杭州致善微电子科技有限公司宋宾获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州致善微电子科技有限公司申请的专利一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121645977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610166024.7，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法是由宋宾;丁一设计研发完成，并于2026-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法。晶体管包括由下到上依次设置的衬底、外延层和绝缘层，衬底和外延层之间具有埋层，外延层内具有呈圆柱形的第一掺杂区，第一掺杂区内的上部具有发射区，发射区的上部设置电容介质，第一掺杂区的与电容介质通过第一金属引出，作为基极；发射区通过第二金属引出，作为发射极；外延层内的上部还具有设置于第一掺杂区外侧的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区之间设置有第三掺杂区；第二掺杂区通过第三金属引出；外延层内的右侧还具有扩散区，扩散区连接埋层和绝缘层，扩散区内的上部具有第四掺杂区，第四掺杂区通过第四金属引出。该晶体管集成度高，抗干扰能力强，芯片面积小，成本低。
本发明授权一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种内置高频截止环的输入端晶体管，其特征在于，包括由下到上依次设置的衬底、外延层和绝缘层，衬底和外延层之间具有埋层，外延层内具有呈圆柱形的第一掺杂区，第一掺杂区内的上部具有发射区，发射区的上部设置电容介质，第一掺杂区的与电容介质通过第一金属引出，作为基极；发射区通过第二金属引出，作为发射极； 外延层内的上部还具有设置于第一掺杂区外侧的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区之间设置有第三掺杂区；第二掺杂区通过第三金属引出； 外延层内的右侧还具有扩散区，扩散区连接埋层和绝缘层，扩散区内的上部具有第四掺杂区，第四掺杂区通过第四金属引出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州致善微电子科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区转塘街道转塘科技经济区块16号6幢509室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励