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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种结型场效应管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121712070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610209966.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种结型场效应管及其制作方法是由刘凯;北口裕久设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结型场效应管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种结型场效应管及其制作方法，结型场效应管包括设置在衬底中的漂移区，漂移区中设置有高压阱区，衬底上设置有氧化层，氧化层具有第一开口、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口之间的氧化层上设有栅极，在第一开口和第三开口处均设有第一重掺杂区域，以形成源极和漏极，在第二开口中设置有体区端子，体区端子包括第一体轻掺杂区域和体重掺杂区域，高压阱区位于源极和漏极之间，第一体轻掺杂区域从衬底表面向下延伸并停止在高压阱区中，且第一体轻掺杂区域位于高压阱区远离所述漏极一侧的端部。本发明通过调整体区端子的位置，使得体区端子远离高压的漏区设置，将浪涌电流流过体区端子的路径延长，从而降低了流过体区端子的浪涌电流峰值。

本发明授权一种结型场效应管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种结型场效应管，其特征在于，包括： 漂移区，设置在衬底中； 高压阱区，设置在所述漂移区中； 氧化层，设置在所述衬底上，所述氧化层具有沿预设方向依次设置的第一开口、第二开口和第三开口； 栅极，设置在所述第二开口和第三开口之间的氧化层上； 源极，设置在所述第一开口的第一重掺杂区域构成所述源极； 漏极，设置在所述第三开口的第一重掺杂区域构成所述漏极，所述高压阱区位于所述源极和漏极之间； 体区端子，设置在所述第二开口中，所述体区端子包括第一体轻掺杂区域和体重掺杂区域，所述第一体轻掺杂区域与所述高压阱区远离所述漏极一侧的端部重叠设置； 其中，所述高压阱区、第一体轻掺杂区域和体重掺杂区域中的离子掺杂类型与所述漂移区的离子掺杂类型相反，所述第一重掺杂区域与所述漂移区的离子掺杂类型相同； 所述漂移区设置有交替放置的N阱区和补入P阱区，且所有所述N阱区和补入P阱区均设置在所述栅极与体区端子之间；或者，所述漂移区中还设有至少一个N阱区和至少一个补入P阱区，所有所述N阱区和补入P阱区均设置在所述栅极与体区端子之间，且所述补入P阱区的数量大于所述N阱区的数量，每个所述N阱区插设在任意相邻设置的两个所述补入P阱区之间，且所述补入P阱区和N阱区均从衬底表面向下延伸，并停止在所述高压阱区中。

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