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龙图腾网获悉成都嘉纳海威科技有限责任公司申请的专利一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121585110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610108913.8，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路是由廖学介;王测天;刘莹;羊洪轮;邓春;张帆;刘彦宁;王伟广设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路，属于射频微波技术领域。该电路主要由前级低噪声放大器模块、级间温补均衡模块和后级驱动放大器模块三部分组成。所述温补均衡器模块通过三级砷化镓二极管温度传感单元生产与温度相关的差分电压，经增强型FET差分放大电路输出控制信号，驱动压控衰减均衡器动态调节射频信号衰减量，实现频段内增益稳定性。通过隔直电容与分压电阻协同设计，将FET开关栅极偏置严格限定在跨导线性调节区间，该区间覆盖砷化镓FET管阈值电压的80%有效范围。电路采用单电源+5V供电，通过有源偏置与电源滤波网络确保各模块稳定工作，适用于高频通信、雷达等极端温度环境。

本发明授权一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种单电源供电超宽带温度补偿低噪声放大器电路，其特征在于，包括： 前级低噪声放大器模块，用于接收射频输入信号并进行低噪声放大，其输出连接至级间温补均衡模块，所述前级低噪声放大器模块包括两级共源E-mode增强型放大管TDA1和TDA2、输入匹配电路包括电容CDA1和电感LDA1，并联负反馈电路包括电阻RDA4、电感LDA2与电容CDA2并连接于TDA1栅极与LDA3之间，级间匹配电路包括电感LDA3与电容CDA2并连接于TDA1漏极与TDA2栅极之间，有源偏置电路包括电阻RDA3、增强型FET管TDA3、电阻RDA1、电容CDA3及电阻RDA2并为TDA1提供栅极偏置，第二级栅极偏置电路包括电阻RDA7、RDA6、RDA5与电容CDA4，电阻RDA7通过电阻RDA5连接与TDA2的栅极，同时分别连接电阻RDA6和电容CDA4，并通过电阻RDA6和电容CDA4分别接地；第二级漏极馈电电路包括电感LDA5与电容CDA6，电感LDA5其一端连接TDA2的漏极，另一端的一路连接+5V电源，另一路通过电容CDA6接地；输出匹配与隔直电路包括电感LDA6与电容CTCE1，第一级漏极馈电电路包括电容CDA5与电感LDA4，电流复用通道形成于TDA2漏极经TDA2源极、电感LDA4、电感LDA3、TDA1漏极至TDA1源极的路径； 级间温补均衡模块，用于根据温度变化动态调节射频信号的衰减量，其输入连接前级低噪声放大器模块的输出，其输出连接后级驱动放大器模块的输入；所述级间温补均衡模块包括温度传感单元、差分放大电路和衰减均衡电路，温度传感单元包括三级串联砷化镓肖特基二极管D1、D2和D3且阳极接地、阴极输出温度相关电压，差分放大电路包括增强型FET管TTCE1、TTCE2及外围偏置元件并输出两路控制信号V1和V2，衰减均衡电路包括FET开关管SW1、SW2，电阻RTCE1、RTCE2，电容CTCE2、CTCE3及电感LTCE1，其中SW1栅极接V1、SW2栅极接V2，隔直电容CTCE1和CTCE4分别位于前级输出与衰减器输入、衰减器输出与后级输入之间，分压电阻RTCE3与RTCE4协同将SW1和SW2栅极偏置限制在-1V至0V的线性调节区间； 后级驱动放大器模块，用于提供高线性度及高输出功率的射频信号放大，其输出作为整个电路的输出；所述后级驱动放大器模块采用Cascode结构，包括共源管TPA1和共栅管TPA2，TPA1漏极与TPA2源极直接连接，输入匹配电路包括电容CTCE4与电感LPA1，并联负反馈电路包括电阻RPA4、电感LPA2与电容CPA2并连接于TPA2的漏极与TPA1的栅极之间，有源偏置电路包括电阻RPA3、增强型FET管TPA3、电阻RPA1、电容CPA3及电阻RPA2并为TPA1提供栅极偏置；共源管栅极偏置电路包括电阻RPA7、RPA6，其中，电阻RPA7通过电阻PRA6、电容CPA4接地，并通过电阻RPA5连接至共栅管TPA2的栅极；漏极馈电电路包括电感LPA3与电容CPA5，电感LPA3一端连接于TPA2漏极，另一端连接+5V电源同时通过电容CPA5接地；输出匹配与隔直电路包括电感LPA4与电容CPA6； 单电源供电模块，用于为前级低噪声放大器模块、级间温补均衡模块及后级驱动放大器模块提供+5V稳定供电，并通过滤波网络抑制电源噪声。

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