睿智鑫半导体科技(无锡)有限公司朱伟获国家专利权
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龙图腾网获悉睿智鑫半导体科技(无锡)有限公司申请的专利一种晶圆薄膜沉积冶具获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224227208U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521168755.2，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型一种晶圆薄膜沉积冶具是由朱伟;崔浩;周鹏宇设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆薄膜沉积冶具在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种晶圆薄膜沉积冶具，属于晶圆薄膜沉积的技术领域，其技术方案要点包括连接组件、放置组件、沉积箱和封闭门，所述连接组件设置在沉积箱的后侧，所述放置组件设置在沉积箱的内部，所述封闭门活动连接在沉积箱的前侧，通过连接组件的设置，连接组件可达到对沉积箱内进行注入反应气体的效果，且还可起到对沉积箱内的温度进行实时监控的效果，通过放置组件的设置，放置组件可达到便于跟换适配晶圆尺寸放置座的效果，从而增加了装置的适应性，从而解决了现有传统晶圆薄膜沉积治具，大多都是盘状结构，且其上的凹槽尺寸单一，只能与一种尺寸的晶圆相匹配，且难以更换，从而造成其使用的适应性较低的问题。
本实用新型一种晶圆薄膜沉积冶具在权利要求书中公布了：1.一种晶圆薄膜沉积冶具，包括连接组件1、放置组件2、沉积箱3和封闭门4，其特征在于：所述连接组件1设置在沉积箱3的后侧，所述放置组件2设置在沉积箱3的内部，所述封闭门4活动连接在沉积箱3的前侧； 所述连接组件1包括连接头101、阀体102、连接管103和温度传感器104，所述连接头101固定连接在阀体102的后侧，所述阀体102固定连接在连接管103的后侧，所述连接管103固定连接在沉积箱3的后侧，所述温度传感器104固定连接在沉积箱3的左侧。
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