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最新专利技术
  • 包括存储器电路的电子芯片
    包括存储器电路的电子芯片_意法半导体国际公司_202511623344.2
    本公开涉及包括存储器电路的电子芯片。一种芯片的存储器电路，包括：互连堆叠和数个存储器单元，每个存储器单元包括堆叠上方的存储器元件以及形成在基板中并且包括第一节点的选择晶体管。每个元件包括第一电极、由OTS材料形成的层、以及相对于第一电极在相...
    2026-05-11
  • 用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列
    用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列_苏州市华芯云睿微电子科技有限公司_202610117953.9
    本发明公开了用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列，突触存储单元包括两个选通晶体管和两个阻变忆阻器，选通晶体管与阻变忆阻器一一对应连接；选通晶体管包括自下而上依次设置的栅极、介电层、沟道层，以及设置于沟道层表面的源极和漏极，在源...
    2026-05-11
  • 一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法
    一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法_钠存科技(杭州)有限公司_202610204033.0
    本发明提出了一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法。属于阻变存储器技术领域。所述方法包括：对基底进行预处理，生成特征结构的平整的基底表面结构；根据基底表面结构设计下金属互联层/Mn、通孔、下电极、功能层、上电极以及上金属互联层/M...
    2026-05-11
  • 具有侧边互连的高频宽存储器堆叠及具有该存储器堆叠的三维集成电路结构
    具有侧边互连的高频宽存储器堆叠及具有该存储器堆叠的三维集成电路结构_铨心半导体异质整合股份有限公司_202511458429.X
    一种集成电路结构包含：存储器堆叠，其具有彼此水平分离的半导体晶片，其中每一半导体晶片具有顶面、底面、四个侧壁及多个沿着侧壁布置的边缘垫。所述集成电路结构进一步包含：存储器控制器，其位于第一存储器堆叠下方且电性连接到每一半导体晶片的边缘垫、处...
    2026-05-11
  • 具有边缘垫半导体晶片的基板上晶圆上晶片集成电路结构
    具有边缘垫半导体晶片的基板上晶圆上晶片集成电路结构_铨心半导体异质整合股份有限公司_202511464601.2
    一种集成电路结构包含：存储器堆叠，其包含多个彼此水平分离的半导体晶片、存储器控制晶片、中介层、逻辑处理器晶片及封装基板。每一半导体晶片包含顶面、底面及四个侧壁，以及多个沿着第一侧壁布置的边缘垫。将存储器控制晶片安置于下方且电性连接到每一半导...
    2026-05-11
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511554353.0
    提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基础芯片；多个第一半导体芯片，堆叠在基础芯片上；虚设芯片，堆叠在所述多个第一半导体芯片中的最上第一半导体芯片上；以及模制结构，围绕基础芯片、所述多个第一半导体芯片和虚设芯片，其中，虚设芯片包括从虚...
    2026-05-11
  • 一种变容二极管及制备方法
    一种变容二极管及制备方法_扬州国宇电子有限公司_202610185110.2
    本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种变容二极管及制备方法。其中变容二极管包括N+衬底、N‑外延层、第一P+掺杂区、第二P+掺杂区、介质层、正面金属层和背面金属层，第一P+掺杂区成环形设置于N‑外延层上方；第二P+掺杂区成圆形设置于N...
    2026-05-11
  • 电容器、包括电容器的半导体器件、制造电容器的方法
    电容器、包括电容器的半导体器件、制造电容器的方法_三星电子株式会社_202511598961.1
    提供电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括第一电极、在第一电极上的铁电层、在铁电层上的第二电极、以及在第一电极与铁电层之间和/或在铁电层与第二电极之间的界面层。
    2026-05-11
  • MIM电容器及其制备方法
    MIM电容器及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017947.6
    本申请提供了一种MIM电容器及其制备方法，其中在制备方法中，在形成下极板材料层之后以及在形成中间介电层之前，采用化学机械研磨工艺研磨去除部分厚度的下极板材料层，以平坦化下极板材料层的表面，从而提高了整个MIM电容器的平整度，从而提高了MIM...
    2026-05-11
  • 电容器和显示面板
    电容器和显示面板_惠科股份有限公司_202610450513.5
    本申请提供了一种电容器和显示面板。通过设置导电部和/或极板为温致可逆形变结构，用于响应温度变化控制导电部与相邻的两个电容单元的极板之间的连接状态，调整相邻两个电容单元的连接方式，从而可随温度动态改变电容器的电容值，以改善不同温度下相同电容会...
    2026-05-11
  • 一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法
    一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法_西安电子科技大学_202610127633.1
    本发明公开了一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法，包括：氧化镓外延片；P型氧化物，位于氧化镓外延片上表面的中间区域；P型氧化物的两侧呈弧形结构，该弧形结构的曲率半径小于3μm；SiO2场板，位于P型氧化物的两侧，且与P型氧化物接触；阳...
    2026-05-11
  • 一种SiC JBS单元和SiC JBS器件
    一种SiC JBS单元和SiC JBS器件_安徽瑞纳半导体科技有限公司_202610280805.9
    本发明公开了一种SiC JBS单元，包括由下向上依次设置的阴极、N+衬底、N‑漂移区、P+区和阳极，所述N‑漂移区的顶部间隔地设置有向下延伸的P区沟槽，所述P+区位于所述P区沟槽内，所述N‑漂移区与所述P+区的顶部分别与所述阳极贴合；所述N...
    2026-05-11
  • 锗硅异质结晶体管及其制造方法
    锗硅异质结晶体管及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610020088.6
    本申请提供一种锗硅异质结晶体管及其制造方法，其中在制造方法中，先形成三层第一盖帽层子层，并且在形成三层第一盖帽层子层之后，继续采用循环执行刻蚀补充第二盖帽层‑外延沉积第一盖帽层子层和补充第二盖帽层多次，在初始第二盖帽层和补充第二盖帽层的底面...
    2026-05-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511581112.5
    本发明的目的在于提供一种能够抑制集电极侧栅极的漏电流的技术。半导体装置包括集电极电极、集电极侧元件沟槽结构体、集电极侧栅极焊盘、集电极侧终端沟槽结构体。在俯视面半导体基板的侧面和集电极电极包围集电极侧栅极焊盘，在剖视面集电极侧终端沟槽结构体...
    2026-05-11
  • 小尺寸CT开孔沟槽型IGBT器件及其制作方法
    小尺寸CT开孔沟槽型IGBT器件及其制作方法_上海华虹挚芯电子科技有限公司_202610202547.2
    本发明公开了一种小尺寸CT开孔沟槽型IGBT器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，制作方法包括以下步骤：在半导体衬底上制作漂移区、载流子存储区、体掺杂区、源区及沟槽栅结构；使用第二掩模，在所述沟槽栅结构之间的区域进行刻蚀，暴露出所述体掺...
    2026-05-11
  • 一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法
    一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法_湖北台基半导体股份有限公司_202610308207.8
    本发明为一种双面沟槽的半导体芯片及制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要解决现有单沟槽芯片存在生产效率低、成本较高和正反向阻断电压提升受限的问题。它的主要特征是：所述沟槽为终端双面沟槽，分别对称设置于N型衬底与阳极P层和阴极P层的P‑...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411570410.X
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法中，在有源区形成MOS器件，并且还在源漏引出区域形成至少一个凹槽，在进行自对准金属硅化工艺时，凹槽内表面以及凹槽外的源漏区表面发生金属硅化反应而形成金属硅化物层，使得位于源漏引出区域的金属硅...
    2026-05-11
  • 沟槽式MOSFET器件及其制造方法
    沟槽式MOSFET器件及其制造方法_深圳真茂佳半导体有限公司_202411585766.0
    本申请公开了一种沟槽式MOSFET器件及其制造方法, 制造方法包括以下步骤：提供上表面形成有第一掺杂类型的外延层的衬底；在外延层内形成第二掺杂类型的基区；在外延层内形成侧边相接于基区的阱区和源区；刻蚀外延层，形成相接于基区的沟槽；在沟槽底部...
    2026-05-11
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411598771.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构及位于鳍状结构之间的隔离结构，鳍状结构凸出于隔离结构。沉积氧化物，氧化物覆盖鳍状结构及隔离结构的表面；对氧化物执行热处理工艺以形成氧化层。...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511902991.7
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该制备方法包括：制作沟道层；在沟道层上制作势垒层；在势垒层上制作第一介质层；在第一介质层上制作第一金属层；采用等离子体能量梯度增加PECVD工艺在第一金属层上制作第二介质层；在第二介质层上制作第二金属层。
    2026-05-11
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