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金堆城钼业光明(山东)股份有限公司蒙笠获国家专利权

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龙图腾网获悉金堆城钼业光明(山东)股份有限公司申请的专利一种小粒度钼粉及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121755695B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610249216.4,技术领域涉及:B22F1/00;该发明授权一种小粒度钼粉及其制备方法是由蒙笠;朱锋;黄立峰;高峰;苏勇;樊晓波;张燕;赵峰;韩国庆;苗彬设计研发完成,并于2026-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种小粒度钼粉及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种小粒度钼粉及其制备方法,属于粉末冶金制备领域,将钼源、纳米导电炭黑和分散剂在水性溶剂中混合,通过喷雾干燥构建纳米导电炭黑被钼源隔离与分散的复合前驱体;随后在惰性气氛中进行低温碳热还原与中温碳迁移的两步处理,得到预还原中间产物;最后在特定水蒸气含量的湿氢气氛中完成深度还原与气相脱碳,利用水煤气反应将残留碳彻底去除。本发明通过从前驱体结构设计到还原脱碳工艺的全流程协同调控,解决了传统方法中钼粉粒度细化与碳杂质深度脱除难以兼顾的核心矛盾,具有超细的粒度、极低的碳氧杂质含量,综合性能优异。

本发明授权一种小粒度钼粉及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种小粒度钼粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.制备纳米隔离分散复合前驱体:将钼源、纳米导电炭黑和分散剂在水性溶剂中混合,通过喷雾干燥,形成复合前驱体; 以质量份数计,所述钼源为100份,所述纳米导电炭黑为3份-6份,所述分散剂为0.5份-3份;所述钼源为钼酸铵或三氧化钼中的至少一种;所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮; S2.碳热预还原与碳迁移:将所述复合前驱体在惰性气氛中,于低温区进行碳热还原反应,于中温区促进还原产物转化与碳的迁移,得到预还原中间产物; 所述低温区碳热还原的温度为460℃-500℃,保温时间为70min-100min;所述中温区转化与碳迁移的温度为680℃-750℃,保温时间为100min-160min; S3.深度还原与气相脱碳:将所述预还原中间产物在湿氢气氛中,于高温下进行深度还原,并利用水煤气反应将残留碳气化脱除,得到所述小粒度钼粉。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人金堆城钼业光明(山东)股份有限公司,其通讯地址为:255300 山东省淄博市周村区陈桥路77号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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