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最新专利技术
  • 封装基板和包括其的半导体封装件
    封装基板和包括其的半导体封装件_三星电子株式会社_202511524005.9
    提供了封装基板和半导体封装件。所述封装基板可以包括：基体层，所述基体层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；分布结构，所述分布结构位于所述基体层中；凸块焊盘，所述凸块焊盘连接到所述分布结构并且位于所述基体层的所述第一表面上；连接端子，...
    2026-05-11
  • 一种陶瓷基板功率器件封装
    一种陶瓷基板功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510494152.X
    一种陶瓷基板功率器件封装，包括功率晶体管晶圆，功率晶体管晶圆的底面布设有漏极焊盘，功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘；还包括承载晶圆的陶瓷基板，陶瓷基板包括顶层线路层和陶瓷基板层，陶瓷基板的顶层线路层通过蚀刻工艺，形成L型顶...
    2026-05-11
  • 一种铝基板功率器件封装
    一种铝基板功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510486436.4
    一种铝基板功率器件封装，包括功率晶体管晶圆，功率晶体管晶圆的底面布设有铝漏极焊盘，功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘；还包括L型铝基板，L型铝基板的一侧厚度较小，功率晶体管晶圆通过铝漏极焊盘焊接于L型铝基板的厚度较小一侧的顶...
    2026-05-11
  • 半导体封装件
    半导体封装件_半导体元件工业有限责任公司_202511603589.9
    本申请提供了半导体封装件。一种半导体封装件可以包括半导体管芯，该半导体管芯设置在第一基板上并且在第一侧上具有至少第一接触部并且在与第一侧相对的第二侧上具有至少第二接触部。绝缘体(诸如介电材料)可以封装半导体管芯。第二基板可以设置在第一基板上...
    2026-05-11
  • 一种驱动IC布线结构的制备方法
    一种驱动IC布线结构的制备方法_元旭半导体科技(无锡)有限公司_202610301715.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种驱动IC布线结构的制备方法，该制备方法包括：提供一驱动IC的预制件，预制件包括基板、分布于基板的驱动电路及第三焊盘，采用半导体工艺，在基板的正面制备第一焊盘，第一焊盘的一端用于与像素单元中发光体的电极倒位...
    2026-05-11
  • 一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法
    一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511854767.5
    本申请实施例提供一种基于单面基板工艺的PSUB封装基板及其制造方法，涉及半导体先进封装技术领域，其包括金属基板，所述金属基板上表面覆盖有高导热绝缘膜，所述高导热绝缘膜上表面覆盖有金属化种子层，所述金属化种子层上表面覆盖有若干层布线结构，所述...
    2026-05-11
  • 一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统
    一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统_中航光电科技股份有限公司_202610401179.4
    本发明涉及一种用于大功率芯片散热的两相散热冷板及系统，属于电子设备散热技术领域，本发明包括底板、盖板、进液口和出液口，所述底板与盖板之间密封连接且形成内部腔体，所述内部腔体内设有若干列散热肋，若干列所述散热肋沿进液口到出液口的工质流动方向呈...
    2026-05-11
  • 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用
    一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用_江苏博睿光电股份有限公司_202512055821.6
    本申请公开了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用。本申请的氮化铝陶瓷基板包括基板主体，所述基板主体为相对密度≥98.5%的氮化铝陶瓷；所述基板主体内部设有至少一组微通道，所述微通道平行于所述基板主体；且所述微通道具有工质入口和工质出口；所述...
    2026-05-11
  • 一种二合一功率半导体器件
    一种二合一功率半导体器件_爱微(江苏)电力电子有限公司_202610122091.9
    本发明提供了一种二合一功率半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括基板、晶圆、塑封体、多个功率引脚、多个信号引脚及散热板，晶圆设置在基板上表面，功率引脚和信号引脚均与基板及晶圆电连接，塑封体封装基板及晶圆，散热板设置在基板下表面，散热板内设...
    2026-05-11
  • 石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法
    石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法_广东一纳科技有限公司_202511969225.2
    本公开提供一种石墨烯相变材料聚合封装的一体化散热装置及其制备方法，上述的制备方法包括如下步骤：将石墨烯材料与相变材料混合，制备石墨烯相变基体。在石墨烯相变基体内加工形成微流道结构；将聚酰胺酸前驱体沉积在石墨烯相变基体的表面，获得聚酰胺酸前驱...
    2026-05-11
  • 一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法
    一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法_厦门大学_202610199623.9
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种具有金刚石绝缘层的TSV结构、中介层以及制备方法。本发明将金刚石作为绝缘层纳入中介层的结构中，能够在确保绝缘功能的前提下，增强中介层的整体散热性能，防止局部热点形成及其对芯片造成的相应电学、物理损伤；并...
    2026-05-11
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610466026.8
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供金属互联半成品器件，包括第一介质层、设置于第一介质层内及表面的金属层，以及隔离金属层与第一介质层的阻挡层；以阻挡层为停止层，对金属层进行第一平坦化处理；在...
    2026-05-11
  • 一种互连结构及其制备方法
    一种互连结构及其制备方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610443737.3
    本申请公开了一种互连结构及其制备方法，包括：在衬底上形成位于第一介电层中的第一金属层；在第一介电层上形成低介电常数材料的第二介电层，在第二介电层上形成连接第一金属层的通孔；使用气相自组装工艺，在通孔底部的第一金属层上形成单分子层的有机疏水层...
    2026-05-11
  • 半导体结构的制备方法和半导体结构
    半导体结构的制备方法和半导体结构_广州增芯科技有限公司_202610181787.9
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制造方法技术领域，该方法首先在衬底上制备浅沟槽结构。然后在氮化物层的表面沉积形成隔离层，隔离层在与浅沟槽结构对应的位置形成有凹陷部。再在隔离层的表面沉积形成硬质掩模层。然后第一次研...
    2026-05-11
  • 半导体结构形成方法及半导体结构
    半导体结构形成方法及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202610037065.6
    一种半导体结构形成方法及半导体结构，形成半导体结构的方法包含蚀刻至少一导电结构以形成将导电结构分隔成较短部位的开口，以及对开口的上方部位施用至少一钝化处理。方法也可包含形成比氮化硅具有较低固定电荷浓度的非保形材料层。于部分实施方式中，非保形...
    2026-05-11
  • 一种晶圆加热盘
    一种晶圆加热盘_浙江先导热电科技股份有限公司_202511845178.0
    本发明公开了一种晶圆加热盘，包括有环形导热板，所述环形导热板包括有加热底板和加热侧板，所述加热底板和加热侧板之间形成有能够容纳圆晶的加热腔，所述加热底板上设置有底部安装槽，所述底部安装槽内设置有底部电热丝，所述加热侧板上设置有螺旋槽，所述螺...
    2026-05-11
  • 一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法
    一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法_安徽微半半导体科技有限公司_202311838421.7
    本发明公开了一种低损耗半导体功率器件衬底制备方法，包括以下步骤：步骤一、取至少两片硅片本体为一组，并将其中至少一片所述硅片本体进行氧化；步骤二、先将各片所述硅片本体进行处理清洗，再将各片所述硅片本体依次堆叠并键合成为结合硅片；相邻的两片所述...
    2026-05-11
  • 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件
    半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610460537.9
    本申请实施例公开了一种半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件，该方法包括：测试半导体器件中的晶体管的关断态漏极电流的第一测试值；对半导体器件中的晶体管施加热载流子注入应力，以激发浅沟槽隔离结构中内衬层的瞬时电子缺陷；测试半导体器件中的晶体管的...
    2026-05-11
  • 晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统
    晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统_广州增芯科技有限公司_202610210417.3
    本申请提供一种晶圆上测试结构的测试方法、装置、设备、介质及系统，涉及半导体测试技术领域。该方法包括获取待测试晶圆的测试结构坐标文件；测试结构坐标文件包括：待测试晶圆上多个测试结构的标识字符以及标识位置，标识位置为标识字符在对应测试结构上的位...
    2026-05-11
  • 一种Mini LED测试方法、系统及计算机
    一种Mini LED测试方法、系统及计算机_江西耀驰科技有限公司_202610187757.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种Mini LED测试方法、系统及计算机，包括：获取晶圆外圈阈值、第一正向电压区间及第二正向电压区间；通过探针组测试晶圆，以获得若干个电压测试数据及若干个晶粒坐标；基于晶圆外圈阈值及若干个晶粒坐标，以选定若干...
    2026-05-11
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