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  • 本发明公开了一种空气桥制备方法、装置及电子设备,属于芯片制备技术领域。该空气桥制备方法中,在具有目标支撑层的衬底表面溅射溅射目标金属材料,形成由目标相态的目标金属材料构成的目标金属层,去除目标支撑层,获得由目标金属层构成的空气桥。上述空气桥...
  • 本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法,能够消除沟槽填充多种材料层的过程中出现的凹槽,提高半导体存储器的良率。半导体存储器结构包括:衬底;位于衬底上表面的至少一个第一沟槽;第一介电层,沿第一沟槽的内壁分布;第二介电层,位于第一介电层的表面...
  • 本申请公开了一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。制备方法包括:于基底上形成叠层结构,叠层结构包括层叠设置的研磨停止层和掩膜层,掩膜层位于研磨停止层远离基底的一侧;于叠层结构中形成隔离沟槽,隔离沟槽贯穿叠层结构,并延伸至基底中;于...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,所述方法包括:提供衬底,在衬底上形成氧化物层与氮化物层,刻蚀氮化物层、氧化物层以及部分厚度的衬底形成浅沟槽,形成填满浅沟槽并覆盖氮化物层的隔离材料层;平坦化隔离材料层至在氮化物层上剩余部分厚度的隔离材料...
  • 本申请公开了一种减少大尺寸碳化硅晶片机械加工应力的方法,包括:对机械加工的碳化硅晶片进行表面活化、形成附着层、低温热处理与剥离附着层;所述形成附着层包括将活化后的碳化硅晶片的表面依次形成粘附促进层与应力缓冲附着层。本申请所制备的附着层可以被...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:提供基板和承载片,所述基板具有相背的第一表面和第二表面;将所述基板的所述第一表面与所述承载片键合;减薄所述基板的所述第二表面;在常温和高真空环境下形成金属层于所述基板的所述...
  • 本申请提供一种半导体制造方法及半导体器件,该制造方法包括:提供衬底,在所述衬底的表面上依次形成停止层和核心材料层;图案化所述核心材料层,以形成核心层;形成覆盖所述核心层的顶部和侧壁以及所述停止层的侧墙材料层;形成覆盖所述侧墙材料层的填充层;...
  • 一种制造半导体装置的方法及用于涂布图案化光阻的组成物,制造半导体装置的方法包括沉积涂布组成物在光阻层的图案化表面上并固化图案化光阻层的涂布组成物。涂布组成物包括嵌段共聚物,嵌段共聚物包括第一部分与第二部分,第一部分配置以与图案化光阻层的图案...
  • 本申请涉及一种电性测试结构及其测试方法,涉及集成电路技术领域,结构包括:测试阵列,包括目标晶体管,以及环绕目标晶体管且沿测试阵列径向分布的多个外围区,被配置为,根据接收到的测试电压,输出目标晶体管和/或多个外围区生成的待测电流;选通器,与目...
  • 本申请提供了一种伽马电阻的阻值波动的监控方法,属于半导体技术领域,监控方法包括:将产品晶圆投入离子注入机台执行离子注入,以预设收值频率连续获取离子注入机台的离子源组件在预设时间窗口内的多个源偏置电压,并获得预设时间窗口内的多个源偏置电压的平...
  • 本申请涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种降低超薄半导体测试样品制备碎片率的方法及系统。该方法包括:S1、样品与支撑体制备:获取待测试的超薄半导体芯片并加工形成待测样品A,同时制备厚度大于样品A的支撑体B;S2、分层粘接构建复合制样体:制备得...
  • 本发明提供一种准确测量半导体层中掺杂元素分布的方法,包括:提供衬底,于衬底上形成具有掺杂元素的掺杂半导体硅层,其中,掺杂元素包括硼和磷中的至少一种;于掺杂半导体硅层上形成阻挡层,阻挡层以阻挡掺杂半导体硅层的表面被氧化形成氧化硅层,其中,形成...
  • 本申请提供一种基于多变量的半导体诊断方法、装置、设备和存储介质,本申请中的半导体诊断方法包括:响应针对目标制造系统的异常检测请求,获取所述目标制造系统中各目标传感器分组的分组过程变量;对所述分组过程变量进行特征提取,得到所述分组过程变量对应...
  • 本申请提供一种检测寄生电阻的方法、系统、设备以及晶体管的制备方法。该方法包括:提供一待测器件;待测器件中的每个晶体管包括相对设置的正面源漏金属和背面源漏金属;在相邻的两个正面源漏金属之间施加激励电流,并测量产生的底部沟道电压值;在相邻的两个...
  • 本申请提供一种检测寄生电容的方法、系统、设备以及晶体管的制备方法,该方法包括:提供第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;其中,第一晶体管中包括正面源漏金属,第一晶体管的背面源漏接触区域被绝缘介质填充;第二晶体管中包括背面源漏金属,第二晶体管的...
  • 一种具备多压块的半导体封装构件压测模块被揭露,具备多压块的半导体封装构件压测模块包含基座以及多个活动压块;基座包括内部腔室及多个开口槽,开口槽连通至内部腔室;活动压块容置于基座的开口槽,活动压块对应于半导体封装构件上的不同区域,响应于内部腔...
  • 本发明属于光电电池技术领域,公开了一种CdTe发电玻璃窗口层CdSe膜厚确认方法及CdTe发电玻璃制备方法,制备方法包括:确定具有CdSe窗口层的CdTe发电玻璃作为待测单元,对其进行IV测试,获得第一测试结果;对待测单元进行CdSe膜厚测...
  • 本申请提供一种用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件,半导体器件包括晶圆,晶圆上设置有多个芯片,在每个芯片的外围设置有划片区,测试焊盘结构设置在划片区中,测试焊盘结构包括:焊盘主体,焊盘主体中设有沿焊盘主体所在的划片区的长度方向延伸的...
  • 本发明涉及半导体检测技术领域,提供晶圆晃动度检测用装置及方法。该装置包括:移动座,上端设有夹具,用于对晶圆下端进行可释放装夹,使移动座上方形成晶圆的安装空间;驱动装置,连接移动座,驱动其作水平直线往复移动;安装架,由固接于移动座的连接杆和固...
  • 本公开的各实施例涉及包括裂纹检测器件的电子芯片。一种电子芯片,包括形成在衬底的内部和顶部上或衬底的顶部上的裂纹检测器件。该器件包括由下导电条带和上导电条带交替构成的导电路径,其中每个下条带包括与下导电条带接触的第一和第二导电通孔,分别与上条...
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