买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121629501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610148634.4，技术领域涉及：C30B15/36；该发明授权一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法是由张广宇;张泽盛;王国宾设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法，属于碳化硅单晶生产技术领域。所述方法采用液相法生长碳化硅单晶的装置进行，所述装置包括楔形籽晶托和楔形籽晶，所述方法包括：将楔形籽晶设置于楔形籽晶托上形成正晶向籽晶面，然后在正晶向籽晶面上进行液相法生长碳化硅，得到包括楔形籽晶和碳化硅生长晶的晶锭；将晶锭从楔形籽晶托上取下，以楔形籽晶的倾斜面为基准进行多线切割，得到偏角度碳化硅单晶。本发明方法通过楔形籽晶与楔形籽晶托形成正晶向籽晶面进行液相生长，再经多线切割得到偏角度碳化硅单晶，本发明多线切无需晶体定向步骤，并且可以减少偏角度单线切或平磨过程，节省了加工时间，并能得到新的楔形籽晶循环利用。

本发明授权一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长偏角度碳化硅单晶的方法，其特征在于，采用液相法生长碳化硅单晶的装置进行，所述装置包括楔形籽晶托和楔形籽晶，所述方法包括如下步骤： 1将所述楔形籽晶设置于所述楔形籽晶托上形成正晶向籽晶面，然后在正晶向籽晶面上进行液相法生长碳化硅，得到包括楔形籽晶和碳化硅生长晶的晶锭，所述碳化硅生长晶为正晶向；所述楔形籽晶托包括正角度部分和偏角度部分，所述正角度部分垂直连接有籽晶杆，所述偏角度部分的倾斜面与所述楔形籽晶的倾斜面通过粘结剂粘接在一起，以使得所述楔形籽晶的下表面形成所述正晶向籽晶面，所述正晶向籽晶面垂直于所述籽晶杆；所述楔形籽晶托和所述楔形籽晶的倾斜角度相同； 2将所述晶锭从楔形籽晶托上取下，然后以所述晶锭包括的楔形籽晶的倾斜面为基准进行多线切割，得到偏角度碳化硅单晶； 在步骤2中，以所述晶锭包括的楔形籽晶的倾斜面为基准进行多线切割后，还能得到新的楔形籽晶，所述新的楔形籽晶循环用于步骤1中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京晶格领域半导体有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。