本发明公开了一种高电压1064nm InGaAs激光电池，所述激光电池的外延结构包括衬底，以及依次设置在衬底上的GaAs缓冲层、AlGaAs隧穿结、AlGaInAs渐变层、N‑1结GaInAs子电池、第N‑1层GaInP窗口层、第N结GaI...
    2026-05-14
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