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最新专利技术
  • 一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件
    一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件_南京邮电大学_202610209351.6
    本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种具有二极管调控衬底电压的GaN HEMT功率器件，其衬底与场板相连，并与地之间连接一个二极管，同时在漏极和二极管区域之间设置隔离区，所述二极管阳极接地、阴极接衬底。器件处于阻断状态时，隔离区阻止漏极高...
    2026-05-15
  • 堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备_北京大学_202610116514.6
    本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、器件和电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构包括在第一方向上自下而上堆叠的第一牺牲层、第二有源结构和第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除第一牺牲层，并在第一...
    2026-05-15
  • 堆叠晶体管及其制备方法、电子设备
    堆叠晶体管及其制备方法、电子设备_北京大学_202610116321.0
    本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、电子设备。该堆叠晶体管的制备方法包括：提供自上而下设置的第一材料层、绝缘层和第二材料层；对第一材料层进行离子注入，以得到第一深阱结构；基于第一深阱结构一部分形成第一浅阱结构，第一浅阱结构和第一深阱结构...
    2026-05-15
  • 半导体的形成方法
    半导体的形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610055440.X
    一种半导体的形成方法包括形成环绕通道层堆叠的金属栅极结构、形成将金属栅极结构切割成两个隔离段的沟槽、以及在沟槽中形成栅极隔离结构。形成沟槽包括对金属栅极结构进行等离子蚀刻工艺，等离子蚀刻工艺包括第一步以及第一步之后的第二步。第一步具有第一源...
    2026-05-15
  • 集成电路及其形成方法
    集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045151.X
    集成电路包括具有在第一方向上延伸的第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域的衬底。第一有源区域和第二有源区域比第二有源区域和第三有源区域更靠近在一起。第一隔离结构位于第一有源区域和第二有源区域之间并且在第一有源区域和第二有源区域旁边延伸。第...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411616473.4
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个堆叠结构，所述堆叠结构包括：位于所述基底上的第一沟道结构和位于所述第一沟道结构上的第二沟道结构；在所述堆叠结构结构之间的基底上填充第一源漏掺杂层，所述...
    2026-05-15
  • 一种多功能集成的DIP-24外形智能功率模块
    一种多功能集成的DIP-24外形智能功率模块_吉林华微斯帕克电气有限公司_202610218259.6
    本发明属于但不限于半导体技术领域，公开了一种多功能集成的DIP‑24外形智能功率模块，其封装结构包括引线框架、塑封体及半导体芯片，引线框架设第二至第二十五引脚，集成至少一颗BSD芯片、一颗IC芯片、6颗IGBT芯片及6颗FRD芯片，IGBT...
    2026-05-15
  • 功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法
    功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法_广东芯聚能半导体有限公司_202610484374.8
    本申请涉及一种功率器件、功率器件的堆叠结构及其制备方法。该功率器件的堆叠结构包括：依次层叠的第一功率芯片和第二功率芯片；其中，第一功率芯片的漏极经第一连接部件与直流正电极连接，第一功率芯片的源极经第二连接部件与交流电极连接；第二功率芯片的漏...
    2026-05-15
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511518708.0
    一种半导体封装件包括：无芯电路基板，其包括绝缘构件和多个布线层，绝缘构件具有多个绝缘层和多个腔，多个布线层分别设置在多个绝缘层上；半导体芯片，其设置在无芯电路基板的上表面上，并且电连接到多个布线层中的最上布线层；以及多个基于半导体的片式电容...
    2026-05-15
  • 一种功率器件封装
    一种功率器件封装_摩驱科技(深圳)有限公司_202510198425.6
    本发明公开了一种功率器件封装，包括陶瓷基电路板，陶瓷基电路板包括底层线路层和陶瓷基板层；氮化镓或碳化硅晶体管晶圆焊接于陶瓷基电路板的底层线路层上；还包括电路板框，陶瓷基电路板焊接于电路板框上，氮化镓或碳化硅晶体管晶圆居于电路板框的孔洞中；还...
    2026-05-15
  • 芯片封装体及其制作方法和电子设备
    芯片封装体及其制作方法和电子设备_华为技术有限公司_202411579754.7
    本申请提供了一种芯片封装体及其制作方法和电子设备。该芯片封装体包括第一芯片层和第二芯片层，第一芯片层沿其层面方向包括至少两个间隔设置的芯片，第一芯片层中的相邻两个芯片之间设有隔离槽；隔离槽在第一芯片层的厚度方向贯通第一芯片层和中间焊盘层；隔...
    2026-05-15
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411561378.9
    本发明公开了一种半导体元件，包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、源极电极、栅极电极和漏极堆栈层。漏极堆栈层包括第一漏极层，包括第一本体部和第一延伸部，且第一延伸部的底面高于第一本体部的顶面。第二漏极层，设置于第一漏极层上，且包括第二本体部...
    2026-05-15
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610385445.9
    本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：提供一衬底，在衬底上形成伪栅结构，衬底和伪栅结构之间依次设置有界面层、栅极介质层、阻挡层和氧化层；在伪栅结构和衬底上形成接触孔刻蚀停止层；在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层；平坦...
    2026-05-15
  • 横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411677348.4
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中横向扩散金属氧化物半导体包含多条间隔排列的鳍部，其中每一该鳍部具有一凹陷区域，位于该些凹陷区域上的浅沟槽隔离结构构成一厚氧化层、一栅极越过该些鳍部，其中该厚氧化层靠近该栅极的一侧并与该...
    2026-05-15
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411590701.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；沟道层，位于缓冲层上；势垒层，位于沟道层上；扩散阻挡层，位于势垒层上，包括：组分渐变的AlGaN层或组分渐变的AlInGaN层，和/或，未掺杂/掺杂Mg的G...
    2026-05-15
  • 一种非对称栅极的沟槽SiC JFET器件结构及其制造方法
    一种非对称栅极的沟槽SiC JFET器件结构及其制造方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610483358.7
    本发明公开一种非对称栅极的沟槽SiC JFET器件结构及其制造方法，方法中，在第一导电类型源区材料上形成掩膜，刻蚀形成沟槽和位于沟槽中的第一导电类型沟道层、第一导电类型源区；对第一导电类型沟道层进行倾斜离子注入，使得第一导电类型沟道层在靠近...
    2026-05-15
  • 一种具有工程栅极电介质堆叠的半导体器件及其制备方法
    一种具有工程栅极电介质堆叠的半导体器件及其制备方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202610493395.6
    本发明涉及一种具有工程栅极电介质堆叠的半导体器件及其制备方法; 半导体衬底顶面设有栅极堆叠层，栅极堆叠层从相邻的一源极横向延伸到另一源极并覆盖漂移区和沟道；栅极堆叠层包括高介电常数层、隧穿层，还包括覆盖高介电常数层和隧穿层的浮动介质层，覆盖...
    2026-05-15
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构及存储器和电子设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构及存储器和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411595581.8
    本公开涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及存储器和电子设备。一种半导体结构的制备方法包括：提供衬底，并于衬底上形成沟道层；于沟道层上形成具有预设厚度的牺牲层，沟道层靠近牺牲层的部分内具有晶格空位；基于牺牲层和沟道层修复晶格空位，以于沟...
    2026-05-15
  • 一种碳化硅多沟道纵向沟槽型MOSFET及其制造方法
    一种碳化硅多沟道纵向沟槽型MOSFET及其制造方法_山东大学_202610500218.6
    本发明涉及一种碳化硅多沟道纵向沟槽型MOSFET及其制造方法，属于碳化硅半导体器技术领域。该器件包括衬底、设置于衬底上的漂移区以及设置于漂移区中的多个沟槽，多个沟槽沿横向周期性排列；沟槽沿垂直于衬底表面的方向延伸；沟槽内两侧分别设置有栅氧化...
    2026-05-15
  • 沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法
    沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202610475262.6
    沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过在第一导电型半导体上表面、第一类沟槽之间设置一系列沿Z方向非连续延伸的第二类沟槽，第二类沟槽的上表面形成有凹槽，上表面金属向下填充到所述的凹槽内，第二...
    2026-05-15
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