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最新专利技术
  • 一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用
    一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511942244.6
    本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，涉及一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜及其制备方法与应用。本发明公开了一种具有电磁屏蔽效能的过渡金属硫碳化物复合膜，其为三层结构，依次包括第一纤维素‑聚乙烯醇支撑层、过渡金属硫碳化物层、第二纤维素‑...
    2026-05-11
  • 一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法
    一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法_西南技术物理研究所_202511981930.4
    本发明涉及一种基于MoS2/C复合介电吸波剂的抗电磁干扰设计方法，属于电磁兼容与吸波材料技术领域。所述方法通过将钼源、硫源和碳源一步混合并高温煅烧，直接制备出MoS2/C复合介电吸波剂。该工艺简化了传统多步合成流程，实现了组分间的紧密接触。...
    2026-05-11
  • 一种抗电磁干扰的滤波装置
    一种抗电磁干扰的滤波装置_重庆大及电子科技有限公司_202610308643.5
    本发明公开了一种抗电磁干扰的滤波装置，涉及滤波装置技术领域。本发明包括滤波装置主体，包括外壳，外壳的内部分隔有第一信号仓、电源仓和第二信号仓，外壳的顶部固定连接有顶盖；第一信号仓和第二信号仓的内部分别安装有第一信号防护板和第二信号防护板，电...
    2026-05-11
  • 一种可调模块化电磁屏蔽结构
    一种可调模块化电磁屏蔽结构_安徽农业大学_202610325618.8
    本发明提供一种可调模块化电磁屏蔽结构。所述可调模块化电磁屏蔽结构，包括多个L型单体模块，所述L型单体模块由相互垂直连接的第一边段和第二边段构成，且第一边段的长度大于第二边段的长度，多个所述L型单体模块能够相互拼接组成二维与三维空间的模块化电...
    2026-05-11
  • 一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法
    一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法_沈阳化工大学_202610400377.9
    一种宽频高效吸收电磁波的功能化石墨烯基复合吸波材料的制备方法，属于电磁波吸收技术领域。本发明以电化学剥离法制备的石墨烯Gr作为导电基体，对其进行功能化处理。通过溶液法在其表面负载针状铁氧体FeOOH制备出Gr/FeOOH中间体，后续又通过一...
    2026-05-11
  • 静态随机存取存储器结构以及其制作方法
    静态随机存取存储器结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411660252.7
    本发明公开一种静态随机存取存储器结构以及其制作方法，其中静态随机存取存储器结构包含一硅基底，一浅沟隔离位于硅基底上，一第一鳍状结构连接硅基底，并且突出浅沟隔离，一第一栅极结构，跨越第一鳍状结构与部分浅沟隔离，使第一栅极结构覆盖第一鳍状结构的...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411525619.4
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统。所述半导体结构包括：存储阵列，所述存储阵列包括第一子阵列和第二子阵列；所述第一子阵列包括：沿第一方向延伸且沿第二方向和第三方向均间隔排布的第一半导体柱；所述第二子阵列包括：沿所...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411546156.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括多个存储结构、多个引出层和多个连接部。存储结构包括沿垂直于层叠方向的第一方向堆叠设置的电容单元和第一晶体管结构。多个存储结构沿第二方向排布成层，且沿层...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411547476.7
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一晶体管结构、电容单元和第二晶体管结构。电容单元包括第一内电极、第二内电极、第一外电极、第二外电极、公共电极和介电层。第一内电极和第二内电极沿与层叠...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器
    半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器_北京超弦存储器研究院_202411554712.8
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器。半导体器件包括：基底，基底包括衬底和设置于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括交替设置的第一绝缘层和第二绝缘层；若干贯穿堆叠结构且沿第一方向设置的第一孔结构和第二孔结构，第一...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器
    半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器_北京超弦存储器研究院_202411554729.3
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储单元、读写方法及存储器。半导体器件包括：衬底和设置于衬底上的叠层结构，叠层结构包括交替设置的第一半导体层和绝缘层；若干贯穿叠层结构且沿第一方向设置的第一孔结构和第二孔结构，第一方向平行于衬底；...
    2026-05-11
  • 半导体器件和半导体器件的制备方法
    半导体器件和半导体器件的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411558584.4
    一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括衬底，第一半导体柱，沿垂直于衬底的方向延伸，包括第一侧壁和第二侧壁，第二半导体柱，沿垂直于衬底的方向延伸，与第一半导体柱的第一侧壁连接，第一字线，设置在第一半导体柱的第二侧壁上，其中，第...
    2026-05-11
  • 嵌入式存储器及电子设备
    嵌入式存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411562546.6
    本申请实施例公开一种嵌入式存储器及电子设备，涉及半导体技术领域。嵌入式存储器具有逻辑区和存储区。嵌入式存储器包括衬底、存储电容器和晶体管。衬底具有第一表面。晶体管位于第一表面上。晶体管包括沟道部和栅极；栅极位于沟道部的远离衬底的一侧表面和靠...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411571317.0
    一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：位于衬底上的多个堆叠子结构，多个堆叠子结构沿第一方向间隔排布，每个堆叠子结构包括沿竖直方向交替叠设的有源层和第一介质层；字线层，字线层位于堆叠子结构的顶面及垂直于第一方向的侧壁，且字线层的底端低...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411571437.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件：包括字线结构、第一沟道结构以及第二沟道结构。第一沟道结构沿第一方向延伸。第二沟道结构沿第一方向延伸，其中，第一沟道结构和第二沟道结构在第二方向上具有间隔距离。字线结构沿...
    2026-05-11
  • 动态随机存储器及其制作方法
    动态随机存储器及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411573886.9
    提供一种动态随机存储器及其制备方法，包括：衬底，设置有阵列区和外围区；有源区，呈阵列式排布设置于阵列区；字线结构，设置于衬底中并穿过有源区；位线结构设置于阵列区，包括位线电极结构设置于有源区上；位线侧墙包括，第一侧墙设置于第二侧墙与位线电极...
    2026-05-11
  • 一种存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411578033.4
    本申请公开了一种存储阵列、存储器及电子设备，涉及存储技术领域，存储阵列包括多个器件组和第一介质层，第一介质层沿第一方向延伸并设置于多个器件组中的两个垂直场效应晶体管的垂直沟道之间，通过第一介质层将同一器件组中垂直场效应晶体管的垂直沟道隔离。...
    2026-05-11
  • 存储结构及其制备方法、电子设备
    存储结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411587852.5
    本申请涉及一种存储结构及其制备方法，其中，存储结构包括字线结构、位线、半导体层以及电容结构。字线结构包括在第一方向上相对设置的第一字线以及第二字线。第一字线以及第二字线沿第二方向延伸。位线沿第一方向延伸且贯穿第一字线以及第二字线。半导体层位...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411596586.2
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与所述有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与所述有源柱耦接，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；其中，所述字...
    2026-05-11
  • 半导体装置
    半导体装置_南亚科技股份有限公司_202510453983.2
    本申请公开一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括一基板；定位在该基板上的一通道层，沿着垂直于该基板的一顶部表面的一第一方向延伸，并包括一倒梯形剖面轮廓；以及一字线，该字线包括一字线介电层和一字线导电层，该字线介电层一致地和...
    2026-05-11
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