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最新专利技术
  • PMOS器件的制备方法
    PMOS器件的制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610209585.0
    本发明提供两种PMOS器件的制备方法，在进行源极接触和漏极接触的P型离子注入或进行源极和漏极的P型离子注入过程中，利用栅多晶硅层上的硬掩膜层阻挡P型离子注入栅多晶硅层中，以改善栅多晶硅层中的P型离子穿过其下方的栅介质层，进入下方硅衬底沟道中...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606015.2
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606016.7
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606018.6
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • 降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法
    降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511903022.3
    本公开提供了一种降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道晶体管包括：外延层、p型层、栅电极、源电极和漏电极；所述外延层包括至少两层层叠的异质结，所述外延层的顶面设有延伸至最底部所述异质结的第一凹槽，所述p型层位于所...
    2026-05-15
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610066593.4
    本发明提供一种半导体器件，包括：底层结构，位于所述底层结构上表面的第一势垒结构和第二势垒结构，所述第一势垒结构和第二势垒结构并排设置，并共同覆盖在所述底层结构的上表面，位于所述第一势垒结构上表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构的相对两侧的源...
    2026-05-15
  • 一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法
    一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202610087003.6
    本发明涉及半导体材料外延生长的技术领域，公开一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法。由下到上依次包括Si衬底、AlN成核层、第一AlN/InxAl1‑xN超晶格层、第二AlN/InyAl1‑yN超晶格层、AlzGa1‑z...
    2026-05-15
  • 一种半导体器件和射频模组
    一种半导体器件和射频模组_泉州市三安集成电路有限公司_202610211411.8
    本发明涉及一种半导体器件和射频模组。半导体器件的通孔自衬底、半导体叠层方向延伸至贯穿半导体叠层并暴露出源极，且通孔包括位于衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于衬底和半导体叠层内的第二孔段，第二孔段自第一孔段向半导体叠层延伸并贯穿；金属...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备
    半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411613276.7
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备。该半导体结构包括：沟道结构，沿第一方向延伸；栅极结构，环绕沟道结构；掺杂结构，位于沟道结构在第一方向上的两端；掺杂结构包括沿第二方向延伸的第一孔；其中，第二方向与第一方向垂直；...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备
    半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411615132.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备。该半导体结构包括：在第一方向上堆叠设置的第一沟道结构和第二沟道结构；栅极结构，包括沿第一方向排布的第一部分和第二部分；第一沟道结构环绕第一部分，第二沟道结构环绕第二部分；第...
    2026-05-15
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511462995.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。栅极电极形成在沟槽中。绝缘膜形成在栅极电极上，以从半导体衬底的上表面突出。侧壁间隔件形成在绝缘膜的侧表面上和半导体衬底的上表面上。孔形成在半导体衬底的从绝缘膜和侧壁间隔件暴露的部分中。阻挡金属膜形成在孔中。...
    2026-05-15
  • 一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法
    一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511898745.9
    本发明公开一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法，属于半导体器件制备领域。顶层硅、埋氧层和支撑层共同构成SOI衬底材料；体电势调制区位于顶层硅中，且位于其底部与埋氧层相连；沟道区位于顶层硅中且位于体电势调制区的上方；绝缘...
    2026-05-15
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610182609.8
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括至少一个器件元胞，至少一个器件元胞呈阵列排布；器件元胞，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一区域在第一表面的正投影位于阱区在第一表...
    2026-05-15
  • 沟槽栅MOSFET结构及其制备方法
    沟槽栅MOSFET结构及其制备方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202610442458.5
    本发明提供一种沟槽栅MOSFET结构及其制备方法，通过引入位于屏蔽层邻近区域的缓冲层，同时将沟槽栅自缓冲层及相邻屏蔽层上表面向下延伸至二者中，从而在缓冲层、栅氧化层与外延层之间构建出由漏极电压动态控制的类JFET结构，沟槽栅MOSFET在开...
    2026-05-15
  • 平面栅MOSFET结构及其制备方法
    平面栅MOSFET结构及其制备方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202610442838.9
    本发明提供一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，通过在阱区之间的外延层上表面预设深度进行离子注入形成缓冲层，该缓冲层包括若干个沿阱区长度方向上间隔排布的缓冲层单元，并使每个缓冲层单元至少与位于缓冲层一侧的阱区接触连接，从而在器件工作时形成...
    2026-05-15
  • LDMOS器件及其制造方法
    LDMOS器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411603485.3
    本发明涉及一种LDMOS器件及其制造方法，所述LDMOS器件包括：漂移区，具有第一导电类型；耗尽区，位于所述漂移区中，具有第二导电类型；第一导电类型掺杂区，位于所述漂移区中、所述耗尽区上方，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺...
    2026-05-15
  • 鳍栅结构LDMOS器件及其制造方法
    鳍栅结构LDMOS器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610062830.X
    本发明提供一种鳍栅结构LDMOS器件及其制造方法。器件包括：半导体衬底，具有掩埋层及外延层；隔离结构；漂移区及阱区；以及源极区、漏极区及体接触区。所述器件在有源区内具有沿器件宽度方向延伸的沟槽；栅极结构覆盖有源区表面并填充所述沟槽，在沟槽处...
    2026-05-15
  • 半导体结构
    半导体结构_尼克森微电子股份有限公司_202411606605.5
    本揭示内容提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一掺杂类型磊晶层、至少一栅极结构、多个第二掺杂类型磊晶层、多个掺杂区以及多个源极区。第一掺杂类型磊晶层设置于基板上。至少一栅极结构设置于第一掺杂类型磊晶层上，并在第一方向上延伸。第二掺杂类...
    2026-05-15
  • 一种快恢复MOSFET结构及其制造方法
    一种快恢复MOSFET结构及其制造方法_浙江大学_202512044685.0
    一种快恢复MOSFET结构及其制造方法，属于功率器件技术领域，所述快恢复MOSFET结构包括：衬底；外延层，设置在所述衬底上；所述外延层中设置有至少两个体区，两个体区之间形成有分区结构；所述体区中设置有源区和积累型沟道，所述积累型沟道位于靠...
    2026-05-15
  • 场效应晶体管及其制备方法
    场效应晶体管及其制备方法_中国科学技术大学_202610216781.0
    本公开提供了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、衬底上表面上的外延层、栅极、第一阱区、第二阱区、第一源区、第二源区、源极电极和漏极电极。栅极包括在外延层内横向延伸的横向部分以及从横向部分向着衬底延伸的竖直部分。外延层中的第...
    2026-05-15
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