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龙图腾网获悉江苏永鼎股份有限公司申请的专利一种铝基量子阱激光器及其原位界面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121629354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610167773.1，技术领域涉及：C23C16/24；该发明授权一种铝基量子阱激光器及其原位界面处理方法是由周莉;张金胜;王智浩设计研发完成，并于2026-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铝基量子阱激光器及其原位界面处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子器件的技术领域，公开一种铝基量子阱激光器及其原位界面处理方法。在生长具有应变补偿结构的低铝有源区之后，且在生长高铝电子阻挡层之前，原位界面处理方法包括：在V族源气氛下，将衬底温度维持在第一温度，持续第一时间；将衬底温度从第一温度降至第三温度，并通入铝源进行应变表面预吸附；接着通入铝源以及铝源之外的其他Ⅲ族源，以生长高铝成核层；将衬底温度从第三温度升至第四温度，生长主体部分。本发明的原位界面处理方法通过应变表面弛豫、铝原子预吸附、低温成核以及固态外延转化步骤获得低缺陷界面，使得高铝电子阻挡层与下方具有应变补偿结构的低铝有源区之间实现晶格衔接，有效降低界面缺陷密度。

本发明授权一种铝基量子阱激光器及其原位界面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种铝基量子阱激光器的原位界面处理方法，其特征在于，在金属有机化学气相沉积设备中，在生长具有应变补偿结构的低铝有源区之后，且在生长高铝电子阻挡层之前，包括以下步骤： 步骤A：在V族源气氛下，将衬底温度维持在第一温度，持续第一时间；其中，所述第一温度高于低铝有源区的生长温度且低于高铝材料的成核温度，所述第一时间为10秒至60秒； 步骤B：在V族源气氛下，将衬底温度从第一温度降至第三温度，并通入铝源进行应变表面预吸附； 步骤C：在第三温度下，并在V族源气氛下，通入铝源以及铝源之外的其他Ⅲ族源，以生长高铝成核层； 步骤D：将衬底温度从第三温度升至第四温度，进行退火处理，退火处理后，在第四温度下生长高铝电子阻挡层的主体部分；步骤A包括： 步骤a1：在V族源气氛下，将衬底温度维持在第一温度，持续第一时间；其中，第一温度包括Tlow+30℃≤T1≤Tlow+80℃，式中，T1为第一温度，Tlow为低铝有源区的生长温度； 步骤a2：当步骤a1持续的时间为12倍第一时间时，向金属有机化学气相沉积设备的反应室中通入有机硅烷前驱体；其中，有机硅烷前驱体的通入时间为2秒至10秒； 步骤a1中，V族源为磷烷，V族源的流量为生长AlGaInP层时V族源流量的1.5倍至3倍； 所述有机硅烷前驱体选自叔丁基硅烷、二乙基硅烷和三甲基硅烷中的一种，所述有机硅烷前驱体的流量为步骤a1的V族源的流量的0.5%至2%。

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