河北鼎瓷电子科技股份有限公司高珊获国家专利权
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龙图腾网获悉河北鼎瓷电子科技股份有限公司申请的专利一种覆镍多层陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121651887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610162283.2，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权一种覆镍多层陶瓷基板及其制备方法是由高珊;金华江;李杰;梁鹏杰;李磊;张雪丽;闫坤;艾潇培;祝博华设计研发完成，并于2026-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆镍多层陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷基板技术领域，提出了一种覆镍多层陶瓷基板及其制备方法。覆镍多层陶瓷基板，包括氧化铝陶瓷基板和设置在氧化铝陶瓷基板至少一侧的覆镍层；氧化铝陶瓷基板，包括以下重量份的原料：氧化铝70~90份、烧结助剂5~8份、溶剂80~100份、粘结剂10~12份、分散剂0.5~2份；烧结助剂包括刚玉‑莫来石复合材料、氧化锆‑碳化硅复合材料。通过上述技术方案，解决了相关技术中的覆镍多层陶瓷基板强度不足的问题。
本发明授权一种覆镍多层陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种覆镍多层陶瓷基板，其特征在于，包括氧化铝陶瓷基板和设置在所述氧化铝陶瓷基板至少一侧的覆镍层； 所述氧化铝陶瓷基板，包括以下重量份的原料：氧化铝70~90份、烧结助剂5~8份、溶剂80~100份、粘结剂10~12份、分散剂0.5~2份；所述烧结助剂包括刚玉-莫来石复合材料、氧化锆-碳化硅复合材料； 所述刚玉-莫来石复合材料和氧化锆-碳化硅复合材料的质量比为1:4~4:1； 所述刚玉-莫来石复合材料的原料包括质量比为1~2:3的高岭土和水铝石； 所述氧化锆-碳化硅复合材料的原料包括质量比为4:0.2~0.8的氧化锆和碳化硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北鼎瓷电子科技股份有限公司，其通讯地址为：050000 河北省石家庄市鹿泉经济开发区符家庄村京赞线以西307国道以北(方台沟以南)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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