江苏第三代半导体研究院有限公司周国清获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利碳化硅复合籽晶及碳化硅籽晶组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224227290U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520811191.3，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型碳化硅复合籽晶及碳化硅籽晶组件是由周国清设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅复合籽晶及碳化硅籽晶组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开碳化硅复合籽晶及碳化硅籽晶组件，碳化硅复合籽晶包括：散热基片、过渡层以及碳化硅籽晶；过渡层设置于所述散热基片上；碳化硅籽晶设置于所述过渡层远离所述散热基片的一侧；其中，过渡层的热导率大于碳化硅籽晶的热导率，且过渡层的热导率小于散热基片的热导率。本实用新型提供的碳化硅复合籽晶通过使用过渡层作为热应力缓冲层，减少因热膨胀系数差异导致的界面裂纹或剥离；通过建立高热导率的散热基片、低热导率的过渡层以及更低热导率的碳化硅籽晶的温度梯度，可以将碳化硅籽晶处的热量快速的沿垂直方向和水平方向传递出去，从而在碳化硅复合籽晶实现较大的垂直方向和水平方向的温度梯度。
本实用新型碳化硅复合籽晶及碳化硅籽晶组件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅复合籽晶，其特征在于，包括： 散热基片； 过渡层，设置于所述散热基片上； 碳化硅籽晶，设置于所述过渡层远离所述散热基片的一侧； 其中，所述过渡层的热导率大于所述碳化硅籽晶的热导率，且所述过渡层的热导率小于所述散热基片的热导率。
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