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  • 本申请实施例提供一种功率模组、功率变换器和车辆,涉及电子器件技术领域,用于提高引脚的振动可靠性,降低引脚受振断裂的风险。该功率模组包括功率芯片、塑封体和沿第一方向排布的多个引脚,塑封体包裹功率芯片。引脚的一端位于塑封体内,另一端位于塑封体外...
  • 本申请提供了一种激光加压键合装置,包括:载体,其用于放置基板;透明加压头,其用于固持及移动电子元件,其中所述透明加压头包括中心部分,电子元件经由焊接材料放置在基板上时,经由所述焊接材料将所述电子元件压靠在所述基板上的中心部分,以及围绕所述中...
  • 本发明提供布线基板和布线基板的制造方法,具有高品质。布线基板具有:第一树脂绝缘层,其具有第一面、第二面以及从第一面到第二面的型腔;第二树脂绝缘层,其具有第三面和第四面,形成在第一树脂绝缘层上;部件,其具有与第四面对置的电极,收纳在型腔内;以...
  • 本申请公开了一种绑定组件、绑定组件的制备方法以及显示面板,涉及显示技术领域,绑定组件包括衬底、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和透明电极层,第一金属层设置在衬底上,第一绝缘层设置在第一金属层上;第二金属层设置在第一绝缘层上;第...
  • 本申请提供了一种封装载板单元及其制备方法,其玻璃基板单元包括沿厚度方向贯通设置的玻璃通孔以及填充玻璃通孔的导电柱;重布线层单元设置于玻璃基板单元的至少一侧,重布线层单元包括导电线路层和介质层单元,导电线路层穿过介质层单元与导电柱电连接;其中...
  • 一种阶梯式通孔标靶结构、加工方法、终端及介质,属于IC载板技术领域,阶梯式通孔标靶结构包括设置于IC载板基体上的通孔,通孔的上方同步加工有第一盲孔,通孔的下方加工有第二盲孔,第一盲孔和第二盲孔分别位于载板上下两侧表面,第一盲孔和第二盲孔均与...
  • 本申请提供一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括:在载板的一侧形成键合层;在所述键合层远离所述载板的一侧形成再布线结构;将电气元件贴装在所述再布线结构远离所述键合层的一侧,且所述电气元件的电极与所述再布线结构电连接;形成塑封层,所述塑封...
  • 本申请提供了一种封装载板及其制备方法、半导体封装结构,封装载板包括:封装基板,包括无机基板和有机基板,所述无机基板具有沿厚度方向贯穿设置的贯穿槽,所述有机基板嵌入设置于所述贯穿槽内,所述有机基板包括沿所述厚度方向贯穿所述有机基板的第一通孔;...
  • 本申请提供了一种半导体封装结构及其制备方法,半导体封装结构包括:第一刚性绝缘基板,包括沿厚度方向贯穿设置的第一导电结构;内置芯片,设置于第一刚性绝缘基板的一侧,内置芯片与第一导电结构电连接;第二刚性绝缘基板,设置于内置芯片远离第一刚性绝缘基...
  • 本申请公开了一种功率模块及功率模组,功率模块包括功率单元,每个功率单元包括:上桥功率单元;下桥功率单元;印刷电路板,印刷电路板包括至少N层预制层,N≥3,预制层包括绝缘层和导电结构,相邻预制层通过绝缘层隔离并通过导电结构依次连接,第一层预制...
  • 本申请公开了一种桥接芯片及具有其的芯片封装结构,桥接芯片包括:衬底;形成于衬底上的金属布线层,金属布线层包括多条互连导线;形成于衬底上的微凸点组,微凸点组包括第一微凸点阵列和第二微凸点阵列,第一微凸点阵列和第二微凸点阵列分别用于与两个相邻的...
  • 本文提供一种基板封装和其制造方法。所述基板封装包括:载体;基板,所述基板具有第一主表面和第二主表面,其中所述第二主表面面向所述载体;不导电第一阻挡壁,所述不导电第一阻挡壁从所述第二主表面朝向所述载体延伸,所述第一阻挡壁限定所述基板封装的第一...
  • 根据一些实施例,一种衬底夹具(100)被配置用于将载体(102)与封装(106)的电子部件(104)连接,其中衬底夹具(100)包括电绝缘和导热片制件(108)、以及位于电绝缘和导热片制件(108)的主表面上并且具有至少两个不同的连接区段(...
  • 一种金属基板功率器件封装,包括功率晶体管晶圆,功率晶体管晶圆的底面布设有漏极焊盘,功率晶体管晶圆的顶面布设有源极焊盘和开关控制极焊盘;还包括L型金属基板,L型金属基板的一侧厚度较小,功率晶体管晶圆通过漏极焊盘焊接于L型金属基板的厚度较小一侧...
  • 本公开的实施例涉及一种不利用引线框架的集成电路芯片封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在绝缘...
  • 本申请涉及一种玻璃基板的制作方法、玻璃基板及封装结构,玻璃芯板的制作方法包括以下步骤:提供玻璃芯板,玻璃芯板上沿玻璃芯板的厚度方向贯穿开设有通孔,通孔包括沿自身轴向排布的第一通孔部、第二通孔部及第三通孔部,第二通孔部连接于第一通孔部和第三通...
  • 本发明提供一种电子装置及其制造方法,制造方法包括以下步骤。提供一基板。提供一第一遮罩在基板的一第一表面上。图案化第一遮罩,以于第一遮罩中形成一第一开口,且第一开口暴露出基板的一对应部分。提供一第一能量对基板的对应部分进行一第一改质步骤,以在...
  • 本发明公开了一种高密度超薄导线框架封装工艺及封装结构,属于半导体封装技术领域。该工艺包括:导线框架制作(铜箔正面光刻蚀刻形成≤30μm 超细线路、背面镀银)、元器件贴装与焊接、正面塑封固化、背面电路蚀刻、背面绝缘保护、电极金属保护层制作,且...
  • 一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括基底,包括衬底和光线穿透层,所述光线穿透层位于所述衬底上;功能层,位于所述基底的下表面上,所述功能层中有对准标记;其中,所述光线穿透层在功能层上的投影区覆盖所述对准标记在所述功能层上的...
  • 本申请实施例提供一种晶圆、晶圆的制作方法、芯片及电子设备。晶圆包括介质单元、钝化层和第一裂纹引导结构。钝化层叠设于介质单元。介质单元区域划分为功能区和切割道。功能区的周侧具有切割道。介质单元包括在衬底上堆叠设置的介质叠层。介质叠层包括第一介...
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