青岛佳恩半导体有限公司王丕龙获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种肖特基P-GaN栅极结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224234069U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520543816.2，技术领域涉及：H10D64/64；该实用新型一种肖特基P-GaN栅极结构是由王丕龙;王新强;谭文涛;杨玉珍;马丽娜设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基P-GaN栅极结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种肖特基P‑GaN栅极结构，属于半导体技术领域，该肖特基P‑GaN栅极结构包括衬底、缓冲层、沟槽栅极结构、肖特基金属层和P‑GaN层；所述衬底上依次设置有缓冲层；所述缓冲层上形成有沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构包括多个相互平行设置的沟槽；每个所述沟槽的底部和侧壁上依次设置有肖特基金属层和P‑GaN层；所述肖特基金属层与所述沟槽的底部和侧壁紧密贴合；所述P‑GaN层填充于所述肖特基金属层上方，所述P‑GaN层的顶部与所述缓冲层的顶面平齐；所述肖特基金属层的厚度在所述沟槽的底部处大于侧壁处；本实用新型能够解决现有复合栅极结构难以同时满足低导通电阻、高击穿电压和高温稳定性的问题。
本实用新型一种肖特基P-GaN栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种肖特基P-GaN栅极结构，其特征在于，包括衬底、缓冲层、沟槽栅极结构、肖特基金属层和P-GaN层；所述衬底上依次设置有缓冲层；所述缓冲层上形成有沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构包括多个相互平行设置的沟槽；每个所述沟槽的底部和侧壁上依次设置有肖特基金属层和P-GaN层；所述肖特基金属层与所述沟槽的底部和侧壁紧密贴合；所述P-GaN层填充于所述肖特基金属层上方，所述P-GaN层的顶部与所述缓冲层的顶面平齐；所述肖特基金属层的厚度在所述沟槽的底部处大于侧壁处；所述P-GaN层的厚度在所述沟槽中央区域大于边缘区域；所述沟槽栅极结构中相邻两个沟槽之间的距离为沟槽宽度的1.5~3倍。
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