浙江绿色智行科创有限公司;浙江吉利控股集团有限公司杨凯获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江绿色智行科创有限公司;浙江吉利控股集团有限公司申请的专利卤化物复合固态电解质及其制备方法、正极片和电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121618033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610142430.X,技术领域涉及:H01M10/0562;该发明授权卤化物复合固态电解质及其制备方法、正极片和电池是由杨凯;周宇楠;丁少;刘景超;傅小兰设计研发完成,并于2026-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本卤化物复合固态电解质及其制备方法、正极片和电池在说明书摘要公布了:本申请提供一种卤化物复合固态电解质及其制备方法、正极片和电池。该固态电解质包括多孔SiO2骨架和卤化物固态电解质,SiO2骨架具有连续互通的孔道结构,卤化物固态电解质部分通过原位生长填充SiO2的孔道结构,部分通过原位生长包裹于SiO2骨架的表面。SiO2骨架与卤化物固态电解质的交接界面包括过渡层;SiO2骨架的质量含量为1~30wt%,比表面积为50‑500m2g。SiO2骨架可有效减少孔道内卤化物电解质与环境湿气的接触面积,延缓水分向材料内部的扩散和渗透。高键能Si‑O键和过渡层进一步抑制卤化物电解质水解。卤化物电解质在SiO2的连续孔道内形成连续的离子传输路径,保障高的离子电导率。
本发明授权卤化物复合固态电解质及其制备方法、正极片和电池在权利要求书中公布了:1.一种卤化物复合固态电解质,其特征在于,包括:多孔SiO2骨架和卤化物固态电解质,所述多孔SiO2骨架具有连续互通的孔道结构,所述卤化物固态电解质部分通过原位生长填充所述多孔SiO2骨架的孔道结构,部分通过原位生长包裹于所述多孔SiO2骨架的表面;其中,所述多孔SiO2骨架表面的Si-O键优先捕获水分子,抑制卤化物中M-Cl键的水解反应; 所述多孔SiO2骨架与所述卤化物固态电解质的交接界面包括过渡层,所述过渡层包含Si-O-金属键; 以卤化物复合固态电解质为基准,所述多孔SiO2骨架的质量含量为1wt%至30wt%; 所述多孔SiO2骨架的比表面积为50-500m2g; 所述多孔SiO2骨架的粒径Dv50为0.2μm~0.7μm。
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