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最新专利技术
  • 用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法
    用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法_威弗洛得有限公司_202511608983.1
    根据本发明的实施方式提供了一种用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法，该生长衬底晶片包括：Si(111)生长衬底；形成在所述Si(111)生长衬底上的第一AlN成核层；以及在所述第一AlN成核层上不连续地间...
    2026-05-10
  • 全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法
    全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411587370.X
    本公开涉及一种全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法，全环绕栅极场效应晶体管包括衬底、栅极以及栅氧化层，衬底包括相互连接的本体和硅柱，硅柱凸出于本体设置，硅柱包括导电沟道区以及分别形成在导电沟道区两侧的源极区和漏极区，导电沟道区设置在源极区与漏...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510824254.3
    提供一种半导体器件，该半导体器件包括：下片状结构，包括交替堆叠的多个第一下半导体层和多个第二下半导体层；上片状结构，包括交替地堆叠在下片状结构上的多个第一上半导体层和多个第二上半导体层；下半导体图案，在下片状结构的至少一侧上；上半导体图案，...
    2026-05-10
  • 一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用
    一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用_贺州学院_202610184297.4
    本发明涉及半导体复合材料技术领域，且公开了一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用，包括衬底、过渡金属氮化物缓冲层和共掺杂氮化铝单晶薄膜；所述过渡金属氮化物缓冲层沉积于衬底的一侧表面，所述共掺杂氮化铝单晶薄膜生长于过渡金属氮化物缓冲层远离衬...
    2026-05-10
  • 一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用
    一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用_西安电子科技大学_202610194015.9
    一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用，该材料具有ScAlN数字合金结构，由基本重复单元(ScN)m/(AlN)n沿外延生长方向周期性交替堆叠而成；其中，(ScN)m代表m个原子层的ScN，(AlN)n代表n个原子层...
    2026-05-10
  • 一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法
    一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法_西安电子科技大学_202610136313.2
    本发明涉及一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法，包括步骤：提供样片，样片包括钝化介质层以及位于钝化介质层上的光刻胶；对栅极区域的光刻胶进行图形化，形成光刻胶线条，其中，光刻胶线条的初始线宽小于目标栅极的长度；在第一刻蚀参数下，利用...
    2026-05-10
  • 栅极结构及其制造方法
    栅极结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411781963.X
    本发明提供一种栅极结构及其制造方法。所述栅极结构包括栅极组件、第一间隔件、顶盖层、硬掩模层以及第二间隔件。所述栅极组件设置于衬底上。所述第一间隔件设置于所述栅极组件的侧壁上。所述顶盖层设置于所述栅极组件的顶面上。所述硬掩模层设置于所述顶盖层...
    2026-05-10
  • 半导体器件以及制造半导体器件的方法
    半导体器件以及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202511074523.5
    提供了一种具有改进的栅致漏极泄漏(GIDL)的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：沟槽，其形成在衬底中；第一栅电介质层，其适于覆盖沟槽的底表面和侧壁；第一掩埋导电层，其适于填充在第一栅电介质层之上的沟槽的底部；第二掩埋导电层，其包括导电...
    2026-05-10
  • 多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法
    多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610109152.8
    本申请提供一种多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法，该屏蔽栅分为左、中、右三部分，左和右部分沿中间部分呈对称分布，中间部分的上部宽度大于下部宽度，中间部分的顶部高于左和右部分的顶部。该屏蔽栅的中间部分接源电极，左和右部分浮空，在阻断状态下，...
    2026-05-10
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202610213164.5
    半导体装置具有至少一个端子，该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外，上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面。上...
    2026-05-10
  • 具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET
    具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET_瑞萨电子株式会社_202511425872.7
    本公开涉及具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的半导体衬底。半导体衬底可以具有上表面和底表面。半导体衬底可以由多晶硅碳化物制成。半导体结构还可以包括位于半导体衬底的上表面上的第一导电类型的漂移...
    2026-05-10
  • 晶体管器件及其制作方法
    晶体管器件及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511931318.6
    本公开提供了一种晶体管器件及其制作方法。晶体管器件包括：沟道层、势垒层、栅极、第一电极、第二电极、第一连接块、第二连接块、介质层；所述势垒层层叠在所述沟道层上，所述介质层层叠在所述势垒层上，所述栅极位于所述介质层上；所述沟道层与所述势垒层的...
    2026-05-10
  • 一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路
    一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路_西安电子科技大学_202511986480.8
    本发明公开了一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路，制作方法是一种工艺兼容的单片集成流程，避免了现有单片集成流程中二次外延等复杂工艺，使横向GaN低压晶体管和垂直GaN高压晶体管的制作步骤工艺冲突最小化，在单一芯片上实现了横向GaN...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012134.6
    一种制造半导体器件的方法，包括 : 在衬底上方交替地沉积牺牲层和沟道层，使得位于第一沟道层下方的第二沟道层薄于第一沟道层；图案化半导体堆叠件，以形成鳍；使鳍凹进，以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中外延地沉积半导体材料，以形成源极/漏极...
    2026-05-10
  • 集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法
    集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017933.4
    本发明提供一种集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法。该方法在半导体衬底上限定出第一、第二及第三电压器件区域。在形成第一和第二电压器件所需的阱区时，第三电压器件区域中的第一、第二导电类型器件分别借用第一或第二电压器件的对应阱区。利用新增...
    2026-05-10
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202610159786.4
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体材料层；形成第一掩膜层，第一掩膜层形成暴露半导体材料层的第一区域的第一开口，至少遮挡半导体材料层的第二区域；基于第一掩膜层对第一区域执行第一离子注入工艺，形成第一导电类型的第一...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411570732.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备。该半导体结构的制造方法包括：在衬底上制作多个第一隔离结构；制作位于任意相邻两个第一隔离结构之间的第一信号线；制作覆盖第一隔离结构和第一信号线的第一绝缘层；在第一绝缘层上制作多个第二隔离结构；...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411586350.0
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，衬底内具有若干间隔分布的源漏沟槽，源漏沟槽从衬底的表面延伸至衬底内；在源漏沟槽内形成第一嵌入式外延层，第一嵌入式外延层填充源漏沟槽；在第一嵌入式外延层上形成第二嵌入式外延层，第二嵌入式外延层覆盖第一嵌...
    2026-05-10
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202511599812.7
    一种集成电路装置包括：基底；以及金属氧化物半导体电容器(MOSCAP)，在基底上。MOSCAP包括：下半导体器件，在基底上，下半导体器件包括一对下源极/漏极区域和所述一对下源极/漏极区域之间的下栅极结构；以及上半导体器件，在下半导体器件上，...
    2026-05-10
  • 一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法
    一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法_南京大学_202610468534.X
    本发明提供了一种抗辐照GaN逻辑电路结构及其制作方法，属于半导体技术领域。该电路结构包括自下而上设置的衬底层、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮极化诱导空穴传输层、氮化镓沟道层和势垒层，器件上具有电学连接的2DEG电阻区和增强型肖特基栅极G...
    2026-05-10
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