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龙图腾网获悉安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121619943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610140150.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制作方法是由王奎旭;胡薇;沈磊;高志杰;李涛设计研发完成，并于2026-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成伪栅极和硬掩膜层；在伪栅极两侧形成侧墙结构；形成接触孔刻蚀停止层，接触孔刻蚀停止层的材料与硬掩膜层的材料相同；在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层，采用第一平坦化工艺平坦化层间介质层至硬掩膜层剩余预设厚度；进行第一等离子改性处理，至少在层间介质层表面形成第一改性层；进行第二等离子改性处理，至少将硬掩膜层和部分接触孔刻蚀停止层改性为第二改性层；同步去除第一改性层和第二改性层，暴露伪栅极；去除伪栅极，形成金属栅极。通过本发明，避免在层间介质层内残留金属，提高金属栅极的高度一致性，提高半导体器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极上形成有硬掩膜层； 在所述伪栅极两侧形成侧墙结构； 在所述衬底、所述侧墙结构和所述伪栅极上形成接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层的材料与所述硬掩膜层的材料相同； 在所述接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层， 采用第一平坦化工艺平坦化所述层间介质层至所述硬掩膜层剩余预设厚度； 进行第一等离子改性处理，至少在所述层间介质层表面形成第一改性层； 进行第二等离子改性处理，至少将所述硬掩膜层和部分接触孔刻蚀停止层改性为第二改性层； 采用第二平坦化工艺同步去除所述第一改性层和所述第二改性层，暴露所述伪栅极；所述第一改性层的厚度等于所述硬掩膜层剩余预设厚度；以及 去除所述伪栅极，形成金属栅极； 其中，所述第一等离子改性处理和所述第二等离子改性处理包括： 将所述第一平坦化工艺处理后的衬底放入等离子腔室内； 控制等离子腔室在第一预设功率和第一预设压力下通入第一总流量的氢气和氩气，进行改性第一时间； 在所述第一等离子改性处理结束后，将等离子腔室的功率和压力调整为第二预设功率和第二预设压力，通入第二总流量的氢气和氩气进行改性，进行改性第二时间； 在所述第一等离子改性处理时，所述氢气和所述氩气的流量比为1:3~1:5；在所述第二等离子改性处理时，所述氢气和所述氩气的流量比为6:1~4:1。

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