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最新专利技术
  • 太阳电池、其制备方法及光伏组件
    太阳电池、其制备方法及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411591663.5
    本发明涉及电池技术领域，公开了一种太阳电池、其制备方法及光伏组件。该太阳电池包括：硅基体；设于硅基体的钝化接触结构，钝化接触结构包括依次设置的第一介质层、纳米硅层、第二介质层、第一掺杂层、第一功能层以及第一电极；通过设置纳米硅层，能够提高对...
    2026-05-10
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202411584601.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，主要提供一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：具有相对设置的入光面和背光面的硅衬底；位于入光面且沿远离硅衬底方向依次层叠的第一本征非晶硅层、第一掺杂层；其中，第一掺杂层包括纳米晶氧化硅层；位于背光面且沿...
    2026-05-10
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610427523.7
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，至少可以提高光伏组件的性能，并节约制备成本。光伏组件包括：多个电池片和焊带，多个电池片包括相邻的第一电池片和第二电池片；焊带位于第一电池片与第二电池片上，并电性连接第一电池片和第二电池片，焊带包括导电部...
    2026-05-10
  • 光伏组件
    光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411563075.0
    本发明公开了一种光伏组件。光伏组件包括面板、背板、电池片层和第一封装胶膜层，背板与面板层叠设置，电池片层位于面板与背板之间，第一封装胶膜层位于电池片层与面板之间，面板背离第一封装胶膜层的一侧设有含氟膜层，含氟膜层沿厚度方向的至少一侧设有减反...
    2026-05-10
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197678.6
    本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本发明提供的背接触太阳能电池，在第一区域和第二区域之间的隔离区域上形成掺杂区域，利用掺杂区域形成反向旁路通道，同时控制掺杂区深度的等浓度轮廓形状，以平衡旁路通道的关态...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610188070.7
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括硅基体，硅基体具有第一导电类型掺杂元素，硅基体的第一表面包括依次远离硅基体设置的第一载流子收集层层、第一钝化层和第一电极，第一载流子收集层层具有第二导电类型掺杂元素，第一导电类型与第二...
    2026-05-10
  • 一种晶硅Topcon多分片高效光伏电池及其制备方法
    一种晶硅Topcon多分片高效光伏电池及其制备方法_弘元新材料(徐州)有限公司_202512048092.1
    本发明属于晶硅Topcon多分片高效光伏电池制备技术领域，具体涉及一种晶硅Topcon多分片高效光伏电池及其制备方法，所述电池为通过对具有特定多分片图形布局的整片Topcon电池进行激光切割及边缘钝化后得到的4、5或6等分小片电池。其生产方...
    2026-05-10
  • 碱金属掺杂的CdS缓冲层和制备方法及在制备薄膜太阳电池中的应用
    碱金属掺杂的CdS缓冲层和制备方法及在制备薄膜太阳电池中的应用_天津商业大学_202610206783.1
    本申请涉及光伏器件制造技术领域，具体地说，涉及一种碱金属掺杂改性的CdS缓冲层和制备方法及其在制备薄膜太阳电池中的应用。该碱金属掺杂改性的CdS缓冲层，碱金属元素能有效掺入CdS中成为间隙缺陷或钝化镉空位等本征缺陷，优化其费米能级位置，并改...
    2026-05-10
  • 层叠体、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块、太阳光发电系统及层叠体的制造方法
    层叠体、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块、太阳光发电系统及层叠体的制造方法_株式会社东芝_202511311796.7
    实施方式的层叠体具有透明的基板、设置于基板上的包含氧化物透明导电膜的p电极、和设置于p电极上的含有氧化亚铜化合物的p型光吸收层。氧化亚铜化合物的结晶粒径为上述p型光吸收层的厚度的1.2倍以上。p型光吸收层的载流子浓度为5.0×1014[cm...
    2026-05-10
  • 一种电池片的加工方法、电池片及光伏组件
    一种电池片的加工方法、电池片及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610460198.4
    本申请实施例涉及光伏领域。本申请实施例提供了一种电池片的加工方法、电池片及光伏组件。电池片的加工方法包括对基底的第一表面和/或第二表面制绒，在第一区域的表面设置掺杂浆料并固化，在第一区域形成掺杂区。对基底进行钝化。在掺杂区的对应位置制备电极...
    2026-05-10
  • 一种异质结量子阱的生长方法及半导体器件
    一种异质结量子阱的生长方法及半导体器件_合肥国家实验室_202610458086.5
    本申请提供一种异质结量子阱的生长方法及半导体器件，其中的方法包括，在采用CVD工艺于衬底上逐层生长包含势垒层与量子阱层的异质结结构过程中，在至少一个选定的关键界面处，引入HCl气体进行界面处理。界面处理在特定温度、气体流量和时间窗口下进行，...
    2026-05-10
  • PVT组件边框封装装置及方法
    PVT组件边框封装装置及方法_四川蜀旺新能源股份有限公司_202610454770.6
    本发明涉及光伏组件加工技术领域，具体为PVT组件边框封装装置，包括送料机构和定位机构，所述定位机构设在送料机构的内侧，所述送料机构包括调高组件、限位组件和夹持组件，所述限位组件设在调高组件的前侧，所述夹持组件设在限位组件的底部，所述定位机构...
    2026-05-10
  • 一种三维硅探测器的制备方法
    一种三维硅探测器的制备方法_中国科学技术大学_202610437037.3
    本发明公开了一种三维硅探测器的制备方法，涉及探测器领域，制备方法包括步骤：晶圆预处理，以使其满足电极刻蚀要求；分阶段刻蚀p型电极，每个阶段均包含多个循环刻蚀过程，同一阶段的循环刻蚀参数相同，不同阶段的刻蚀参数根据刻蚀深度进行渐变；固态源片热...
    2026-05-10
  • 一种模块化层压机及层压装置及层压系统
    一种模块化层压机及层压装置及层压系统_秦皇岛晟成自动化设备有限公司_202610261404.9
    本发明公开了一种模块化层压机及层压装置及层压系统，层压机包括架体、多个层压组件、限位升降机构、多个往复传输机构和气体施压系统，多个从上到下依次排布的层压组件通过限位升降机构安装在架体内部，从而当上下相邻分布的两个层压组件压合在一起时在两者之...
    2026-05-10
  • 转贴式印刷载板组件及其转贴方法
    转贴式印刷载板组件及其转贴方法_苏州捷得宝机电设备有限公司_202610201371.9
    本申请涉及一种转贴式印刷载板组件及其转贴方法。转贴式印刷载板组件包括多个载板本体。上述的转贴式印刷载板组件在实际转贴印刷栅线和焊带过程中，首先通过激光和HF对第一条形槽和第二条形槽进行清洗，随后在第一条形槽和第二条形槽的内壁真空溅镀底种子层...
    2026-05-10
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202610138553.6
    提供背接触太阳能电池及制备方法，硅片背面制备功能层及掩膜层，对硅片背面进行激光图案化加工，去除部分掩膜层或改性；采用开膜激光扫描图案化加工区域的主体，边缘加工激光扫描区域的边缘，边缘加工激光的光斑在其扫描方向上叠加形成平直的激光加工线，开膜...
    2026-05-10
  • 用于晶硅异质结太阳能电池的低界面粗糙度镍电极的制备方法
    用于晶硅异质结太阳能电池的低界面粗糙度镍电极的制备方法_复旦大学义乌研究院_202610138465.6
    本发明属于电子材料技术领域，具体为一种用于晶硅异质结太阳能电池的低界面粗糙度镍电极的制备方法。本发明所述的制备方法包括晶硅异质结太阳能电池清洗、火焰处理、分子接枝、催化自组装以及氨基酸增强镀镍，镍层与晶硅异质结太阳能电池的界面粗糙度低且结合...
    2026-05-10
  • 一种用于增强光电性能的p-Si/n-ZnO界面修饰的制备方法
    一种用于增强光电性能的p-Si/n-ZnO界面修饰的制备方法_荆楚理工学院_202610072006.2
    本发明涉及一种用于增强光电性能的p‑Si/n‑ZnO界面修饰的制备方法，属于异质结光电技术领域，包括以下步骤：1)清洗Si，分别用丙酮、无水乙醇和去离子水各清洗20分钟；2)采用磁控溅射技术，将p‑Si放入磁控溅射腔室，在p‑Si上制备本征...
    2026-05-10
  • 基于柔性PCB的薄膜电池阵列的应力自适应互连方法及设备
    基于柔性PCB的薄膜电池阵列的应力自适应互连方法及设备_扬州大学_202610057688.X
    本发明涉及电池制造技术领域，尤其涉及一种基于柔性PCB的薄膜电池阵列的应力自适应互连方法及设备，方法包括：在PCB表面加工形成微沟槽阵列并制备复合焊料结构；采集PCB的实时形变场与焊盘位置，生成薄膜电池的补偿贴装路径；控制薄膜电池与焊盘之间...
    2026-05-10
  • 一种二维同质结结构及其制备方法与应用
    一种二维同质结结构及其制备方法与应用_华中科技大学_202610051166.9
    本发明属于光电器件相关技术领域，其公开了一种二维同质结结构及其制备方法与应用，步骤为：S1，在基底上沉积氮化硅，以得到氮化硅基底；S2，利用化学气相沉积反应的方法在氮化硅基底上制备二维材料同质结，以得到二维同质结结构。本发明在基底上沉积氮化...
    2026-05-10
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